电感耦合式传输晶体管正交电压控制振荡器制造技术

本发明专利技术涉及一种用于提供振荡输出信号的正交电压控制振荡器QVCO(160)。所述QVCO包含用于产生第一输出信号(I+)及第二输出信号(I‑)的第一振荡电路(170)，那些信号是第一组反相信号。所述QVCO还包含用于产生第三输出信号(Q+)及第四输出信号(Q‑)的第二振荡电路(200)，那些信号是第二组反相信号。所述第一振荡电路还具有用于将不具有DC偏置的所述第二组反相信号注入到所述第一输出信号及所述第二输出信号中的注入电路(192、194、178、184)，且所述第二振荡电路还具有用于将不具有DC偏置的所述第一组反相信号注入到所述第三输出信号及所述第四输出信号中的注入电路(222、224、208、214)。

【技术实现步骤摘要】
电感耦合式传输晶体管正交电压控制振荡器相关申请案交叉参考不适用。关于联邦政府赞助的研究或研发的声明不适用。

技术介绍
优选实施例涉及电压控制振荡器(VCO)技术，且更特定来说，涉及一种正交VCO(QVCO)。VCO是输出具有由施加到VCO的偏置电压的电平控制的频率的振荡信号的装置(即，振荡器)。因此，到VCO的固定DC偏置电压应理想地产生固定输出频率信号，而所述偏置电压还可变化以便使VCO输出频率变化。因此，关于所述VCO输出频率，可施加调制偏置信号以致使VCO输出具有调制频率(或相位)的信号。封包用于传递数据的1个以上位/符号且与优选实施例相关的特定类型的调制方案是正交相移键控(QPSK)。在QPSK中，VCO提供正交振荡信号，借此操作为QVCO，其中正交信号由四个不同振荡信号(各自与其它振荡信号间隔开90度)组成。更具体来说，作为一种类型的相移键控(PSK)，QPSK通过调制(即，改变)载波信号的相位而传递数据。QPSK中的术语“正交”指示存在四个不同相位，每一相位优选地相对于彼此正交以用于数据调制。因此，更具体来说，单个数据量或“符号”可由通常在QPSK星座中等间隔分布于间隔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于提供振荡输出信号的正交电压控制振荡器，其包括：第一振荡电路，其用于产生第一输出信号及第二输出信号，其中所述第一输出信号及所述第二输出信号构成第一组反相信号；第二振荡电路，其用于产生第三输出信号及第四输出信号，其中所述第三输出信号及所述第四输出信号构成第二组反相信号；所述第一振荡电路包括用于将不具有DC电流的所述第二组反相信号注入到所述第一输出信号及所述第二输出信号中的注入电路；且所述第二振荡电路包括用于将不具有DC电流的所述第一组反相信号注入到所述第三输出信号及所述第四输出信号中的注入电路。

【技术特征摘要】
2015.12.31 US 14/986,6071.一种用于提供振荡输出信号的正交电压控制振荡器，其包括：第一振荡电路，其用于产生第一输出信号及第二输出信号，其中所述第一输出信号及所述第二输出信号构成第一组反相信号；第二振荡电路，其用于产生第三输出信号及第四输出信号，其中所述第三输出信号及所述第四输出信号构成第二组反相信号；所述第一振荡电路包括用于将不具有DC电流的所述第二组反相信号注入到所述第一输出信号及所述第二输出信号中的注入电路；且所述第二振荡电路包括用于将不具有DC电流的所述第一组反相信号注入到所述第三输出信号及所述第四输出信号中的注入电路。2.根据权利要求1所述的正交电压控制振荡器：其中所述第一振荡电路包括：第一节点，其用于产生所述第一输出信号；第二节点，其用于产生所述第二输出信号；及至少一个电感器，其介于所述第一节点与所述第二节点之间；且其中所述第二振荡电路包括：第三节点，其用于产生所述第三输出信号；第四节点，其用于产生所述第四输出信号；及至少一个电感器，其介于所述第三节点与所述第四节点之间。3.根据权利要求2所述的正交电压控制振荡器：其中所述第一振荡电路的所述注入电路包括电感耦合到所述第二振荡电路的所述至少一个电感器的电感器；且其中所述第二振荡电路的所述注入电路包括电感耦合到所述第一振荡电路的所述至少一个电感器的电感器。4.根据权利要求3所述的正交电压控制振荡器：其中电感耦合到所述第二振荡电路的所述至少一个电感器的所述电感器具有耦合到所述第一振荡电路中的第一晶体管的栅极的第一端子及耦合到所述第一振荡电路中的第二晶体管的栅极的第二端子；且其中电感耦合到所述第一振荡电路的所述至少一个电感器的所述电感器具有耦合到所述第二振荡电路中的第一晶体管的栅极的第一端子及耦合到所述第二振荡电路中的第二晶体管的栅极的第二端子。5.根据权利要求4所述的正交电压控制振荡器：其中所述第一振荡电路中的所述第一晶体管及所述第一振荡电路中的所述第二晶体管包括nMOS晶体管；且其中所述第二振荡电路中的所述第一晶体管及所述第二振荡电路中的所述第二晶体管包括nMOS晶体管。6.根据权利要求4所述的正交电压控制振荡器：其中所述第一振荡电路中的所述第一晶体管及所述第一振荡电路中的所述第二晶体管包括pMOS晶体管；且其中所述第二振荡电路中的所述第一晶体管及所述第二振荡电路中的所述第二晶体管包括pMOS晶体管。7.根据权利要求4所述的正交电压控制振荡器：其中所述第一振荡电路中的所述第一晶体管具有连接于所述第一节点与所述第二节点之间的源极/漏极路径；其中所述第一振荡电路中的所述第二晶体管具有连接于所述第一节点与所述第二节点之间的源极/漏极路径；其中所述第二振荡电路中的所述第一晶体管具有连接于所述第三节点与所述第四节点之间的源极/漏极路径；且其中所述第二振荡电路中的所述第二晶体管具有连接于所述第三节点与所述第四节点之间的源极/漏极路径。8.根据权利要求7所述的正交电压控制振荡器，且其进一步包括：用于将第一DC偏置施加到电感耦合到所述第二振荡电路的所述至少一个电感器的所述电感器的中心抽头的电路；及用于将第二DC偏置施加到电感耦合到所述第一振荡电路的所述至少一个电感器的所述电感器的中心抽头的电路。9.根据权利要求8所述的正交电压控制振荡器...

【专利技术属性】
技术研发人员：萨钦·卡利亚，布拉德利·A·克拉梅尔，斯瓦米纳坦·桑卡兰，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国,US