一种长波光导红外探测器非均匀性校正电路制造技术

本发明专利技术公开了一种长波光导红外探测器非均匀性校正电路，用于红外探测器读出电路中，该校正电路包括电阻结构组件，计数器，比较器和偏置模块，能自适应校正电阻值在200Ω以下的光导型红外探测器的非均匀性。电路通过ADC和DAC的方法，在信号读取前为每个探测元匹配相等参考电压作为差分放大器参考端的输入电压，参考电压由计数器控制的电阻结构组件的分压提供，计数器计数由比较器输出信号控制，比较器比较电阻结构组件和探测器的分压大小。电路可以实现在探测器未接受辐射时差分放大器的两个输入端电压几乎相等。本发明专利技术的优点在于：能有效地校正非均匀性降为0.5％内，无需传统的与响应元对应的盲元探测器设计，且能适应校正的范围大。

【技术实现步骤摘要】
一种长波光导红外探测器非均匀性校正电路
本专利技术涉及红外探测器读出电路领域，尤其是涉及线列和面阵长波光导红外探测器的非均匀性校正电路。
技术介绍
红外探测器在航天探测方面起着不可替代的作用，长波红外探测器(波长在10微米以上)在低温目标探测、超视距探测和抗干扰目标识别等领域具有极其重要的用途，因此一直是红外探测器技术发展的一个重要方向。对于HgCdTe长波红外光导型探测器，怎么解决不同探测元之间的读出信号非均匀性是电路设计的关键难题和研究重点。在HgCdTe长波光导型探测器制作过程中，由于工艺偏差和材料组分的缺陷，光导红外探测器存在一定的非均匀性。这种工艺带来的非均匀性不但严重影响读出电路的动态范围，而且还会导致输出表现出非均匀性，尤其是采用列级读出通道的探测器芯片会出现明显的列条纹，这种非均匀性产生的空间噪声通常远远大于时间噪声。光导型红外探测器电阻低且非均匀性大，影响光导探测器非均匀性的自身因素主要有电阻、电阻温度系数、热导、红外吸收率、热容等，其中电阻的非均匀性对输出带来的影响最大。目前，波长在10微米以上的红外探测器仍以HgCdTe光导型探测器为主，电阻在40Ω左右，在目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种长波光导红外探测器非均匀性校正电路，包括电阻结构组件，计数器，比较器和两个偏置模块，其特征在于：所述的两个偏置模块，1号偏置模块由电压源V1与电阻Ra串联构成，2号偏置模块由电压源V2与电阻Rb串联构成，Ra和Rb取值在0.5～5KΩ，V1和V2在1V至5V之间；所述的电阻结构组件由一个20～100Ω的电阻R0与n个权电阻R1…Rn并联构成，n≥5，每个权电阻都串联有一个MOS开关，Rn取0.2～1KΩ，Rn‑1＝2Rn；所述的计数器为n位二进制计数器，设置有一个输入端T、一个复位端R、n位输出端Q0…Qn‑1，输入端T控制计数器在时钟下是否计数；所述的1号偏置模块与探测器串联再接地，所述...

【技术特征摘要】
1.一种长波光导红外探测器非均匀性校正电路，包括电阻结构组件，计数器，比较器和两个偏置模块，其特征在于：所述的两个偏置模块，1号偏置模块由电压源V1与电阻Ra串联构成，2号偏置模块由电压源V2与电阻Rb串联构成，Ra和Rb取值在0.5～5KΩ，V1和V2在1V至5V之间；所述的电阻结构组件由一个20～100Ω的电阻R0与n个权电阻R1…Rn并联构成，n≥5，每个权电阻都串联有一个MOS开关，Rn取0.2～1KΩ...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟燕平，袁红辉，鞠国豪，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31