功率驱动电路制造技术

技术编号:16327981 阅读:155 留言:0更新日期:2017-09-29 19:30
本实用新型专利技术提供一种功率驱动电路,包括结构相同的上桥臂电路及下桥臂电路,上桥臂电路及下桥臂电路串行连接,且连接的中点为功率驱动电路的信号输出端,上桥臂电路和下桥臂电路均包括一PWM输入端及并联连接的多个MOS管,PWM输入端包括正、负极,每个MOS管的栅极与对应的PWM输入端的正极连接,每个MOS管的源极与对应的PWM输入端的负极连接,上桥臂电路上的每个MOS管的漏极通过一连接电路与下桥臂电路上的PWM输入端的负极连接,下桥臂电路上的每个MOS管的漏极与上桥臂电路上的PWM输入端的负极连接。本实用新型专利技术中的功率驱动电路,由于MOS管具有成本低、开关速度快、易并联、所需驱动功率低等优点,进而降低了功率驱动电路的整体成本。

Power drive circuit

The utility model provides a power drive circuit, including the circuit structure of the same bridge arm and the lower bridge arm circuit, bridge arm circuit and bridge arm circuit serial connection, and the connection of the midpoint for power drive signal output end of circuit, bridge arm circuit and bridge arm circuit comprises a PWM input a MOS end and the parallel pipe connected with the input end of the PWM including positive and negative, positive gate of each MOS tube with the corresponding input end of the PWM connection, each MOS tube connected with the negative pole source corresponding to the PWM input terminal of the bridge arm circuit on each MOS tube drain through a negative connection the circuit and bridge arm circuit on the input end of the PWM connection, under the bridge arm circuit on each MOS transistor and a negative pole arm circuit on the input end of the PWM connection. The power driving circuit of the utility model has the advantages of low cost, fast switching speed, easy parallel connection, low required drive power, etc., thereby reducing the overall cost of the power driving circuit of the MOS.

【技术实现步骤摘要】
功率驱动电路
本技术涉及电机
,特别涉及一种功率驱动电路。
技术介绍
随着磁性材料、电力电子器件和数字处理器技术的不断进步,电机也得到了迅猛发展,电机是国民生产和人们日常生活中的重要动力来源,有着举足轻重的地位,电机通常都需要设置驱动电路,以完成电机的启动。现有技术当中,目前使用的电机驱动电路,通常采用绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,简称IGBT)或智能功率模块(IntelligentPowerModule,简称IPM)来作为功率器件,如电动汽车的电机驱动系统,而IGBT和IPM的成本非常高,无形中会增大电机的设计成本,同时IGBT和IPM所需要的额定电压和额定电流值都非常高,从而使得IGBT和IPM所需要的驱动功率非常高,导致整个驱动电路的电能损坏非常高,不符合节能的设计理念。
技术实现思路
基于此,本技术的目的是提供一种成本低的功率驱动电路。一种功率驱动电路,包括结构相同的上桥臂电路及下桥臂电路,所述上桥臂电路及所述下桥臂电路串行连接,且连接的中点为所述功率驱动电路的信号输出端,所述上桥臂电路和所述下桥臂电路均包括一PWM输入端及并本文档来自技高网...
功率驱动电路

【技术保护点】
一种功率驱动电路,包括结构相同的上桥臂电路及下桥臂电路,其特征在于:所述上桥臂电路及所述下桥臂电路串行连接,且连接的中点为所述功率驱动电路的信号输出端,所述上桥臂电路和所述下桥臂电路均包括一PWM输入端及并联连接的多个MOS管,所述PWM输入端包括正、负极;每个所述MOS管的栅极与对应的所述PWM输入端的正极电性连接,每个所述MOS管的源极与对应的所述PWM输入端的负极电性连接,所述上桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极通过一连接电路与所述下桥臂电路上的所述PWM输入端的负极电性连接,所述下桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极与所述上桥臂电路上的所述PWM输入端的负极电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种功率驱动电路,包括结构相同的上桥臂电路及下桥臂电路,其特征在于:所述上桥臂电路及所述下桥臂电路串行连接,且连接的中点为所述功率驱动电路的信号输出端,所述上桥臂电路和所述下桥臂电路均包括一PWM输入端及并联连接的多个MOS管,所述PWM输入端包括正、负极;每个所述MOS管的栅极与对应的所述PWM输入端的正极电性连接,每个所述MOS管的源极与对应的所述PWM输入端的负极电性连接,所述上桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极通过一连接电路与所述下桥臂电路上的所述PWM输入端的负极电性连接,所述下桥臂电路上的每个所述MOS管的漏极与所述上桥臂电路上的所述PWM输入端的负极电性连接。2.根据权利要求1所述的功率驱动电路,其特征在于,每个所述MOS管的栅极通过一限流电阻与对应的所述PWM输入端的正极电性连接。3.根据权利要求2所述的功率驱动电路,其特征在于,所述限流电阻的取值范围为5Ω~70Ω。4.根据权利要求2所述的功率驱动电路,其特征在于,所述上桥臂电路和所述下桥臂电路还分别包括至少一个滤波电容,每个所述滤波电容对应与一个所述限流电阻并联连接,且连接在对应的所述PWM输入端的正、负极之间,以构成一RC滤波电路。5.根据权利要求1所述的功率驱动电路,其特征在于,所述上桥臂电路和所述下桥臂电路上的所述MOS管的数量取值范围为7至12个。6.根据权利要求1所述的功率驱动电路,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈祖英甘海轩
申请(专利权)人:江西江铃集团新能源汽车有限公司
类型:新型
国别省市:江西,36

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