包括MuGFET的压控振荡器制造技术

描述了压控振荡(100)。在用于压控振荡的设备中，电感器(120)具有抽头以及具有或被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)。粗粒度电容器阵列(130)被耦接到所述正端输出节点(105)和所述负端输出节点(106)，并且被耦接以分别接收选择信号(168)。变容二极管(140)被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)并且被耦接以接收控制电压(143)。变容二极管(140)包括MuGFET(141，142)。跨导单元(150)被耦接到正端输出节点(105)和负端输出节点(106)，并且跨导单元(150)具有公共节点(107)。频率缩放的电阻网络(160)被耦接到公共节点(107)，并且被耦接以接收用于第二电流的路径的电阻值的选择信号(168)。

Voltage controlled oscillator including MuGFET

A voltage controlled oscillation (100) is described. In an apparatus for a voltage controlled oscillation, an inductor (120) has a tap and has or is coupled to a positive end output node (105) and a negative end output node (106). A coarse-grained capacitor array (130) is coupled to the positive end output node (105) and the negative end output node (106) and is coupled to receive a selection signal (168) respectively. A variable capacitance diode (140) is coupled to the positive end output node (105) and the negative end output node (106) and is coupled to receive control voltage (143). A varactor diode (140) includes an MuGFET (141142). The transconductance unit (150) is coupled to the positive end output node (105) and the negative end output node (106), and the transconductance unit (150) has a common node (107). A frequency scaling resistor network (160) is coupled to the common node (107) and is coupled to select a signal (168) to receive a resistance value for a path of the second current.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括MuGFET的压控振荡器
以下的说明涉及集成电路器件(“IC”)。更具体地，以下的说明涉及用于IC的包括MuGFET的压控振荡器。
技术介绍
集成电路随着时间推移已变得越来越“密集”，即，在给定尺寸的IC中实施了更多的逻辑结构。密度的这种增加导致了诸如多栅极场效应晶体管(“MuGFET”)那样的多栅极器件的开发。MuGFET的一种形式是多独立栅极场效应晶体管(“MIGFET”)。MuGFET的形式可以是平面的或非平面的。例如，平面双栅极晶体管和Flexfet是平面形式的MuGFET，而FinFET以及三栅极或3D晶体管是非平面形式的MuGFET。为了清楚起见，作为例子而不是限制，以下的说明是依据FinFET，其中FinFET通常是指任何基于鳍(Fin)的、多栅极晶体管结构体系，而不管栅极的数目，只要其具有至少两个栅极。FinFET在电感-电容(“LC”)压控振荡器(“VCO”)中的使用提出了实现宽调谐范围的挑战。通常，这可以是因为可靠性和栅极功函数问题。沿着这一思路，由于该变容二极管的FinFET工艺功函数，变容二极管(例如NMOS变容二极管等)的电容-电压(“CV”)曲线可能向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压控振荡器，其特征在于，所述压控振荡器包括：电感器，其具有抽头，并且具有或被耦接到正端输出节点和负端输出节点，其中所述抽头被耦接以接收第一电流；粗粒度电容器阵列，其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点，并且被耦接以分别接收选择信号；变容二极管，其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点，并且被耦接以接收控制电压；其中所述变容二极管包括第一MuGFET；跨导单元，其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点，并且具有公共节点；以及频率缩放的电阻网络，其被耦接到所述公共节点，并且被耦接以接收用于第二电流的路径的电阻值的所述选择信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.16 US 14/571,8051.一种压控振荡器，其特征在于，所述压控振荡器包括：电感器，其具有抽头，并且具有或被耦接到正端输出节点和负端输出节点，其中所述抽头被耦接以接收第一电流；粗粒度电容器阵列，其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点，并且被耦接以分别接收选择信号；变容二极管，其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点，并且被耦接以接收控制电压；其中所述变容二极管包括第一MuGFET；跨导单元，其被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点，并且具有公共节点；以及频率缩放的电阻网络，其被耦接到所述公共节点，并且被耦接以接收用于第二电流的路径的电阻值的所述选择信号。2.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述频率缩放的电阻网络包括：电阻，各所述电阻分别具有第一端和第二端，其中所述第一端被耦接到所述公共节点；选择晶体管，其具有栅极节点、漏极节点和源极节点；其中所述漏极节点分别被耦接到所述电阻的第二端；其中所述源极节点分别彼此共同耦接；以及其中所述选择晶体管的栅极节点分别被耦接以接收所述选择信号。3.根据权利要求2所述的压控振荡器，其特征在于：用于所述第二电流的路径的电阻值能够根据所述压控振荡器的频率范围中的频率而缩放；所述选择晶体管包括第二MuGFET；以及所述第二电流是用于所述压控振荡器的偏置电流。4.根据权利要求1-3中任一项所述的压控振荡器，其特征在于：所述粗粒度电容器阵列的单元互相间隔开，并被耦接到所述正端输出节点和所述负端输出节点；所述单元逐步间隔远离所述电感器的线圈；以及所述单元被耦接以分别接收所述选择信号。5.根据权利要求4所述的压控振荡器，其特征在于：所述单元参照所述选择信号从最低位到最高位被耦接；以及所述最低位离所述线圈最近。6.根据权利要求4所述的压控振荡器，其特征在于，每个所述单元包括：第一电容器和第二电容器；以及第一晶体管，其具有被耦接以接收所述选择信号中的一个选择信号的第一栅极、被耦接到所述第一电容器的第一近端导体的第一源漏节点和被耦接到所述第二电容器的第二近端导体的第二源漏节点。7.根据权利要求6所述的压控振荡器，其特征在于，每个所述单元包括：第二晶体管和第三晶体管，其分别具有第二栅极和第三栅极，所述第二栅极和第三栅极被共同耦接以接收所述选择信号中的一个选择信号；所述第二晶体管的第一漏极节点，其被耦接到所述第一晶体管的第一源...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·M·贝克勒，P·乌帕德亚雅，
申请(专利权)人：赛灵思公司，
类型：发明
国别省市：美国,US