【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术涉及一种感应耦合型的等离子体处理装置,所述等离子体处理装置通过使高频电流自高频电源向高频天线流动而使真空容器内产生感应电场从而生成等离子体(感应耦合型等离子体,简称作ICP(inductivelycoupledplasma)),使用所述等离子体对基板实施例如利用等离子体化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)法的膜形成、蚀刻、灰化、溅镀等处理。
技术介绍
作为感应耦合型的等离子体处理装置的一例,专利文献1中记载了如下的等离子体处理装置,即,将平板状的高频天线隔着绝缘框安装于真空容器的开口部,自高频电源向所述高频天线的一端与另一端间供给高频电力而使高频电流流动,利用由此所产生的感应电场生成等离子体,使用所述等离子体对基板实施处理。现有技术文献专利文献专利文献1国际公开第WO2009/142016号手册(段落0024-段落0026,图1)
技术实现思路
专利技术所要解决的问题所述现有的等离子体处理装置中,若为了应对大型基板等而延长高频天线,则所述高频天线的阻抗(尤其电感)增大而高频电流变得不易流动,由此抑制高频天线 ...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置,其为感应耦合型的等离子体处理装置,通过使高频电流自高频电源向配置于被真空排气且导入了气体的真空容器内的高频天线流动,使所述真空容器内产生感应电场而生成等离子体,使用所述等离子体对基板实施处理,所述等离子体处理装置的特征在于包括:副天线,在所述真空容器内沿着所述高频天线配置,其两端部附近隔着绝缘物由所述真空容器支持,且以电性浮动状态放置;以及绝缘罩体,将位于所述真空容器内的部分的所述高频天线及所述副天线统一覆盖。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.13 JP 2015-0262541.一种等离子体处理装置,其为感应耦合型的等离子体处理装置,通过使高频电流自高频电源向配置于被真空排气且导入了气体的真空容器内的高频天线流动,使所述真空容器内产生感应电场而生成等离子体,使用所述等离子体对基板实施处理,所述等离子体处理装置的特征在于包括:副天线,在所述真空容器内沿着所...
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