同步加速器用入射器系统及漂移管直线加速器的运转方法技术方案

本发明专利技术的同步加速器用入射器系统及漂移管直线加速器的运转方法中，在对第一离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第一离子加速的加速半周期的差成为第一加速周期差，在对与第一离子相比荷质比小的第二离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第二离子加速的加速半周期的差即第二加速周期差大于第一加速周期差。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】同步加速器用入射器系统及漂移管直线加速器的运转方法
本专利技术涉及在一个同步加速器系统中，为了形成为能使不同种类的离子加速的系统，而使不同种类的离子入射至同步加速器的同步加速器用入射器系统。
技术介绍
将在同步加速器中使带电粒子加速，并从同步加速器射出的高能量的带电粒子束即粒子射线例如利用于进行癌治疗。在治疗用的粒子射线中，有时优选根据治疗对象选择粒子射线的种类。由此，期望能从一个同步加速器系统中射出不同种类的粒子射线。同步加速器对射入的带电粒子、即离子进行加速，为了使其能射出不同种类的粒子射线，需要将不同种类的离子入射至同步加速器的同步加速器用入射器系统。专利文献1中，公开了通过同一个同步加速器能使所有种类的离子加速至任意能级的技术。记载了在用于使离子入射至该同步加速器的入射器系统中，通过前级加速器使加速至一定能级的离子射束入射。此外，专利文献2中虽然记载了为了将质子射束和碳射束合并利用，需要产生各自的射束的离子源，但针对用于使离子入射至同步加速器的前级加速器没有详细的记载。此外，专利文献3中，公开了在APF-IH型漂移管直线加速器中，能使大电流的质子等粒子射束加速的结构。现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同步加速器用入射器系统，是将入射至同步加速器的离子射出的同步加速器用入射器系统，其特征在于，包括：第一离子源，该第一离子源产生第一离子；第二离子源，该第二离子源产生比所述第一离子的荷质比q1/A1小的荷质比q2/A2的第二离子；漂移管直线加速器，该漂移管直线加速器包括圆筒谐振器、以及以直线状排列于该圆筒谐振器的圆筒轴向的多个漂移管，在通过这些多个漂移管形成的多个漂移管间隙中产生的高频电场成为加速相位的高频的半周期即加速半周期期间对离子进行加速；高频发生器，该高频发生器向所述漂移管直线加速器提供高频功率；以及低能射束传输路径，该低能射束传输路径使所述第一离子和所述第二离子中的任一种离子入射至...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.25 JP PCT/JP2015/0553851.一种同步加速器用入射器系统，是将入射至同步加速器的离子射出的同步加速器用入射器系统，其特征在于，包括：第一离子源，该第一离子源产生第一离子；第二离子源，该第二离子源产生比所述第一离子的荷质比q1/A1小的荷质比q2/A2的第二离子；漂移管直线加速器，该漂移管直线加速器包括圆筒谐振器、以及以直线状排列于该圆筒谐振器的圆筒轴向的多个漂移管，在通过这些多个漂移管形成的多个漂移管间隙中产生的高频电场成为加速相位的高频的半周期即加速半周期期间对离子进行加速；高频发生器，该高频发生器向所述漂移管直线加速器提供高频功率；以及低能射束传输路径，该低能射束传输路径使所述第一离子和所述第二离子中的任一种离子入射至所述漂移管直线加速器，所述高频发生器在所述低能射束传输路径使所述第一离子入射的情况下，向所述漂移管直线加速器提供高频功率，使得在所述多个漂移管间隙中的一个漂移管间隙中使所述第一离子加速的加速半周期、与被加速的该第一离子到达所述一个漂移管间隙的相邻的漂移管间隙而被加速的加速半周期的差成为第一加速周期差，该高频发生器在所述低能射束传输路径使所述第二离子入射的情况下，向所述漂移管直线加速器提供高频功率，使得在所述一个漂移管间隙中使所述第二离子加速的加速半周期、与被加速的该第二离子到达所述一个漂移管间隙的相邻的漂移管间隙而被加速的加速半周期的差即第二加速周期差大于所述第一加速周期差。2.如权利要求1所述的同步加速器用入射器系统，其特征在于，所述漂移管直线加速器是APF-IH型漂移管直线加速器，所述第一加速周期差是0.5周期，所述第二加速周期差是(0.5+n)周期(n为正整数)。3.如权利要求2所述的同步加速器用入射器系统，其特征在于，在所述漂移管中包括利用磁场的集束设备。4.如权利要求1所述的同步加速器用入射器系统，其特征在于，所述漂移管直线加速器是阿尔瓦雷斯型漂移管直线加速器，所述第一加速周期差...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本和男，川崎定博，井上博光，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP