量子点的制造方法和量子点技术

本发明专利技术的课题在于得到具有新颖结构的量子点。本发明专利技术的量子点的制造方法具有下述工序：使特定结晶面露出的纳米种子颗粒分散在溶剂中的工序；以及在上述溶剂中，使半导体层在上述纳米种子颗粒的结晶面上生长的工序。

Method for producing quantum dots and quantum dots

The subject of the present invention is to obtain quantum dots with novel structures. Manufacturing method of quantum dots of the invention has the following steps: nano seed particles make specific surface exposed crystal dispersed in a solvent process; and in the solvent, the semiconductor layer growth in the crystallization of the nano particles on the surface of the seed process.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量子点的制造方法和量子点
本专利技术涉及量子点的制造方法和量子点。
技术介绍
被制成小(细、薄)至数nm～十数nm左右的物质会表现出与块体状态不同的物性。这样的现象/效应被称为(三维～一维)载流子封闭效应或量子尺寸效应等，另外，表现出这样的效应的物质被称为量子点(量子线、量子阱)或半导体纳米颗粒等。量子点可以通过改变尺寸(整体尺寸)来调整其能隙(光吸收波长、发光波长)。作为包含半导体材料的量子点的用途，有荧光体。其能够接收高能量的光或粒子线而发出特定波长的荧光。通过使量子点均匀地分布、使其产生荧光，从而能够得到面光源。量子点有具有核壳结构的量子点，该核壳结构中，核心(核)部分被壳层覆盖(专利文献1～4)。这样的量子点能够通过例如液相生长法来制造(专利文献3～5)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-76827号公报专利文献2：日本特开2012-87220号公报专利文献3：日本专利第4936338号公报专利文献4：日本专利第4318710号公报专利文献5：日本专利第4502758号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的主要的目的在于得到一种具有新颖结构的量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点的制造方法，其具有下述工序：工序a)使特定结晶面露出的纳米种子颗粒分散在溶剂中的工序，以及工序b)在上述溶剂中，使半导体层在上述纳米种子颗粒的结晶面上生长的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.02 JP 2015-018477;2015.02.06 JP 2015-021931.一种量子点的制造方法，其具有下述工序：工序a)使特定结晶面露出的纳米种子颗粒分散在溶剂中的工序，以及工序b)在上述溶剂中，使半导体层在上述纳米种子颗粒的结晶面上生长的工序。2.如权利要求1所述的量子点的制造方法，其中，上述工序a)具有下述子工序：子工序a1)准备包含II-VI族半导体材料的母材颗粒的子工序，所述II-VI族半导体材料包含Zn、Mg中的至少1种作为II族元素，以及子工序a2)通过在液相中对上述母材颗粒进行蚀刻而形成上述纳米种子颗粒的子工序。3.如权利要求2所述的量子点的制造方法，其中，在上述子工序a2)中，通过选择性光蚀刻处理对上述母材颗粒进行蚀刻。4.如权利要求3所述的量子点的制造方法，其中，在上述母材材料的蚀刻中使用含硝酸的蚀刻液，上述纳米种子颗粒的C面露出。5.如权利要求3所述的量子点的制造方法，其中，在上述母材材料的蚀刻中使用含王水的蚀刻液，上述纳米种子颗粒的M面露出。6.如权利要求2～5任一项所述的量子点的制造方法，其中，在上述子工序a2)中，使上述纳米种子颗粒的结晶面在面内方向的最大宽度为20nm以下。7.如权利要求2～5任一项所述的量子点的制造方法，其中，在上述子工序a1)中，准备包含ZnOS的母材颗粒。8.如权利要求1～7任一项所述的量子点的制造方法，其中，在上述工序b)中，使由Inx(AlmGan)1-xN(0.15≦x≦1.0,m+n＝1.0)形成的第1氮化物半导体层在上述纳米种子颗粒的结晶面上外延生长，使由Iny(AlpGaq)1-yN(0.15≦y≦1.0,p+q＝1.0)形成且与上述第1氮化物半导体层的组成不同的第2氮化物半导体层在上述第1氮化物半导体层上外延生长。9.如权利要求8所述的量子点的制造方法，其中，在上述工序b)中，进一步使与上述第1氮化物半导体层具有相同组成的第3氮化物半导体层在上述第2氮化物半导体层上外延生长。10.如权利要求1～7任一项所述的量子点的制造方法，其中，在上述工序b)中，使第1半导体层、与上述纳米种子颗粒具有相同组成的种子层和第2半导体层在上述纳米种子颗粒的结晶面上依次外延生长，所述制造方法进一步具有工序c)去除上述纳米种子颗粒和上述种子层，将上述第1和第2半导体层相互分离的工序。11.如权利要求10所述的量子点的制造方法，其进一步具有工序d)将相互分离的上述第1和第2半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：风间拓也，田村涉，三宅康之，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP