导电性树脂组合物以及半导体装置制造方法及图纸

技术编号:16305670 阅读:74 留言:0更新日期:2017-09-26 23:58
本发明专利技术提供一种导电性树脂组合物,其具有良好的导电性、粘接性、作业性,并且可廉价制造。导电性树脂组合物,作为必需组分,含有(A)银包覆二氧化硅粒子、(B)热固化性树脂和(C)固化剂。在导电性树脂组合物中含有35~90质量%的(A)银包覆二氧化硅粒子。而且,(A)银包覆二氧化硅粒子是纵横比为1.0~1.2、比表面积为0.3~5.0m

Conductive resin composition and semiconductor device

The present invention provides a conductive resin composition having good electrical conductivity, adhesion, workability, and inexpensive manufacture. Conductive resin composition, as an essential component, containing silver coated silica particles (A), (B) a thermosetting resin and curing agent (C). Containing 35~90 mass% in the conductive resin composition of silver coated silica particles (A). And (A) coated silica particles is the aspect ratio is 1 ~ 1.2, the specific surface area was 0.3 ~ 5.0m

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电性树脂组合物以及半导体装置
本专利技术涉及一种适宜用于将半导体元件粘接在支撑部件上的导电性树脂组合物以及使用其的半导体装置。
技术介绍
随着高度信息化社会的扩大和电子产业的显著发展,用于晶体管、IC、LSI、LED等半导体装置的半导体元件的集成度日益增加,因而要求提高半导体装置的散热性、信赖性等。另外,为了提升半导体装置的便捷性、可移动性等,要求其要小型化以及高性能化,因此,对于其使用的部件也要求小型化以及高性能化。例如,在半导体装置中,使用导电性树脂组合物将支撑部件和半导体元件粘接起来。对于该类的导电性树脂组合物,在要求其具有导电性、粘接性、作业性等的基本的特性之上,还要求其轻量化以及低成本化。一般通过在导电性树脂组合物中填充银粉作为导电粉末,来表达导电性。但是,银粉价格昂贵,从制造成本的观点来看,优选对其使用进行限控。而且,因为银粉的比重较大,是10.5,所以在导电性树脂组合物中容易沉降。因此,近年正在探讨使用在由银以外的材料构成的粒子的表面包覆银等金属而成的金属包覆粉末作为导电粉末。基于金属包覆粉末,因为仅在表面包覆银等金属,所以能够实现轻量化以及低成本化。已知有一种金属包本文档来自技高网...
导电性树脂组合物以及半导体装置

【技术保护点】
一种导电性树脂组合物,其以(A)银包覆二氧化硅粒子、(B)热固化性树脂和(C)固化剂作为必需成分,其特征在于,在所述导电性树脂组合物中包含35~90质量%的所述(A)银包覆二氧化硅粒子,并且所述(A)银包覆二氧化硅粒子是纵横比为1.0~1.2、由气体吸附法测定的比表面积为0.3~5.0m

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种导电性树脂组合物,其以(A)银包覆二氧化硅粒子、(B)热固化性树脂和(C)固化剂作为必需成分,其特征在于,在所述导电性树脂组合物中包含35~90质量%的所述(A)银包覆二氧化硅粒子,并且所述(A)银包覆二氧化硅粒子是纵横比为1.0~1.2、由气体吸附法测定的比表面积为0.3~5.0m2/g、由激光衍射散射式粒度分布测定法测定的累积体积粒径D50为1~10μm、累积体积粒径D50与D10之比D50/D10为1.5~5.0并且最大粒径为40μm以下的球状粒子。2.根据权利要求1所述的导电性树脂组合物,其中,所述(A)银包覆二氧化硅粒子的比重是2.4~3.6。3.根据权利要求1或2所述的导电性树脂组合物,其特征在于,所述(A)银包覆二氧化硅粒子的表面被硅烷偶联剂包覆。4.根据权利要求1或2所述的导电性树脂组合物,其特征在于,所述(A)银包覆二氧化硅粒子的表面被脂肪酸或脂肪酸盐包覆。5.根据权利要求1或2所述的导电性树脂组合物,其特征在于,所述(A)银包覆二氧化硅粒子的表面被肉豆蔻酸包覆。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的导电性树脂组合物,其中,所述导电性树脂组合物的比重是1.0~3.0,并且在25℃时的粘度是5~200Pa...

【专利技术属性】
技术研发人员:大岛彩谷口勇气阿南健野口有一
申请(专利权)人:京瓷株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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