可植入医用器件的表面处理方法技术
Surface treatment method for implantable medical device
A layer of implantable medical device surface treatment method for surface dielectric insulation, the method including the dielectric insulation layer is applied on the ion, the ion can form a static charge and to the surface when applying a liquid can locally produced with the implantable medical devices at least in part the surface of the associated electric field.
【技术实现步骤摘要】
可植入医用器件的表面处理方法本申请是申请日为2010年2月19日、申请号为201080016140.8、专利技术名称“可植入医用器件的表面处理方法”的专利申请的分案申请。专利
本专利技术涉及可植入医用器件的表面处理方法以及用该方法处理的医用器件的领域。
技术介绍
在许多类型的可植入医用器件(例如整形外科植入物、椎弓根螺钉、牙齿植入物、脊椎植入物和传感器)中，为了负荷和应力传递，需要在器件表面和周围组织(最常见为骨)之间具有强相互作用。这样的器件用于稳定骨折、强化脆弱的骨和锚定假体。这种器件(在下文中提及时称为“植入物”)的表面在被骨环绕时已显示骨融合(osseointegrate)。在植入物就位之后因新骨形成或者因与植入物表面直接接触的已有骨的重塑而发生骨融合(在植入物和周围的活骨之间形成结构连接)。可以在植入物表面上直接形成骨，或者可存在非常薄的插入蛋白层。在许多研究中已经证实了这种骨融合，包括组织学、X-光成像学以及拔出(pullout)、移除扭矩、共振频率分析和其它机械测试。植入物通常为纯金属、合金或陶瓷器件。钛、氧化锆、铪、钽、不锈钢和钴铬是常用材料。应理...
【技术保护点】
一种包含表面介电绝缘层的可植入医用器件的表面处理方法，所述方法包括向所述介电绝缘层上施加离子，所述离子能够形成静电荷并且在向所述表面施加液体时局部产生与所述可植入医用器件的至少部分表面相关联的电场。
【技术特征摘要】
2009.02.19 GB 0902705.31.一种包含表面介电绝缘层的可植入医用器件的表面处理方法，所述方法包括向所述介电绝缘层上施加离子，所述离子能够形成静电荷并且在向所述表面施加液体时局部产生与所述可植入医用器件的至少部分表面相关联的电场。2.如权利要求1所述的表面处理方法，其中所述电场用于将特定生物分子吸引到所述介电绝缘层，例如通过电泳，优选其中所述生物分子选自肽、多肽、蛋白质、寡核苷酸、核酸、RNA、反义核酸、小干扰RNA、核酶、基因、碳水化合物、血管生成因子、细胞周期抑制剂和抗再狭窄剂。3.如权利要求1或权利要求2所述的表面处理方法，其中所述液体是电解质溶液。4.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中将所述离子施加到所述介电绝缘层的部分而不是全部上。5.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述施加的离子能够改变所述可植入医用器件的至少部分表面的可湿性。6.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，还包括在将所述离子施加到其上的所述介电绝缘层上产生电极图案和/或形貌特征。7.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述静电荷不足以引发电泳。8.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述介电绝缘层设置在所述植入物的表面上，隔开所述植入物的金属部件和导电性流体。9.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述介电绝缘层包括金属氧化物层，例如二氧化钛层。10.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述介电绝缘层的厚度在1nm～100μm的范围内。11.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中所述介电绝缘层包括疏水涂层，例如玻璃、陶瓷或无定形含氟聚合物涂层。12.如前述权利要求中任一项所述的表面处理方法，其中通过以下方式将所述离子的水溶液施加到所述介电绝缘层：喷洒、浸泡或将所述植入物部分浸入所述水溶液中。13.如权利要求12所述的表面处理方法，其中所述水溶液包括挥发性有机化合物。14.如权利要求12或权利要求13所述的表面处理方法，其中所述水溶液是生理等渗的盐溶液，优选浓度为0.1～2.0％。15.如权利要求1～11中任一...
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