一种巨介电陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种巨介电陶瓷材料及其制备方法，以碳酸钡，三氧化二钴和五氧化二铌为原料，在200～450转/分钟的速度混合球磨8～24小时，将球磨后的粉料在单向压力200～400MPa下压制成型；然后放到高压烧结炉中，先加高压3～7GPa，再以20～40℃/min的升温速率升温至1000～1200℃烧结30～120分钟，然后以20～50℃/min的速度降至室温，最后撤去高压。本发明专利技术在超高压下烧结，有利于Ba(Co0.5Nb0.5)O3陶瓷体保持稳定；化合物在整个高温合成过程中均保持在超高压状态，抑制了由于晶格应变等导致的第二相的出现，从而可以得到纯的Ba(Co0.5Nb0.5)O3陶瓷体。

A giant dielectric ceramic material and its preparation method

The invention discloses a giant dielectric ceramic material and its preparation method with barium carbonate, three two and five two cobalt oxide niobium oxide as raw materials, in 200 ~ 450 RPM speed ball milling and mixing 8 minutes to 24 hours, the milled powder under uniaxial pressure 200 ~ 400MPa under pressing; then in high pressure sintering furnace, first add pressure 3 ~ 7GPa, and then to 20 to 40 DEG /min heating rate of heating to 1000 to 1200 DEG C sintered at 30 ~ 120 minutes, then to 20 to 50 DEG /min speed to room temperature, finally removed the pressure. The invention of sintering under ultra-high pressure, in favor of Ba (Co0.5Nb0.5) O3 ceramic body remained stable; in the whole process of high temperature synthetic compounds were maintained in a high pressure state, is inhibited due to the presence of the second phase lattice strain as a result, which can get the pure Ba (Co0.5Nb0.5) O3 ceramics.

【技术实现步骤摘要】
一种巨介电陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及电子陶瓷领域，具体涉及一种Ba(Co0.5Nb0.5)O3巨介电陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
微电子信息技术的快速发展对电子元器件的微型化、集成化提出了更高的要求，作为电子元器件的重要组分部分，电介质陶瓷的研究受到人们越来越多的关注。随着信息
尤其是电子和微电子行业的发展以及极端环境下的工作需要，具有良好的温度和频率稳定性的巨介电常数、低介电损耗的电介质材料有着广泛的应用前景。具有钙钛矿结构的陶瓷材料一直因其巨大的介电常数和和很低的介电损耗而备受关注，并且钙钛矿结构陶瓷材料能够在很宽的温度和频率范围内保持稳定性。近年来，电子元器件日新月异，小型化、高效能和低功耗成为重要发展方向，并且对器件的各种声光电热磁等性能有了更多细致的要求。这也要求去研究更多元素的物理化学性能，开发出更多的新材料种类来满足不同层次的需求。位于第五副族的三种元素钒、铌、钽均为非铁磁性元素，并且已经在生产和生活中得到广泛运用，研究并进一步发展这些元素的应用具有重要的经济效益。例如，用钽电容器用在军事国防等消费领域，但钽元素资源紧缺，因此钽元素成了一种战略性资源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种巨介电陶瓷材料，其特征在于，巨介电陶瓷材料按照化学反应式4BaCO3+Nb2O5+Co2O3＝4Ba(Co0.5Nb0.5)O3+4CO2制得，其中，碳酸钡、五氧化二铌、三氧化二钴的摩尔比为4:1:1，每种原料摩尔比含量偏差范围为0‑5％。

【技术特征摘要】
1.一种巨介电陶瓷材料，其特征在于，巨介电陶瓷材料按照化学反应式4BaCO3+Nb2O5+Co2O3＝4Ba(Co0.5Nb0.5)O3+4CO2制得，其中，碳酸钡、五氧化二铌、三氧化二钴的摩尔比为4:1:1，每种原料摩尔比含量偏差范围为0-5％。2.根据权利要求1所述的巨介电陶瓷材料，其特征在于，所述碳酸钡、五氧化二铌、三氧化二钴为分析纯或高纯原料。3.一种巨介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以碳酸钡、五氧化二铌和三氧化二钴为原料，按通式Ba(Co0.5Nb0.5)O3的化学计量比进行配料，获得原料混合物；(2)将步骤(1)配制好的原料混合物投入至球磨机中，加入氧化锆球和无水乙醇为球磨介质，在球磨机中混合均匀，然后将混合后的浆料烘干，获得粉体；(3)将步骤(2)中获得的粉体在单向压力200～400MPa下压制成型，获得块体；(4)将步骤(3)成型的块体，置于高压烧结炉中进行烧结，降到...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海侠，刘来君，
申请(专利权)人：欧钛鑫光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32