一种并联MOS管均流及短路保护电路制造技术

一种并联MOS管均流及短路保护电路，涉及电子电路的技术领域以电力电子领域；包括开关量监测电路、模拟量监测电路、快速监测电路、MOS管并联均流电路、驱动电路、主控电路、主控电路和主控电路；其中，开关量监测电路的一端与主控电路连接；开关量监测电路的另一端分别与主控电路和模拟量监测电路的一端连接；模拟量监测电路的另一端与快速监测电路连接；快速监测电路分别与主控电路和MOS管并联均流电路的一端连接；MOS管并联均流电路分别与驱动电路和外部母线电压连接；本发明专利技术实现了每个MOS管流过的电流和开关速度相等，能够迅速有效的检测到MOS当前运行状态；电路搭建简单可靠，占用PCB板的面积较小。

Current sharing and short circuit protection circuit for parallel MOS tube

A parallel flow MOS tube and short circuit protection to electronic circuit technical field to the field of power electronics; including switch circuit, analog circuit, monitoring monitoring rapid monitoring circuit, MOS tube parallel flow circuit, drive circuit, main control circuit, main control circuit and the main control circuit; wherein, one end of the switch the amount of the monitoring circuit and main control circuit; the other end switch monitoring circuit respectively with one end of the main control circuit and analog monitoring circuit connection; the other end of the circuit simulation monitoring connection and fast monitoring circuit; rapid monitoring circuit is not with the main control circuit and MOS tube parallel flow circuit; MOS tube parallel flow circuit is respectively connected with the drive circuit and the external voltage; the invention realizes each MOS tube current and switching speed equal to detect quickly and effectively to MO S current operating state, the circuit is simple and reliable, and the area of PCB board is smaller.

【技术实现步骤摘要】
一种并联MOS管均流及短路保护电路
本专利技术涉及一种电子电路的
以电力电子领域，特别是一种并联MOS管均流及短路保护电路。
技术介绍
MOS管是金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)。随着电子电力技术的发展，功率MOSFET以其高频性能好、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单等，得到了越来越广泛的应用。在低压大功率的许多应用场合，如电动三轮车、小型电动叉车等，为了满足电流的要求，无一例外的是采用MOS管并联的方法。但MOS管并联使用时，均流问题一直没有得到有效的解决，这样就可能因为电流不均使MOS管损坏；同时，在MOS管使用时，很少加入对MOS管的短路保护功能，即使加入了MOS管的保护电路，也会因为对保护状态的误判或者反应不及时对MOS管起不到的很大的作用，从而导致多个并联的MOS管直通、损坏，这样大大提高了研发的成本。目前技术在MOS管并联使用时，均流问题一直没有得到有效的解决，这样就可能因为电流不均使MOS管损坏；同时，在MOS管使用时，很少加入对MOS管的短路保护功能，即使加入了M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种并联MOS管均流及短路保护电路，其特征在于：包括开关量监测电路、模拟量监测电路、快速监测电路、MOS管并联均流电路、驱动电路和主控电路；其中，开关量监测电路的一端与主控电路连接；开关量监测电路的另一端分别与主控电路和模拟量监测电路的一端连接；模拟量监测电路的另一端与快速监测电路连接；快速监测电路分别与主控电路和MOS管并联均流电路的一端连接；MOS管并联均流电路分别与驱动电路和外部母线电压连接。

【技术特征摘要】
1.一种并联MOS管均流及短路保护电路，其特征在于：包括开关量监测电路、模拟量监测电路、快速监测电路、MOS管并联均流电路、驱动电路和主控电路；其中，开关量监测电路的一端与主控电路连接；开关量监测电路的另一端分别与主控电路和模拟量监测电路的一端连接；模拟量监测电路的另一端与快速监测电路连接；快速监测电路分别与主控电路和MOS管并联均流电路的一端连接；MOS管并联均流电路分别与驱动电路和外部母线电压连接。2.根据权利要求1所述的一种并联MOS管均流及短路保护电路，其特征在于：所述开关量监测电路包括比较器U1A、电阻R1、R15、R16和电容C1；其中，比较器U1A的负输入端分别与主控电路和模拟量监测电路连接；比较器U1A的正输入端分别与电阻R15和电阻R16的一端连接；电阻R16的另一端分别与比较器U1A的4号管脚和GND连接；电阻R15的另一端分别与比较器U1A的8号管脚和15V电源连接；比较器U1A的输出端分别与主控电路、电阻R1和电容C1连接；电阻R1的另一端与3.3V电源连接；电容C1的另一端接地。3.根据权利要求1所述的一种并联MOS管均流及短路保护电路，其特征在于：所述模拟量监测电路包括运算放大器U2A、电阻R6、电阻R7和电容C4；其中，运算放大器U2A的负输入端分别与运算放大器U2A的输出端、主控电路和开关量监测电路连接；运算放大器U2A的正输入端分别与电容C4、电阻R6和电阻R7的一端连接；电阻R7的另一端与快速监测电路连接；电容C4与电阻R6并联后与运算放大器U2A的4号管脚连接，并接地；运算放大器U2A的8号管脚与15V电源连接。4.根据权利要求1所述的一种并联MOS管均流及短路保护电路，其特征在于：所述快速监测电路包括光电耦合器件U3、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、稳压二极管Z1、稳压二极管Z2、二极管D1、二极管D2和三极管Q4；其中，光电耦合器件U3的OUT端分别与主控电路和电容C9的一端连接；光电耦合器件U3的GND端与电容C9的另一端连接，并接地；光电耦合器件U3的VCC端与5V电源连接；光电耦合器件U3的A端分别与电阻R12、电阻R13和电容C8连接；电阻R12的另一端与电源VCC连接；电阻R13的另一端分别与光电耦合器件U3的C端、电容C8的另一端和三极管Q4的集电极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏飞，陈靓，郑继贵，邓烨，黄玉平，
申请(专利权)人：北京精密机电控制设备研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11