一种低电压低功耗高增益窄带低噪声放大器制造技术

一种低电压低功耗高增益窄带低噪声放大器，设有输入主共栅放大单元、扼流单元、跨导增强共栅放大单元和负载单元。输入主共栅放大单元采用两路差分共栅结构，与此同时，跨导增强共栅放大单元和输入主共栅放大单元在信号输入端形成并联结构，从而一起实现低噪声放大器50欧姆输入阻抗匹配。扼流单元提供直流通路到地，并对输入的交流信号进行扼流。射频输入信号通过输入主共栅放大单元，跨导增强共栅放大单元送至负载单元，最终输出放大的电压差分信号。

A low voltage, low power, high gain, narrowband low-noise amplifier

A low voltage, low power, high gain, narrow-band low-noise amplifier with input main common gate amplification unit, choke unit, transconductance enhancement common gate amplifier unit and load cell. The main input common gate amplifier unit with two differential common gate structure, at the same time, strengthen the common gate amplifier unit and transconductance input main common gate amplifier unit to form a parallel structure in the signal input, which together with the implementation of the low noise amplifier 50 ohm input impedance matching. The choke unit provides a DC path to the ground and chokes the input AC signal. The radio frequency input signal is transmitted to the load unit by inputting the main common gate amplifier unit, and the transconductance enhancement common grid amplifying unit is output. Finally, the amplified voltage differential signal is output.

【技术实现步骤摘要】
一种低电压低功耗高增益窄带低噪声放大器
本专利技术涉及射频接收机系统中的低噪声放大器，尤其是一种低电压低功耗高增益窄带低噪声放大器，采用CMOS工艺，在射频电路中具有较大优势，设计结构简单，在改善噪声性能与增益同时，将功耗大幅度降低，具有较高的增益与良好的输入匹配，且具有较小的噪声系数，适用于低成本、低电压、低功耗通信系统中。
技术介绍
低噪声放大器是射频接收链路中的第一级有源电路，其本身应具有较低的噪声系数并提供足够的增益来抑制后级电路的噪声。对于几乎所有的射频接收机系统，必不可少的一个模块就是低噪声放大器。由于系统接收到的射频信号幅度通常很小，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，并且提供一定的电压增益，以提高输出的信噪比。传统的共源结构放大器和共栅结构放大器广泛应用于低电压窄带低噪声放大器的设计中。其中源极电感负反馈共源低噪声放大器具有很低的噪声系数、适中的增益和线性度，是在硅衬底上实现窄带低噪声放大器的最常见的电路结构。传统的源极电感负反馈共源低噪声放大器电路如图1所示。信号由晶体管M1的栅极输入，通过调整M1的宽长比及栅极偏置电压，可以调整流经M1的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电压低功耗高增益窄带低噪声放大器，其特征在于：设有输入主共栅放大单元、扼流单元、跨导增强共栅放大单元和负载单元，差分射频输入信号Vin+和Vin‑分别连接输入主共栅放大单元的输入端和扼流单元的输出端，输入主共栅放大单元的输出端连接跨导增强共栅放大单元的输入端，跨导增强共栅放大单元的输出端连接负载单元，负载单元输出差分射频输出信号Vout+和Vout‑；其中：输入主共栅放大单元包括NMOS管M1、NMOS管M2、电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2，NMOS管M1的栅极连接电阻R1的一端和电容C1的一端，电阻R1的另一端连接偏置电压Vbias1，NMOS管M2的栅极连接电阻R2的一端和电...

【技术特征摘要】
1.一种低电压低功耗高增益窄带低噪声放大器，其特征在于：设有输入主共栅放大单元、扼流单元、跨导增强共栅放大单元和负载单元，差分射频输入信号Vin+和Vin-分别连接输入主共栅放大单元的输入端和扼流单元的输出端，输入主共栅放大单元的输出端连接跨导增强共栅放大单元的输入端，跨导增强共栅放大单元的输出端连接负载单元，负载单元输出差分射频输出信号Vout+和Vout-；其中：输入主共栅放大单元包括NMOS管M1、NMOS管M2、电阻R1、电阻R2、电容C1和电容C2，NMOS管M1的栅极连接电阻R1的一端和电容C1的一端，电阻R1的另一端连接偏置电压Vbias1，NMOS管M2的栅极连接电阻R2的一端和电容C2的一端，电阻R2的另一端连接偏置电压Vbias1，NMOS管M1的源极和NMOS管M2的源极分别连接差分射频输入信号Vin+和Vin-；扼流单元包括电感L1和电感L2，电感L1的一端连接输入主共栅放大单元中NMOS管M2的源极即差分射频输入信号Vin-，电感L2的一端连接输入主共栅放大单元中NMOS管M1的源极即差分射频输入信号Vin+，电感L1的另一端和电感L2另一端均...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智群，罗磊，王曾祺，程国枭，王欢，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32