等离子体处理方法技术
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理方法
本专利技术的实施方式涉及在被加工物的加工所使用的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体器件等电子器件的制造中，使用等离子体处理装置对被加工物进行等离子体处理。等离子体处理装置通常包括处理容器、气体供给系统、第一电极、第二电极、第一高频电源和第二高频电源。气体供给系统以向处理容器内供给处理气体的方式构成。第一电极和第二电极以处理容器内的空间介于它们之间的方式设置。第一高频电源产生第一高频，向第一电极和第二电极中的一个电极供给该第一高频。第二高频电源产生频率较低的第二高频，向第二电极供给该第二高频。在这样的等离子体处理装置中执行的等离子体处理中，通常处理气体从气体供给系统被供给到处理容器内，来自第一高频电源的第一高频被供给到一个电极。由此，在处理容器内生成处理气体的等离子体。另外，根据需要，来自第二高频电源的第二高频被供给到第二电极。在等离子体处理中，例如专利文献1记载的那样有时交替执行生成相互不同的处理气体的等离子体的两个阶段。在这种等离子体处理中，从先实施的阶段转移至后续阶段时，气体供给系统所输出的处理气体被切换。并且第二...
【技术保护点】
一种等离子体处理方法，其在等离子体处理装置中执行，所述等离子体处理方法的特征在于：所述等离子体处理装置包括：处理容器；向所述处理容器内供给气体的气体供给系统；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极以所述处理容器内的空间介于它们之间的方式设置；输出第一高频的第一高频电源；输出具有比第一高频的频率低的频率的第二高频的第二高频电源；将所述第一高频电源与所述第一电极和所述第二电极中的一个电极连接的第一供电线路；将所述第二高频电源与所述第二电极连接的第二供电线路；用于调整所述第一高频电源的负载阻抗的第一匹配器；用于调整所述第二高频电源的负载阻抗的第二匹配器；求取第一参数的第一运算部...
【技术特征摘要】
2016.03.22 JP 2016-0569431.一种等离子体处理方法，其在等离子体处理装置中执行，所述等离子体处理方法的特征在于：所述等离子体处理装置包括：处理容器；向所述处理容器内供给气体的气体供给系统；第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极以所述处理容器内的空间介于它们之间的方式设置；输出第一高频的第一高频电源；输出具有比第一高频的频率低的频率的第二高频的第二高频电源；将所述第一高频电源与所述第一电极和所述第二电极中的一个电极连接的第一供电线路；将所述第二高频电源与所述第二电极连接的第二供电线路；用于调整所述第一高频电源的负载阻抗的第一匹配器；用于调整所述第二高频电源的负载阻抗的第二匹配器；求取第一参数的第一运算部，所述第一参数包括所述第一高频电源的负载阻抗、负载电阻和负载电抗、以及所述第一高频的反射波系数中的任一者；和求取第二参数的第二运算部，所述第二参数包括所述第二高频电源的负载阻抗、负载电阻和负载电抗、以及所述第二高频的反射波系数中的任一者，在该等离子体处理方法中依次执行多个循环，该多个循环各自包括依次执行的多个阶段，该多个阶段是在所述处理容器内生成相互不同的处理气体的等离子体的多个阶段，该等离子体处理方法包括：在从所述多个阶段中的第一先实施的阶段转移至第一后续阶段时，切换所述气体供给系统所输出的处理气体的工序，在该第一先实施的阶段中，向所述一个电极供给所述第一高频；在从所述第一先实施的阶段转移至所述第一后续阶段时所述气体供给系统所输出的处理气体被切换后，在所述第一参数超出了第一阈值的第一时刻，使第二高频的功率增大的工序，从所述第一先实施的阶段起至少至所述第一时刻为止持续地向所述一个电极供给所述第一高频；在从所述多个阶段中的第二先实施的阶段转移至第二后续阶段时，切换所述气体供给系统所输出的处理气体的工序，在该第二先实施的阶段中，向所述第二电极供给所述第二高频；和在从所述第二先实施的阶段转移至所述第二后续阶段时所述气体供给系统所输出的处理气体被切换后，在所述第二参数超出了第二阈值的第二时刻，使第一高频的功率增大的工序，在从所述第二先实施的阶...
【专利技术属性】
技术研发人员：永海幸一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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