分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块技术

本发明专利技术实公开了一种分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块，具体的，在一个激光芯片中设计两个或两个以上的宽度不同的有源区，并且各有源区上的光栅通过解离形成的光栅端面相位相同。由于激光器的有效折射率Neff由有源区材料、宽度、厚度等因素决定，因此芯片中的其它因素相同的前提下，上述有源区宽度不同的芯片单元对应的有效折射率Neff也不同。同时，DFB激光器输出波长受Neff影响，所以激光芯片中有源区宽度的变化，最终引起各有源区输出波长的变化。进一步的，波长不同的两个激光器，在相同的光栅端面相位下，边摸抑制比也不同，因此，可以从一个芯片的各有源区对应的芯片单元中挑选出边摸抑制比性能更优越的单元进行封装，提高芯片良率。

【技术实现步骤摘要】
分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块
本专利技术涉及光通信
，尤其涉及一种分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块。
技术介绍
光收发一体模块，简称光模块，是光纤通信中的一种标准模块。一个标准光模块通常包括光发射器、光接收器、微处理器和激光驱动器等器件。其中，激光器是光发射器中的关键部件。由于光纤传输具有低损耗、低色散的需求，因此波长为1.3～1.5微米的磷化铟基半导体激光器成为应用于光模块中的主流产品。其中，分布反馈激光器(DistributedFeedbackBrag，DFB)因为单纵模特性好、传输距离更远的优势，其应用更为广泛。在1972年贝尔实验室提出分布反馈光栅的概念时，把DBF激光器中的光栅分为两种类型，即增益耦合型光栅和折射率型耦合光栅。由于增益耦合性光栅需要直接刻蚀有源区，会引入各种缺陷影响器件的可靠性和稳定性，因此，目前多在激光器中设计折射率型耦合光栅。在具有折射率型耦合光栅的DBF激光器中，为了提升光栅性能，通常会设计各种复杂光栅结构，如多相移光栅、周期性调制光栅等，而上述复杂光栅制作工艺繁琐、制作成本高，不适于大规模生产，因此，当前大多仍采用均匀光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分布反馈半导体激光芯片，其特征在于，包括：基板；设于所述基板上的第一有源区和第二有源区，其中，所述第一有源区和第二有源区的宽度不相同；以及，设于所述第一有源区上的第一光栅，所述第一有源区发出的光在所述第一光栅处发生布拉格反射；设于所述第二有源区上的第二光栅，所述第二有源区发出的光在所述第二光栅处发生布拉格反射；所述第一光栅和所述第二光栅通过解离所形成的光栅端面相位相同。

【技术特征摘要】
1.一种分布反馈半导体激光芯片，其特征在于，包括：基板；设于所述基板上的第一有源区和第二有源区，其中，所述第一有源区和第二有源区的宽度不相同；以及，设于所述第一有源区上的第一光栅，所述第一有源区发出的光在所述第一光栅处发生布拉格反射；设于所述第二有源区上的第二光栅，所述第二有源区发出的光在所述第二光栅处发生布拉格反射；所述第一光栅和所述第二光栅通过解离所形成的光栅端面相位相同。2.根据权利要求1所述的分布反馈半导体激光芯片，其特征在于，所述第一有源区和第二有源区的宽度差值，根据所述第一有源区和第二有源区所发出波长差值大于或等于1nm的要求设定。3.根据权利要求1所述的分布反馈半导体激光芯片，其特征在于，所述分布反馈半导体激光芯片包括掩埋波导半导体激光芯片，所述第一有源区和第二有源区的宽度差值为0.2～0.5μm。4.根据权利要求1所述的分布反馈半导体激光芯片，其特征在于，所述第一有源区和第二有源区宽度的上限值根据所述芯片工作在基横模的要求设定、宽度的下限值根据所述芯片的斜率效率满足预设效率值设定。5.根据权利要求1所述的分布反馈半导体激光芯片，其特征在于，所述基板上还设有隔离沟槽，其中：所述隔离槽位于所述第一有源区和第二有源区之间，且所述隔离沟槽从所述芯片的表面向下延伸至所述基板中。6.根据权利要求1所述的分布反馈半导体激光芯片，其特征在于，所述芯片还包括：分别设于所述第一光栅和第二光栅上方的第一金属焊盘和第二金属焊盘，其中：所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：方瑞禹，徐晓颖，
申请(专利权)人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37