3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法技术

一种半导体封装件，包括第一半导体器件、垂直设置在第一半导体器件上方的第二半导体器件，以及接地屏蔽传输路径。接地屏蔽传输路径将第一半导体器件连接至第二半导体器件。接地屏蔽传输路径包括第一信号路径，其在第一端和第二端之间纵向延伸。第一信号路径包含导电材料。第一绝缘层设置在所述信号路径上方，并纵向位于所述第一端和所述第二端之间。第一绝缘层包含电绝缘材料。接地屏蔽层设置在所述绝缘材料上方，并纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间。所述接地屏蔽层包含连接至地面的导电材料。接地屏蔽层将其中接收的辐射信号导入地面，以防止第一信号路径中的感应噪音。本发明专利技术实施例涉及3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法。

【技术实现步骤摘要】
3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法
本专利技术实施例涉及3D集成电路的同轴通孔和新式高隔离交叉耦合方法。
技术介绍
集成电路(“IC”)包含在许多电子器件内。IC封装可允许多个IC垂直堆叠在“三维(3D)”封装件内，以便节省印刷电路板(PCB)上的水平区域。另一种称为2.5D封装的封装技术可使用由诸如硅的半导体材料形成的中介层，以便将一个或多个半导体管芯连接到PCB。多个IC或其他可为异构技术的半导体管芯可安装在中介层上。一个或多个半导体管芯上的很多器件可导致电噪音和/或通过EM发射产生电磁(“EM”)干扰。例如，RF器件和感应器就是可产生电噪音和EM干扰的器件的实例。诸如RF器件的噪音源可在金属引线等导电结构所承载的信号中产生电噪音。导线中的电噪音可影响封装中的各种其他信号和器件。有噪声的电信号会在半导体封装件中造成严重的问题。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种半导体封装件，包括：第一半导体器件；第二半导体器件，垂直设置在所述第一半导体器件上方；以及接地屏蔽传输路径，将所述第一半导体器件连接至所述第二半导体器件，所述接地屏蔽传输路径包括：至少一个信号路径本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：第一半导体器件；第二半导体器件，垂直设置在所述第一半导体器件上方；以及接地屏蔽传输路径，将所述第一半导体器件连接至所述第二半导体器件，所述接地屏蔽传输路径包括：至少一个信号路径，在第一端和第二端之间纵向延伸，所述至少一个信号路径包含导电材料，其中，所述第一端电连接至所述第一半导体器件，并且所述第二端电连接至所述第二半导体器件；第一绝缘层，设置在所述信号路径上方，纵向位于所述第一端和所述第二端之间，其中，所述第一绝缘层包含电绝缘材料；和接地屏蔽层，设置在所述绝缘材料上方，纵向位于所述信号路径的所述第一端和所述第二端之间，其中，所述接地屏蔽层包含连接至地面的导电材料。

【技术特征摘要】
2016.03.22 US 15/076,9761.一种半导体封装件，包括：第一半导体器件；第二半导体器件，垂直设置在所述第一半导体器件上方；以及接地屏蔽传输路径，将所述第一半导体器件连接至所述第二半导体器件，所述接地屏蔽传输路径包括：至少一个信号路径，在第一端和第二端之间纵向延伸，所述至少一个信...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丰维，廖文翔，周淳朴，陈焕能，卓联洲，沈武，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71