接收器电路制造技术

描述了一种接收器电路和包含接收器电路的设备，包括接收器电路，其包括：第一整流器，被布置为从天线接收信号；第二整流器，被布置为从天线接收信号；以及第一耗尽型NMOS晶体管开关，连接在第一整流器与接收器电路的第一输出之间，其中第一晶体管开关的漏极连接到第一整流器的第一输出，第一晶体管开关的源极包括接收器电路的第一输出，并且第一晶体管开关的栅极被布置为接收基于第二整流器的输出的电压，以使得晶体管开关在来自天线的信号的电平超过预定电平时被开路。

Receiver circuit

Describes a receiver circuit and a receiver circuit includes a receiver circuit, including equipment, comprising: a first rectifier is arranged to receive a signal from the antenna; second rectifiers arranged to receive signals from the antenna; and the first depletion NMOS transistor switch is connected between the first output of the first rectifier and the receiver circuit, wherein the first the drain of the transistor switch is connected to the first output of the first rectifier, a first transistor switch source includes a first output of the receiver circuit, and the gate of the first transistor switch is arranged to receive the output voltage of the rectifier based on the second, so that the transistor switch in signal from the antenna level exceeds the predetermined level is open.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文描述的专利技术的实施例涉及电子设备的无线充电，电子设备例如是如下的设备，它们是有近场通信(NFC)能力的设备，并且特别涉及可操作为保护那些设备或其他设备免受强电磁场的接收器电路。
技术介绍
电子设备的无线充电是一种合意的便利性，因为在充电时将设备物理连接到电线、充电座或其他物理组件的要求被消除。一些有近场通信能力的设备(被称为近场通信NFC标签或射频识别RFID标签)可以与标签阅读器进行通信，并且也可以使用从自阅读器设备接收的信号所提取的能量而被供电。标签具有在一个频率处谐振的天线，在该频率上，通信从阅读器被发射以便能够从信号接收尽可能多的能量。这允许了可靠的通信以及操作标签所需要的功率的提取。一些具有NFC或RFID能力的设备还可以包括电池，从而当它们未由阅读器供电时它们可以操作。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例的第一方面，提供了一种接收器电路，其包括：第一整流器，被布置为从天线接收信号；第二整流器，被布置为从天线接收信号；以及第一耗尽型NMOS晶体管开关，连接在第一整流器与接收器电路的第一输出之间，其中第一晶体管开关的漏极连接到第一整流器的第一输出，第一晶体管开关的源极包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接收器电路，包括：第一整流器，被布置为从天线接收信号；第二整流器，被布置为从所述天线接收所述信号；第一耗尽型NMOS晶体管开关，连接在所述第一整流器与所述接收器电路的第一输出之间，其中所述第一晶体管开关的漏极连接到所述第一整流器的第一输出，所述第一晶体管开关的源极包括所述接收器电路的所述第一输出，并且所述第一晶体管开关的栅极被布置为接收基于所述第二整流器的输出的电压，以使得所述晶体管开关在来自所述天线的所述信号的电平超过预定电平时被开路。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.22 US 14/492,4131.一种接收器电路，包括：第一整流器，被布置为从天线接收信号；第二整流器，被布置为从所述天线接收所述信号；第一耗尽型NMOS晶体管开关，连接在所述第一整流器与所述接收器电路的第一输出之间，其中所述第一晶体管开关的漏极连接到所述第一整流器的第一输出，所述第一晶体管开关的源极包括所述接收器电路的所述第一输出，并且所述第一晶体管开关的栅极被布置为接收基于所述第二整流器的输出的电压，以使得所述晶体管开关在来自所述天线的所述信号的电平超过预定电平时被开路。2.根据权利要求1所述的接收器电路，进一步包括用于基于所述第二整流器的所述输出向所述第一晶体管开关的所述栅极供应栅极电压的电路。3.根据权利要求2所述的接收器电路，其中用于供应所述栅极电压的所述电路包括被布置在所述第二整流器的所述输出与所述第一晶体管开关的所述栅极之间的滤波器和分压器中的至少一种。4.根据权利要求1所述的接收器电路，其中所述第一整流器是全波整流器。5.根据权利要求4所述的接收器电路，其中所述第一整流器包括第二输出，并且其中所述接收器电路进一步包括连接在所述第一整流器与所述接收器电路的第二输出之间的第二耗尽型NMOS晶体管开关，其中所述第二晶体管开关的漏极连接到所述第一整流器的所述第二输出，所述第一晶体管开关的源极包括所述接收器电路的所述第二输出，并且所述第一晶体管开关的栅极被布置为接收基于所述第二整流器的输出的电压，以使得所述晶体管开关在来自所述天线的所述信号的电平超过预定电平时被开路。6.根据权利要求5所述的接收器电路，其中来自所述天线的所述信号是包括第一天线信号和第二天线信号的差分信号，并且其中所述第一整流器包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管连接在被布置为接收所述第一天线信号的第一节点与所述第一晶体管的所述漏极之间，所述第二二极管连接在被布置为接收所述第二天线信号的第二节点与所述第二晶体管的所述漏极之间。7.根据权利要求6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·L·麦克法辛，
申请(专利权)人：高通国际科技有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB