基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置制造方法及图纸

一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置，其特征在于：包括未镀非晶硒膜的TFT、可控曝光强度脉冲氙灯组件、信号读取电路板和上位机，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件包括灯体，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体通过固定夹具固定在TFT的上方用于模拟X射线照射TFT，所述上位机与信号读取电路板通信连接用于通过信号读取电路板来读取TFT上各像素点存储的电荷。该基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置在TFT镀非晶硒膜之前可模拟镀膜后真实的X射线光电子的情况，对TFT各像素点的一致性和电荷存储能力进行相应的测试。

X ray amorphous selenium TFT test device based on photoelectric effect

A kind of amorphous selenium TFT X ray testing device based on the photoelectric effect, which comprises TFT, controllable coated amorphous selenium film exposure intensity pulsed xenon lamp module, signal reading circuit board and PC, the controllable exposure intensity of pulse xenon lamp assembly includes a lamp body, the lamp body can control the exposure intensity pulse xenon lamp assembly with fixed fixture is fixed on the top of TFT is used to simulate the X ray TFT, the host computer and the signal reading circuit board communication connection circuit board for reading to read the charge on the TFT of each pixel stored by signal. The amorphous selenium TFT X ray testing device based on the photoelectric effect before plating amorphous selenium film on TFT X ray photoelectron simulation after coating the real situation, the TFT of each pixel consistency and charge storage ability test.

