一种用于IGBT串联的自适应均压电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于IGBT串联的自适应均压电路，所述自适应均压电路包括参考电压波形自动产生电路和多个IGBT驱动电流调节电路；参考电压波形自动产生电路分别通过高速通信接口与各IGBT驱动电流调节电路连接；各IGBT驱动电流调节电路与各IGBT的门极驱动电路连接；参考电压波形自动产生电路用于计算集射极参考电压；IGBT驱动电流调节电路用于比较各集射极电压与集射极参考电压，并依据比较结果调节各门极驱动电路的输出电流，使得各集射极电压与集射极参考电压相等。与现有技术相比，本实用新型专利技术提供的一种用于IGBT串联的自适应均压电路，无需提前设置集射极参考电压，具有较高的通用性使得其能够适应多种类型的电力电子设备。

An adaptive voltage sharing circuit for IGBT series connection

The utility model provides a method for IGBT series adaptive equalizer circuit, the adaptive equalizer circuit comprises a reference voltage generating circuit and a plurality of automatic IGBT drive current regulator circuit; the reference voltage waveform generating circuit automatic drive current regulator circuit connected through high-speed communication interface and the IGBT respectively; the IGBT drive current regulator circuit with the IGBT gate drive circuit is connected; the reference voltage waveform generating circuit for automatic calculation in emitter voltage reference; IGBT drive current regulating circuit for the collector emitter voltage and the Collector Emitter reference voltage, and according to a comparison result of adjusting the gate drive circuit of the output current, the collector emitter voltage and set the emitter reference voltage equal. Compared with the existing technology, a series of adaptive IGBT for the utility model provides a voltage equalizing circuit, no need to set the emitter voltage reference, have a high versatility makes it can adapt to various types of power electronic equipment.

【技术实现步骤摘要】
一种用于IGBT串联的自适应均压电路
本技术涉及电力电子器件控制
，具体涉及一种用于IGBT串联的自适应均压电路。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)因其具有较高的额定电压和额定电流、开关速度快、易于驱动等优点，目前已成为大功率电能变换应用中的最佳选择，得到了广泛的应用。但目前IGBT单管的电压、电流容量还非常有限，单个IGBT由于耐压的限制，在电能质量改善、柔性直流输电、高压变频器、静止同步补偿器等高压大功率电能变换场合还不能满足需求。将多个IGBT串联使用，可有效解决单个IGBT耐压等级低的缺陷，且成本较低，受到了广泛关注。ABB公司采用IGBT直接串联方式已经建成了多条柔性直流输电线路，并已成功运行多年，显示了良好的示范效应。IGBT开关频率较高，动态过程非常短暂，动态控制难度较高，在串联使用IGBT时由于IGBT器件内部和外部电路参数的分散性，如IGBT器件的漏电流，阈值电压，内部寄生电容，门极驱动电阻大小，驱动信号幅值等，导致串联的IGBT开通关断过程不同步，几百毫秒的时差就会造成各个IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于IGBT串联的自适应均压电路，其特征在于，所述自适应均压电路包括参考电压波形自动产生电路和多个IGBT驱动电流调节电路；所述参考电压波形自动产生电路分别通过高速通信接口与所述各IGBT驱动电流调节电路连接；所述各IGBT驱动电流调节电路与各IGBT的门极驱动电路连接；所述参考电压波形自动产生电路，用于依据所述各IGBT驱动电流调节电路采集到的各IGBT的集射极电压，计算集射极参考电压；其中：所述集射极电压为所述IGBT中集电极与发射极之间的电压；所述IGBT驱动电流调节电路，用于比较所述各集射极电压与所述集射极参考电压，并依据比较结果调节所述各门极驱动电路的输出电流，使得所述各集射极电...

【技术特征摘要】
1.一种用于IGBT串联的自适应均压电路，其特征在于，所述自适应均压电路包括参考电压波形自动产生电路和多个IGBT驱动电流调节电路；所述参考电压波形自动产生电路分别通过高速通信接口与所述各IGBT驱动电流调节电路连接；所述各IGBT驱动电流调节电路与各IGBT的门极驱动电路连接；所述参考电压波形自动产生电路，用于依据所述各IGBT驱动电流调节电路采集到的各IGBT的集射极电压，计算集射极参考电压；其中：所述集射极电压为所述IGBT中集电极与发射极之间的电压；所述IGBT驱动电流调节电路，用于比较所述各集射极电压与所述集射极参考电压，并依据比较结果调节所述各门极驱动电路的输出电流，使得所述各集射极电压与集射极参考电压相等。2.如权利要求1所述的一种用于IGBT串联的自适应均压电路，其特征在于，所述参考电压波形自动产生电路包括第一RAM存储器、第二RAM存储器、第三RAM存储器、第四RAM存储器、计数器、加法器和除法器；所述第一RAM存储器的一个输入端与所述计数器的一个输出端连接，另一个输入端与所述IGBT驱动电流调节电路连接；所述第一RAM存储器的输出端与所述加法器的一个输入端连接；所述第一RAM存储器用于接收各IGBT的集射极电压，并顺次将各集电极电压发送至所述加法器；所述加法器用于将所述各集电极电压顺次相加，得到集电极电压累加值；所述第二RAM存储器的一个输入端与所述加法器的输出端连接，另一个输入端与所述计数器的另一个输出端连接；所述第二RAM存储器的一个输出端与所述除法器的一个输入端连接，另一个输出端与所述加法器的另一个输入端连接；所述第二RAM存储器用于接收所述集电极电压累加值，并在所述计数器的计数次数达到预置值后将所述集电极电压累加值发送至所述除法器；所述第三RAM存储器分别与所述计数器的输入端和所述除法器的另一个输入端连接；所述第三RA...

【专利技术属性】
技术研发人员：任西周，黄杰，李卫国，蔡博，周哲，周舟，王光波，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，国家电网公司，
类型：新型
国别省市：北京,11