一种类石墨氮化碳/硫化亚锡纳米异质结的合成方法技术

本发明专利技术涉及一种类石墨氮化碳/硫化亚锡(g‑C3N4/SnS)纳米异质结的合成方法，包括如下步骤：1)称取一定量的尿素放入刚玉坩埚中；2)将盛有尿素的刚玉坩埚放入马弗炉在一定温度下进行煅烧，获得g‑C3N4；3)称取一定量的SnCl2·2H2O溶于去离子水中，充分搅拌后加入一定量的g‑C3N4，继续搅拌；4)称取一定量的Na2S·9H2O溶于去离子水中，滴加至g‑C3N4和SnCl2的悬浊液中，经过搅拌充分反应；5)经过分离、洗涤和干燥后获得最终产物。本发明专利技术合成工艺简单，g‑C3N4纳米片上原位生长SnS纳米粒子，该g‑C3N4/SnS纳米异质结具有介孔结构特征，有较大的比表面积(80‑90m

Synthesis method of a kind of graphite carbon nitride / tin sulfide nano heterojunction

The invention relates to a graphite carbon nitride / tin sulfide (g C3N4/SnS) synthesis method for nano heterostructures, which comprises the following steps: 1) weigh a certain amount of urea into a corundum crucible; 2) containing corundum crucible urea is calcined at a certain temperature in a muffle furnace, G C3N4 3); weigh a certain amount of SnCl2 and 2H2O dissolved in deionized water, stirring after adding a certain amount of G C3N4, continue stirring; 4) weighed Na2S 9H2O dissolved in deionized water, adding C3N4 and SnCl2 to G suspension, after full mixing reaction; 5) after separation, washing and drying to obtain the final product. The invention has simple technique, G C3N4 nanosheets in situ growth of SnS nanoparticles, the G C3N4/SnS nano heterojunction with mesoporous structure, high specific surface area (80 90m

【技术实现步骤摘要】
一种类石墨氮化碳/硫化亚锡纳米异质结的合成方法
本专利技术涉及一种氧化物半导体纳米粉体的化学合成方法，具体涉及一种类石墨氮化碳/硫化亚锡(g-C3N4/SnS)纳米异质结的合成方法及产品。
技术介绍
石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种有机聚合物纳米半导体，不含有金属成分，具有类似石墨烯的片状结构。以优异的化学稳定性、半导体性能、热稳定性、高比表面积、合适的能级结构，使其在光解水制氢气、催化有机反应及光催化降解有机物等领域有广泛应用，引起了许多科研工作者的重视。然而，纯相g-C3N4带隙宽，可见光利用效率低，光生电子-空穴对复合速率快。因此为了拓宽g-C3N4光吸收光谱范围，本专利技术采用与其他半导体复合的方式对g-C3N4进行改性。构建半导体异质结能够促进光生电子空穴对的转移，有效降低光生电子和空穴的复合几率，提高了光生载流子的分离效率，增大其量子效率，从而提高光催化性能。半导体异质结的特点是可以通过调节组分含量来控制其禁带宽度，也可以使宽带隙半导体和窄带隙半导体复合来拓宽光谱响应范围，可以提高太阳能利用率。本专利技术选取带隙宽度不同的SnS与g-C3N4体系，SnS带隙值较小，在可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种g‑C3N4/SnS纳米异质结的合成方法，其特征在于包括如下步骤：(1)称取一定量的尿素，将其置于玛瑙研钵中研磨后转移至刚玉坩埚中；(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放入马弗炉中煅烧，然后冷却至室温，取出，收集产物g‑C3N4；(3)将SnCl2·2H2O溶于去离子水中，充分搅拌后获得均匀的SnCl2溶液，所得溶液中Sn

【技术特征摘要】
1.一种g-C3N4/SnS纳米异质结的合成方法，其特征在于包括如下步骤：(1)称取一定量的尿素，将其置于玛瑙研钵中研磨后转移至刚玉坩埚中；(2)将步骤(1)中的刚玉坩埚加盖后放入马弗炉中煅烧，然后冷却至室温，取出，收集产物g-C3N4；(3)将SnCl2·2H2O溶于去离子水中，充分搅拌后获得均匀的SnCl2溶液，所得溶液中Sn2+的浓度为0.2mol/L，在SnCl2溶液中加入步骤(2)制备出的g-C3N4纳米粉，充分搅拌混合均匀，记为悬浊液A；(4)将Na2S·9H2O溶于水中，使所得溶液中S2-的浓度为0.2mol/L，然后将Na2S溶液以0.5ml/min滴加速率加入步骤(3)制备的悬浊液A中，滴加结束后搅拌2h使其反应充分；其中，Na2S溶液的滴加体积等于悬浊液A中SnCl2溶液的体积；(5)将步骤(4)的产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，离心分离后取固体沉淀物，对得到的固体沉淀物进行清洗，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在50-70℃温度下干燥10-12h，获得g-C3N4/SnS纳米异...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾铁昆，余东升，付芳，李婷婷，李继利，曹建亮，徐倩楠，王孝辉，
申请(专利权)人：洛阳理工学院，
类型：发明
国别省市：河南,41