显示装置及其驱动方法制造方法及图纸

显示装置的各个像素分别具有电流源电路、开关部和发光元件。在电源基准线和电源线间串联连接发光元件、电流源电路和开关部。通过使用数字图像信号，而切换开关部的接通断开。另外，由从像素外部输入的控制信号确定在电流源电路中流过的一定电流的大小。在开关部为开状态的情况下，在发光元件中流过由电流源电路确定的一定电流而发光。结果，提供一种显示装置及其驱动方法，可以以一定亮度使发光元件发光，而与由劣化等造成的电流特性的变化无关，且将信号写入到各像素的写入速度提高，也可表现正确的灰度等级，低成本、可以小型化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其驱动方法本专利技术申请是本专利技术申请人于2002年9月12日提交的、申请号为201110245340.7、专利技术名称为“显示装置及其驱动方法”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及显示装置及其驱动方法。尤其有关对每个像素设置晶体管，来控制像素发光的有源矩阵型显示装置及其驱动方法。
技术介绍
已经公开了对每个像素配置发光元件和控制发光元件发光的晶体管的有源矩阵型显示装置。所谓发光元件，是指具有第一电极和第二电极，并通过在第一电极和第二电极间流过的电流量控制亮度的元件。瞩目于使用OLED（OrganicEmittingDiode）元件作为发光元件的显示装置（下面，记为OLED显示装置）。由于OLED显示装置具有响应性好，能在低电压下操作，并且视野角度宽等优点，所以作为下一代平板显示器备受关注。在有源矩阵型OLED显示装置中，存在由电压信号向各像素写入亮度信息的方法和由电流信号写入的方法。将前一方法称为电压写入型，将后一方法称为电流写入型模拟方式。下面，举例说明这些驱动方法。图30表示现有的电压写入型OLED显示装置的像素的构成例。在图30中，分别对各像素配置两个TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：发光元件；电容；第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；以及第四晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极电连接到所述电容的一个电极，其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述电容的另一个电极，其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述发光元件，其中，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述栅极，其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第一线，其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，以及其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述源极和所...

【技术特征摘要】
2001.09.21 JP 2001-2899831.一种显示装置，包括：发光元件；电容；第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；以及第四晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极电连接到所述电容的一个电极，其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述电容的另一个电极，其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述发光元件，其中，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述栅极，其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第一线，其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，以及其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述另一个。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一晶体管为n沟道晶体管。3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括第五晶体管和第六晶体管，其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个，通过所述第五晶体管的沟道形成区域电连接到所述发光元件，其中，所述第六晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第五晶体管的栅极，以及其中，所述第六晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二线。4.一种显示装置，包括：发光元件；电容；第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；以及第四晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极电连接到所述电容的一个电极，其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述电容的另一个电极，其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一个电连接到所述发光元件，其中，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述栅极，其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第一线，其中，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个，其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接到所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述另一个，以及其中，所述第三晶体管的栅极电连接到所述第四晶体管的栅极。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一晶体管为n沟道晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村肇，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP