框架结构方式的同轴滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种框架结构方式的同轴滤波器(1)，其具有至少一个由能导电的介质制成的滤波器框架(2)和容纳空间(3)。盖装置从所有的侧封闭所述容纳空间(3)。至少一个第一内谐振导体(7a)设置在所述容纳空间(3)中。所述至少一个第一内谐振导体(7a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的一侧电连接并且从该侧朝向能导电的滤波器框架(2)的尤其是对置的另一侧延伸并且间隔开距离地在该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧前结束和/或与该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧电分离。

Coaxial filter for frame structure mode

The present invention relates to a coaxial filter (1) having a frame structure having at least one filter frame (2) and a holding space (3) made of an electrically conductive medium. The cover device closes the accommodation space (3) from all sides. At least one first inner resonant conductor (7a) is disposed in the accommodating space (3). The at least one first inner conductor (7a) and the at least one conductive filter frame (2) and one side of the electrical connection from the side toward the conductive filter frame (2) especially the other side extending opposed and spaced distance in the filter frame of the conductive (2) the end of the opposite side before and / or with the conductive filter frame (2) of the opposing side electric separation.

【技术实现步骤摘要】
框架结构方式的同轴滤波器
本专利技术涉及一种框架结构方式的同轴滤波器。
技术介绍
滤波器在通信技术和高频技术中总在仅应该进一步处理信号的确定频率部分时使用。除高通滤波器或低通滤波器外还有带通滤波器或带阻滤波器。滤波器不仅可以数字地实现，而且可以借助离散的结构元件构造。所述滤波器在此构造在电路板上或构造为铣削或浇铸的空腔结构形式的同轴滤波器。同轴结构方式的滤波器通常用压铸方法制成，其中，可以借助附加的可旋入的调谐元件进行精调。这种滤波器例如从DE102004010683B3中已知。然而，这样的滤波器具有如下缺点，即结构体积、尤其是高度较大。这在一些应用领域中导致问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的任务在于，提供一种框架结构方式的同轴滤波器，其功率与结构体积的比例得到改进。所述滤波器也应该可以尽可能简单地且低成本地构造。该任务根据独立权利要求1来解决。有利地，在从属权利要求中包含进一步改进方案。按照本专利技术的框架结构方式的同轴滤波器包括至少一个滤波器框架，所述滤波器框架由能导电的介质制成并且具有容纳空间，其中，所述容纳空间设置在所述至少一个能导电的滤波器框架内。此外设有盖装置，所述盖装置设置在所述至少一个滤波器框架的两个对置的侧上，使得该容纳空间从所有的侧至少主要是封闭的。例如在连接衬套的区域中可能产生例外情况。至少一个第一内谐振导体设置在该容纳空间中。所述至少一个第一内谐振导体与所述至少一个能导电的滤波器框架的一侧电连接(电流连接)并且从该侧朝向该能导电的滤波器框架的尤其是对置的另一侧延伸并且间隔开距离地在该能导电的滤波器框架的对置的侧前结束和/或与该能导电的滤波器框架的对置的侧电分离。特别有利的是，同轴滤波器以框架结构方式构造，从而实现非常小的结构高度。这意味着，当取出盖装置时，人们可以在高频滤波器的俯视图中穿过该高频滤波器观察。所述同轴滤波器在此可以用铸造方法、尤其是用(铝或锌)(压)铸造方法制造。这样的同轴滤波器可以尤其用于5至20瓦特的功率。功率也可以更低或更高。滤波器框架连同分离接片以及内谐振导体优选一体式构造。多件式的构型也可以是可能的。滤波器框架也可以连同其内谐振导体由塑料生产，其中，然后必须给内谐振导体设置能导电的层。在按照本专利技术的同轴滤波器的一种进一步改进方案中，所述同轴滤波器具有至少一个能导电的分离接片，所述分离接片在所述至少一个滤波器框架的第一侧上伸出并且与该滤波器框架导电地连接并且伸到容纳空间中并且朝向所述至少一个滤波器框架的第二侧延伸并且在那里在与所述第二侧构成开口的情况下结束，从而容纳空间被分为至少一个第一容纳腔室和至少一个第二容纳腔室以及连接这两容纳腔室的所述开口。所述至少一个第一内谐振导体设置在容纳空间的所述至少一个第一容纳腔室中。在此，所述至少一个第一内谐振导体或者与所述至少一个能导电的滤波器框架的第三侧电连接或者与所述能导电的分离接片的第一侧电连接并且从那里或朝向分离接片或朝向滤波器框架延伸并且间隔开距离地在分离接片或滤波器框架前结束并且与所述分离接片或滤波器框架电分离。相同的内容也适用于第二内谐振导体，所述第二内谐振导体设置在容纳空间的第二容纳腔室中。所述同轴滤波器尤其是具有第一耦合输入和/或耦合输出装置和/或至少一个第二耦合输入和/或耦合输出装置，所述耦合输入和/或耦合输出装置从外部优选经由所述至少一个滤波器框架的第一侧分别进入到第一容纳腔室和第二容纳腔室中并且在那里分别对相应的第一内谐振导体和第二内谐振导体产生主要电容性的或主要电感性的耦合。也可能的是，相对于所述第一耦合输入和/或耦合输出装置或第二耦合输入和/或耦合输出装置设有第三耦合输入和/或耦合输出装置，其中，所述第三耦合输入和/或耦合输出装置优选设置在与第一侧对置的第二侧上。该第三耦合输入和/或耦合输出装置便可以在第一容纳腔室或第二容纳腔室中对第一内谐振导体和/或第二内谐振导体产生主要电容性的或主要电感性的耦合，其中，在相应容纳腔室中的所述内谐振导体设置成最靠近所述第三耦合输入和/或耦合输出装置。第三耦合输入和/或耦合输出装置在此优选穿过开口。各所述耦合输入和/或耦合输出装置也可以设置在第三侧或第四侧上。在按照本专利技术的同轴滤波器的一种进一步改进方案中，所述至少一个第一内谐振导体的不与滤波器框架或所述至少一个分离接片电连接的端部具有朝向滤波器框架的第一侧和/或第二侧的延长区段，从而所述至少一个第一内谐振导体在俯视图中构造成L形或T形的。所述延长区段优选仅平行于滤波器框架的第三侧或第四侧或平行于分离接片延伸。所述延长区段也可以相对于所述滤波器框架的第三侧或第四侧倾斜地延伸。相同的内容也适用于所述至少一个第二内谐振导体。所述第二内谐振导体也可以具有这样的延长区段。由此，相应的内谐振导体的电有效长度增大。同时，电容性的耦合也在内谐振导体经由延长区段直至滤波器框架或分离接片之间增大。所有第一内谐振导体或所有第二内谐振导体的延长区段可以在此均指向相同的方向。所有第一内谐振导体或所有第二内谐振导体也可以彼此不同地定向。为了提高两个相邻的内谐振导体之间的电感性耦合，所述两个相邻的内谐振导体可以通过耦合接片电连接。所述耦合接片可以一方面与滤波器框架以及另一方面与分离接片间隔开距离地设置。不过，所述耦合接片应该设置在内谐振导体的端部上，在该端部上所述内谐振导体与滤波器框架或分离接片电连接。所述耦合接片也可以在其朝向滤波器框架或分离接片的侧上与所述滤波器框架或分离接片电连接。优选地，两个相邻的第一内谐振导体通过第一耦合接片互相电连接，其中，所述第一耦合接片设置成与滤波器框架间隔开距离并且与所述至少一个分离接片间隔开距离，或在其朝向滤波器框架或所述至少一个分离接片的侧上与滤波器框架或与所述至少一个分离接片电连接；和/或两个相邻的第二内谐振导体通过第二耦合接片互相电连接，其中，所述第二耦合接片设置成与滤波器框架间隔开距离并且与所述至少一个分离接片间隔开距离，或在其朝向滤波器框架或所述至少一个分离接片的侧上与滤波器框架或与所述至少一个分离接片电连接。此外，在按照本专利技术的同轴滤波器的一种进一步改进方案中，在两个不相邻的或在信号传输路径上不相继的内谐振导体之间设有至少一个电容性的和/或电感性的过耦合装置。这样的过耦合装置优选设置在内谐振导体与盖装置之间的间距范围中。所述两个内谐振导体之间的电感性过耦合装置与其他(位于其下面的)内谐振导体及与盖装置间隔开距离。电容性的过耦合装置与所有的内谐振导体以及与盖装置间隔开距离。电容性的过耦合装置优选在要耦合的内谐振导体上具有比在其他内谐振导体中的情况更大的面积。在按照本专利技术的同轴滤波器的另一种进一步改进方案中，所述同轴滤波器具有多个彼此相叠设置的滤波器框架。盖装置在此向外关闭外部的滤波器框架并且具有至少一个中间盖。分别至少一个中间盖分别设置在两个滤波器框架之间并且将所述两个滤波器框架彼此隔开。然而，中间盖具有至少一个耦合开口，从而在不同滤波器框架的至少两个内谐振导体之间进行耦合。由此可以进行串联或可以延长各个滤波路径。附图说明接下来参考附图示例性地描述本专利技术的不同实施例。相同的主题具有相同的附图标记。附图的对应的图详细示出：图1A至15B示出：按照本专利技术的框架结构方式的同轴滤波器的不同实施例或本文档来自技高网...

【技术保护点】
框架结构方式的同轴滤波器(1)，其具有如下特征：——至少一个滤波器框架(2)，所述滤波器框架由能导电的介质制成并且具有包括第一容纳腔室(3a)的容纳空间(3)，其中，所述容纳空间(3)设置在所述至少一个能导电的滤波器框架(2)内，从而所述至少一个能导电的滤波器框架(2)构成容纳空间(3)的边缘；——盖装置，所述盖装置设置在所述至少一个滤波器框架(2)的两个敞开的端部上，使得该容纳空间(3)从所有的侧是封闭的；——至少一个第一内谐振导体(7a)设置在该容纳空间(3)中；——所述至少一个第一内谐振导体(7a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的一侧电连接并且从该侧朝向该能导电的滤波器框架(2)的尤其是对置的另一侧延伸并且间隔开距离地在该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧前结束和/或与该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧电分离。

【技术特征摘要】
2016.03.14 DE 102016104608.61.框架结构方式的同轴滤波器(1)，其具有如下特征：——至少一个滤波器框架(2)，所述滤波器框架由能导电的介质制成并且具有包括第一容纳腔室(3a)的容纳空间(3)，其中，所述容纳空间(3)设置在所述至少一个能导电的滤波器框架(2)内，从而所述至少一个能导电的滤波器框架(2)构成容纳空间(3)的边缘；——盖装置，所述盖装置设置在所述至少一个滤波器框架(2)的两个敞开的端部上，使得该容纳空间(3)从所有的侧是封闭的；——至少一个第一内谐振导体(7a)设置在该容纳空间(3)中；——所述至少一个第一内谐振导体(7a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的一侧电连接并且从该侧朝向该能导电的滤波器框架(2)的尤其是对置的另一侧延伸并且间隔开距离地在该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧前结束和/或与该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧电分离。2.根据权利要求1所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：——至少一个能导电的分离接片(4)在所述至少一个滤波器框架(2)的第一侧(5a)上伸出并且与该滤波器框架导电地连接并且伸到容纳空间(3)中并且朝向所述至少一个滤波器框架(2)的与第一侧(5a)对置的第二侧(5b)延伸并且在那里在与所述第二侧构成开口(6)的情况下结束，从而容纳空间(3)至少被分为第一容纳腔室(3a)和第二容纳腔室(3b)以及连接所述至少两个容纳腔室(3a、3b)的所述开口(6)；——所述至少一个第一内谐振导体(7a)设置在容纳空间(3)的所述至少一个第一容纳腔室(3a)中；——所述至少一个第一内谐振导体(7a)：a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的第三侧(5c)电连接并且从该滤波器框架朝向能导电的分离接片(4)的第一侧(4a)延伸并且间隔开距离地在能导电的分离接片(4)前结束和/或与能导电的分离接片(4)电分离；和/或b)与能导电的分离接片(4)的第一侧(4a)电连接并且从该分离接片朝向所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的第三侧(5c)延伸并且间隔开距离地在能导电的滤波器框架(2)前结束和/或与能导电的滤波器框架(2)电分离；以及——至少一个第二内谐振导体(7b)设置在容纳空间(3)的所述至少一个第二容纳腔室(3b)中；所述至少一个第二内谐振导体(7b)：a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的第四侧(5d)电连接并且从该滤波器框架朝向能导电的分离接片(4)的第二侧(4b)延伸并且间隔开距离地在能导电的分离接片(4)前结束和/或与能导电的分离接片(4)电分离；和/或b)与能导电的分离接片(4)的第二侧(4b)电连接并且从该分离接片朝向所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的第四侧延伸并且间隔开距离地在能导电的滤波器框架(2)前结束和/或与能导电的滤波器框架(2)电分离。3.根据权利要求2所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：——所述分离接片(4)具有中间空间或外部空间(30)，所述中间空间或外部空间与容纳空间(3)或第一容纳腔室和第二容纳腔室(3a、3b)分开，因此是不可接近的。4.根据上述权利要求2或3之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：——所述至少一个分离接片(4)在中央或偏心地延伸穿过滤波器框架(2)。5.根据权利要求2至4之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：——所述至少一个滤波器框架(2)连同所述至少一个分离接片(4)以及所述至少一个第一内谐振导体和第二内谐振导体(7a、7b)一体式构造；和/或——所述至少一个滤波器框架(2)连同所述至少一个分离接片(4)以及所述至少一个第一内谐振导体和第二内谐振导体(7a、7b)用铸造方法制成。6.根据权利要求2至5之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：——所述至少一个分离接片(4)与滤波器框架(2)的第二侧(5b)电连接，其中，该分离接片(4)在至滤波器框架(2)第二侧(5b)的过渡部上具有的高度比滤波器框架(2)直至该盖装置的高度小，从而形成开口(6)；或——所述至少一个分离接片(4)与滤波器框架(2)的第二侧(5b)间隔开距离，从而形成开口(6)。7.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：——第一耦合输入和/或耦合输出装置(8a)，所述第一耦合输入和/或耦合输出装置优选设置在所述至少一个滤波器框架(2)的第一侧(5a)上并且对在第一容纳腔室(3a)中的设置成最靠近第一侧(5a)的所述至少一个第一内谐振导体(7a)产生电容性的或电感性的或者主要电容性的或主要电感性的耦合；和/或——至少一个第二耦合输入和/或耦合输出装置(8b)，所述第二耦合输入和/或耦合输出装置优选设置在所述至少一个滤波器框架(2)的第一侧(5a)上并且对在第二容纳腔室(3b)中的设置成最靠近第一侧(5a)的所述至少一个第二内谐振导体(7b)产生电容性的或电感性的或者主要电容性的或主要电感性的耦合。8.根据权利要求7所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：——第三耦合输入和/或耦合输出装置(8c)，所述第三耦合输入和/或耦合输出装置优选设置在所述至少一个滤波器框架(2)的第二侧(5b)上并且对i在第一容纳腔室(3a)中的设置成最靠近第二侧(5b)的所述至少一个第一内谐振导体(7a)产生电容性的或电感性的或者主要电容性的或主要电感性的耦合；和/或ii在第二容纳腔室(3b)中的设置成最靠近第二侧(5b)的所述至少一个第二内谐振导体(7b)产生电容性的或电感性的或者主要电容性的或主要电感性的耦合。9.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：——所述至少一个第一内谐振导体(7a)具有低于滤波器框架(2)和/或低于分离接片(4)的高度并且与盖装置以预定的值间隔开距离；和/或——所述至少一个第二内谐振导体(7b)具有低于滤波器框架(2)和/或低于分离接片(4)的高度并且与盖装置以预定的值间隔开距离。10.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：a)——所述至少一个第一内谐振导体(7a)在其第一端部上与滤波器框架(2)的第三侧(5c)和/或与所述至少一个分离接片(4)的第一侧(4a)电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·罗特莫泽，J·尼塔，
申请(专利权)人：凯瑟雷恩工厂两合公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE