一种半导体光放大器装置和操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是提供一种半导体光放大器(SOA)装置和操作SOA装置的方法。根据本发明专利技术的半导体光放大器(SOA)装置，包括：光检测装置，用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率；控制装置，用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极；半导体光放大器，具有上层半导体衬底和下层半导体衬底，所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层，并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上，所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。本发明专利技术具有以下优点：与一般的具有一个电极的SOA装置相比，根据本发明专利技术的方案能够提高SOA的线性增益且增加SOA的线性放大区间，从而在更大的接收功率范围内进行无误码的信号放大，进一步避免信号传输的失真。

Semiconductor optical amplifier device and operation method

It is an object of the present invention to provide a semiconductor optical amplifier (SOA) device and a method of operating an SOA device. According to the invention of semiconductor optical amplifier (SOA) device includes a light detecting device for measuring power input to the optical signal of a semiconductor optical amplifier; control device for power measurement of the optical detector based on the multi-channel current injected into each driving electrode; a semiconductor optical amplifier has an upper semiconductor substrate the middle and lower layer semiconductor substrate, the semiconductor substrate and the upper lower semiconductor substrate having a semiconductor waveguide layer, and a plurality of driving electrodes positioned on the upper surface of the semiconductor substrate, wherein a plurality of driving electrodes extending along the direction of light propagation in waveguide optical amplifiers. The invention has the following advantages: compared with the SOA device having an electrode in general, according to the scheme of the invention can improve SOA linear gain and increase SOA linear amplification range, and signal amplification without error at the receiving power greater scope, further avoiding distortion free signal transmission.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体光放大器装置和操作方法
本专利技术涉及计算机
，尤其涉及一种半导体光放大器(SOA)装置和操作方法。
技术介绍
在当今的无源光网络(PassiveOpticalNetwork，PON)及光纤入户网络(fiber-to-the-home，FTTH)中，光放大器将被广泛地应用以延长传输距离并扩大功率分光比。由于可调谐激光源的输出功率低和外部调制带来的插入损耗，需要在下行方向传输信号之前将进行信号放大。另一方面，由于长距离无源传输和高分光比，导致上行的接收信号功率可能非常低。在这样的情况下，需要进行信号预放大来实现在中心站(centraloffice，CO)的无误码接收。此外一些研究组织和网络运营商正在讨论并提议进一步延长光接入网的传输距离和扩展分光比，其传输距离将延至100公里，分光比高达1:256甚至1:1024。为了实现长距离光网络传输，系统损耗预算将大幅增加。在所有光放大器中，半导体光放大器(semiconductoropticalamplifier，SOA)将成为最有潜力的候选，从而增加同一CO业务的客户数量及传输距离，这是由于其偏振不敏感的增益特性，较低的成本，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体光放大器(SOA)装置，包括：光检测装置，用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率；控制装置，用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极；半导体光放大器，具有上层半导体衬底和下层半导体衬底，所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层，并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上，所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。

【技术特征摘要】
1.一种半导体光放大器(SOA)装置，包括：光检测装置，用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率；控制装置，用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极；半导体光放大器，具有上层半导体衬底和下层半导体衬底，所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层，并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上，所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。2.根据权利要求1所述的SOA装置，其中，所述半导体光放大器包括绝缘区域，所述绝缘区域位于所述上层半导体衬底的表面上，并且，所述绝缘区域的一部分位于所述多个驱动电极的相邻边缘之间。3.根据权利要求1或2所述的SOA装置，其中，在所述多个驱动电极的下面和各个驱动电极之间，所述光放大器波导层不具有横向于所述光传播方向的光接口。4.根据权利要求1至3中任一项所述的SOA装置，其中，所述光检测器包括光电二极管或光电晶体管，用于接收所述光信号的一部分。5.根据权利要求1至4...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙晓，高震森，
申请(专利权)人：上海贝尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31