累崩型光检测器元件及其制作方法技术
Avalanche type photodetector element and method of making the same
The invention discloses a avalanche type photodetector element and a manufacturing method thereof. The avalanche photo detector (avalanche photodetector, APD) element comprises a base, a front surface and a back surface of the at least one setting in the APD structure, a plurality of the front surface of the substrate and the substrate on the back of the radiating structure, and a plurality of arranged on the back of the island reflecting the structure of the substrate.
【技术实现步骤摘要】
累崩型光检测器元件及其制作方法
本专利技术涉及一种累崩型光检测器(avalanchephotodetector，以下简称为APD)元件及其制作方法，尤其是涉及一种具有散热结构(heatsink)的APD元件及其制作方法。
技术介绍
APD元件为一种灵敏的半导体光感测器元件，因此常被用于诸如长程光纤通讯(longhaulfiber-optictelecommunication)、激光测距仪(Laserrangefinders)、以及单一相片电平侦测及成像(singlephotoleveldetectionandimaging)等需要高灵敏度的应用。现有的APD元件可至少包含硅与锗：其中锗提供了近红外线波长(波长为850m)波长上的高反应率，而硅能够在低杂讯下放大所产生的光载流子。因此，由硅与锗这两者形成的APD元件为一可侦测近红外线(near-infrared)光信号的装置，其已广泛应用于近红外线的光纤通讯中。当然，可用以形成APD元件的材料不限于硅与锗，还可包含如砷化铟镓(InGaAs)、磷砷化铟镓(InGaAsP)、磷化铟(InP)等III-V族元素及其组合。除...
【技术保护点】
一种累崩型光感测器元件，包含有：基底，包含有一正面与一背面；至少一累崩型光感测器结构，设置于该基底的该正面；多个散热结构(heat sink)，设置至于该基底的该背面；以及多个岛状反射结构，设置于该基底的该背面。
【技术特征摘要】
1.一种累崩型光感测器元件，包含有：基底，包含有一正面与一背面；至少一累崩型光感测器结构，设置于该基底的该正面；多个散热结构(heatsink)，设置至于该基底的该背面；以及多个岛状反射结构，设置于该基底的该背面。2.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该多个散热结构包含一半导体材料，而该多个岛状反射结构包含有金属材料。3.如权利要求2所述的累崩型光感测器元件，其中该半导体材料与至少部分该基底相同。4.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该多个散热结构包含有同心圆图案、放射状图案、或网孔(mesh)图案。5.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该多个岛状反射结构通过该多个散热结构彼此分离。6.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该多个散热结构的一厚度大于该多个岛状反射结构的一厚度。7.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，还包含多个凹槽，定义于该多个散热结构之间。8.如权利要求7所述的累崩型光感测器元件，其中该多个岛状反射结构分别设置于该多个凹槽的底部。9.如权利要求8所述的累崩型光感测器元件，还包含多个反射层，形成于该多个凹槽的侧壁与该多个散热结构的顶部表面。10.如权利要求9所述的累崩型光感测器元件，其中该多个反射层接触该多个岛状反射结构，以形成一连续性反射膜。11.如权利要求1所述的累崩型光感测器元件，其中该累崩型光感测器结构包含有至少一n型掺杂半导体层、一本质(intrinsic)半导体层、一p型掺杂半导体层、以及一外延半导体层。12.一种累崩型光感测器元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底包含有一正面与一背面；于该基底的该正面形成一累崩型光感测器结构；图案化该基底的...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭宗涵，徐长生，林梦嘉，邱德煌，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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