【技术实现步骤摘要】
基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置
本技术涉及平板探测器
，具体涉及一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置。
技术介绍
目前没有在TFT板镀非晶硒镀膜之前模拟镀膜后真实的X射线光电子的情况，对TFT板的像素点的一致性和电荷存储能力进行相应的测试，从而使得TFT板性能的缺陷导致了镀膜后非晶硒探测器的缺陷；因此有必要在TFT板镀非晶硒镀膜之前，模拟真实的X射线照射情况进行TFT板的上述性能的测试。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：提供一种在TFT板镀非晶硒膜之前可模拟镀膜后真实的X射线光电子的情况，对TFT板各像素点的一致性和电荷存储能力进行相应的测试的基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置。本技术的技术解决方案是：一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置，其特征在于：包括未镀非晶硒膜的TFT板、可控曝光强度脉冲氙灯组件、信号读取电路板和上位机，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件包括灯体，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体通过固定夹具固定在TFT板的上方用于模拟X射线照射TFT板，所述上位机与信号读取电路板通信连接用于通过信号读取电路板来读取TFT板上各像素点存储的电荷。本技术基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置的工作原理如下：由可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体发出一定波长和能量的光子去照射未镀非晶硒膜的TFT板的各像素点时，光电效应会使各像素点的像素导电层的电子获得能量而离开像素点，使TFT板的各像素点体现出正电荷；通过信号读取电路板即可读取TFT板各像素点的存储电容因光电效应产生的电荷量，然后信号读取电路板与上位机通信连接可上传检测到的电荷数据，由计算机对检测结果进行分析；利用脉冲氙灯的曝光强度可控，可模拟不同剂量的光照强度；利用同一剂量光照强度下各像素点因光电效应产生的存储电荷量是否大致相同，来判断TFT板各像素点的一致性及缺陷；利用不同剂量光照强度下，各像素点因光电效应产生的存储电荷量是否随着光照强度的增强而增加，来判断电荷的存储能力及缺陷，从而可对TFT板的像素点一致性和电荷存储能力进行测试。采用上述结构后，本技术具有以下优点：本技术基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置在TFT板镀非晶硒膜前，可对TFT板的性能进行相应的测试，只有TFT板性能参数满足要求才进行后续的镀膜工艺，从而可避免因TFT板性能的缺陷导致最终镀膜后非晶硒平板探测器成品的缺陷；由于脉冲氙灯短时间内可发出很强的光线，可较好地模拟镀膜后真实的X射线光电子的真实情况；而且脉冲氙灯不会对未镀非晶硒膜的TFT板造成损伤，不会影响TFT板的性能，X射线直接照射会对TFT板造成损坏，因此需要镀非晶硒膜加以保护；除此之外脉冲氙灯的曝光强度可控，可模拟不同剂量的光照强度，利用同一剂量光照强度下各像素点因光电效应产生的存储电荷量是否大致相同，来判断TFT板各像素点的一致性及缺陷，利用不同剂量光照强度下，各像素点因光电效应产生的存储电荷量是否随着光照强度的增强而增加，来判断电荷的存储能力及缺陷，从而可对TFT板的像素点一致性和电荷存储能力进行测试。作为优选，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件还包括驱动电路板，所述上位机与可控曝光强度脉冲氙灯的驱动电路板通信连接用于自动控制脉冲氙灯的曝光强度。该设置可利用上位机自动控制脉冲氙灯的强度，不仅自动化水平更高，而且数据可以统一到上位机上更有利于检测结果的自动分析。作为优选，所述固定夹具包括固定座和设置在固定座上的电动旋转台，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体固定在电动旋转台上，所述电动旋转台与驱动电路板电连接。该设置可由上位机自动控制电动旋转台的旋转，来控制可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体的照射角度以满足实际使用需求。作为优选，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体上还设有无线摄像头，所述无线摄像头、信号读取电路板和驱动电路板均与上位机无线通信连接。该设置可远程监控测试过程，且可远程控制电动旋转台的旋转。附图说明：图1为本技术基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置；图中：1-TFT板，2-脉冲氙灯组件，3-信号读取电路板，4-上位机，5-灯体，6-固定夹具，7-驱动电路板，8-固定座，9-电动旋转台，10-无线摄像头；具体实施方式下面结合附图，并结合实施例对本技术做进一步的说明。实施例：一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT板1测试装置，包括未镀非晶硒膜的TFT板1、可控曝光强度脉冲氙灯组件2、信号读取电路板3和上位机4，所述未镀非晶硒膜的TFT板1包括TFT、像素导电层和存储电容等，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件2包括灯体5，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件2的灯体5通过固定夹具6固定在TFT板1的上方用于模拟X射线照射TFT板1，所述上位机4与信号读取电路板3通信连接用于通过信号读取电路板3来读取TFT板1上各像素点存储的电荷，所述信号读取电路板3为X射线非晶硒平板探测器自带的电路板，采用现有技术即可。本技术基于光电效应的X射线非晶硒TFT板1测试装置的工作原理如下：由可控曝光强度脉冲氙灯组件2的灯体5发出一定波长和能量的光子去照射未镀非晶硒膜的TFT板1的各像素点时，光电效应会使各像素点的像素导电层的电子获得能量而离开像素点，使TFT板1的各像素点体现出正电荷；通过信号读取电路板3即可读取TFT板1各像素点的存储电容因光电效应产生的电荷量，然后信号读取电路板3与上位机4通信连接可上传检测到的电荷数据，由计算机对检测结果进行分析；利用脉冲氙灯的曝光强度可控，可模拟不同剂量的光照强度；利用同一剂量光照强度下各像素点因光电效应产生的存储电荷量是否大致相同，来判断TFT板1各像素点的一致性及缺陷；利用不同剂量光照强度下，各像素点因光电效应产生的存储电荷量是否随着光照强度的增强而增加，来判断电荷的存储能力及缺陷，从而可对TFT板1的像素点一致性和电荷存储能力进行测试。采用上述结构后，本技术具有以下优点：本技术基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置在TFT板1镀非晶硒膜前，可对TFT板1的性能进行相应的测试，只有TFT板1性能参数满足要求才进行后续的镀膜工艺，从而可避免因TFT板1性能的缺陷导致最终镀膜后非晶硒平板探测器成品的缺陷；由于脉冲氙灯短时间内可发出很强的光线，可较好地模拟镀膜后真实的X射线光电子的真实情况；而且脉冲氙灯不会对未镀非晶硒膜的TFT板1造成损伤，不会影响TFT板1的性能，X射线直接照射会对TFT板1造成损坏，因此需要镀非晶硒膜加以保护；除此之外脉冲氙灯的曝光强度可控，可模拟不同剂量的光照强度，利用同一剂量光照强度下各像素点因光电效应产生的存储电荷量是否大致相同，来判断TFT板1各像素点的一致性及缺陷，利用不同剂量光照强度下，各像素点因光电效应产生的存储电荷量是否随着光照强度的增强而增加，来判断电荷的存储能力及缺陷，从而可对TFT板1的像素点一致性和电荷存储能力进行测试。作为优选，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件2还包括驱动电路板7，所述上位机4与可控曝光强度脉冲氙灯的驱动电路板7通信连接用于自动控制脉冲氙灯的曝光强度，可控曝光强度脉冲氙灯组件2的驱动电路板7和灯体5采用现有技术即可。该设置可利用上位机4自动控制脉冲氙灯的强本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置，其特征在于：包括未镀非晶硒膜的TFT板(1)、可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)、信号读取电路板(3)和上位机(4)，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)包括灯体(5)，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)的灯体(5)通过固定夹具(6)固定在TFT板(1)的上方用于模拟X射线照射TFT板(1)，所述上位机(4)与信号读取电路板(3)通信连接用于通过信号读取电路板(3)来读取TFT板(1)上各像素点存储的电荷。

【技术特征摘要】
1.一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置，其特征在于：包括未镀非晶硒膜的TFT板(1)、可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)、信号读取电路板(3)和上位机(4)，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)包括灯体(5)，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)的灯体(5)通过固定夹具(6)固定在TFT板(1)的上方用于模拟X射线照射TFT板(1)，所述上位机(4)与信号读取电路板(3)通信连接用于通过信号读取电路板(3)来读取TFT板(1)上各像素点存储的电荷。2.根据权利要求1所述的一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置，其特征在于：所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)还包括驱动电路板(7)，所述上位机(...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋彦佑，
申请(专利权)人：德润特医疗科技武汉有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42