电子照相感光体、处理盒、图像形成装置以及导电基底制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电子照相感光体、处理盒、图像形成装置以及导电基底，该电子照相感光体包括：导电基底，其具有使用硅氮烷处理的外周表面；以及感光层，其配置于所述导电基底的所述外周表面上。所述感光层包括电荷产生材料和电荷传输材料。

Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, image forming apparatus, and conductive substrate

The invention discloses an electrophotographic photoreceptor, process cartridge, image forming device and a conductive substrate, the electrophotographic photosensitive body comprises a conductive substrate, its use of silazane treated peripheral surface; and a photosensitive layer, which is placed on the conductive substrate of the peripheral surface. The photosensitive layer comprises a charge generating material and a charge transmission material.

【技术实现步骤摘要】
电子照相感光体、处理盒、图像形成装置以及导电基底
本专利技术涉及一种电子照相感光体、处理盒、图像形成装置以及可包括在电子照相感光体中的导电基底。
技术介绍
在日本专利文献特开平4-278957号公报公开了一种电子照相感光体，其包括由铝或铝合金构成的导电性基底；设置在导电基底上的感光层，该感光层由电荷产生层和包含有机材料的电荷传输层构成；以及设置于导电基底和感光层之间的勃姆石层。日本专利文献特开2013-109035号公报公开了一种电子照相感光体，其包括氧化的铝或铝合金构成的导电基底；设置在导电基底上的感光层；以及设置在该导电基底表面上的电阻层，该电阻层具有特定的体积电阻率。在电子照相感光体的制造过程中，清洁导电基底的外表面，并通过涂布在所述导电基底上形成感光层。为清洁所述导电基底的所述外表面，通常使用水、温水、再生水等作为清洁液。因此，所述导电基底的所述外表面上可能会存在大量的羟基。如果使用所述电子照相感光体形成图像，特别是在水分子可能被吸附到所述导电基底上的高温高湿环境中，电荷可能会通过所述水分子在所述感光体中局部泄漏，并且有可能腐蚀所述感光体。这一局部缺陷可能会导致形成点状图像缺陷(即色斑)。以上图像缺陷特别有可能在不具有底涂层的电子照相感光体中发生。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种电子照相感光体，与包括如下导电基底的电子照相感光体相比，可降低电荷在感光体中局部泄漏的可能性以及由电荷泄漏导致的点状图像缺陷的发生率，其中，该导电基底具有通过N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或温度为50℃的离子交换水处理过的外周表面。根据本专利技术的一个方面，提供一种电子照相感光体，其包括：导电基底，其具有使用硅氮烷处理的外周表面；以及感光层，其配置于所述导电基底的所述外周表面上。所述感光层包括电荷产生材料和电荷传输材料。根据本专利技术的第二方面，所述导电性基底的表面包括由通式(A)表示的结构，其中，RS1至RS3各自独立地表示氢原子或单价有机基团；并且*表示在所述结构连接到所述导电基底的外周表面上的位置。根据本专利技术的第三方面，通式(A)中的RS1至RS3是选自未取代或取代的烷基、未取代或取代的环烷基、未取代或取代的芳基以及未取代或取代的甲硅烷基中的至少一种。根据本专利技术的第四方面，由通式(A)表示的所述结构是选自结构A-1至A-6组成的组中的至少一种，根据本专利技术的第五方面，所述导电性基底包括铝或铝合金。根据本专利技术的第六方面，所述感光层是包括粘合剂树脂、所述电荷产生材料以及所述电荷传输材料的单层型感光层，所述电荷传输材料包括空穴传输材料以及电子传输材料。根据本专利技术的第七方面，选自由通式(1)表示的电子传输材料以及由通式(2)表示的电子传输材料中的至少一种，其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；并且R18表示烷基、-L19-O-R20基、芳基或芳烷基，L19是亚烷基且R20是烷基，其中，R21、R22、R23和R24各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、卤素原子或苯基。根据本专利技术的第八方面，所述空穴传输材料包括由通式(3)表示的空穴传输材料，其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示氢原子、低级烷基、烷氧基、苯氧基、卤素原子或者由选自低级烷基、低级烷氧基和卤素原子的基团取代或未取代的苯基；并且p和q各自独立地表示0或1。根据本专利技术的第九方面，所述电荷产生材料包括选自羟基镓酞菁颜料和氯化镓酞菁颜料中的至少一种。根据本专利技术的第十方面，提供一种处理盒，可拆卸地安装到图像形成装置，所述处理盒包括上述的电子照相感光体。根据本专利技术的第十一方面，提供一种图像形成装置，其包括：上述的电子照相感光体；充电单元，其对所述电子照相感光体的表面进行充电；静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的所述已充电表面形成静电潜像；显影单元，其使用含有调色剂的显影剂对所述电子照相感光体的所述表面形成的所述静电潜像进行显影以形成调色剂图像；以及转印单元，其将所述调色剂图像转印到记录介质的表面。根据本专利技术的第十二方面，提供一种导电基底，可包括在电子照相感光体，所述导电基板包括硅氮烷处理过的外周表面。根据本专利技术的第一至第九方面的电子照相感光体，与包括如下导电基底的电子照相感光体相比，可降低电荷在感光体中局部泄漏的可能性以及由电荷泄漏导致的点状图像缺陷的发生率，其中，该导电基底具有通过N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或温度为50℃的离子交换水处理过的外周表面。根据本专利技术第十方面的处理盒和根据本专利技术第十一方面的图像形成装置，与包括如下电子照相感光体的处理盒和图像形成装置相比，可降低电荷在感光体中局部泄漏的可能性以及由电荷泄漏导致的点状图像缺陷的发生率，其中，该电子照相感光体包括具有通过N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或温度为50℃的离子交换水处理过的外周表面的导电基底。包括根据本专利技术的第十二方面的导电性基底的电子照相感光体，与包括具有通过N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅烷或温度为50℃的离子交换水处理过的外周表面的导电基底的电子照相感光体相比，可降低电荷在感光体中局部泄漏的可能性以及由电荷泄漏导致的点状图像缺陷的发生率。附图说明将基于下列附图详细说明本专利技术的示例性实施例，其中：图1是根据示例性实施例的电子照相感光体的一个示例的示意性部分横截面图，其中示出构成电子照相感光体的多个层；图2是根据示例性实施例的电子照相感光体的另一个示例的示意性部分横截面图，其中示出构成电子照相感光体的多个层；图3是根据示例性实施例的图像形成装置的一个示例的示意图；以及图4是根据示例性实施例的图像形成装置的另一个示例的示意图。具体实施方式下面参照附图与示例性实施例对本专利技术作进一步详细说明。在附图中，具有相同功能的元件用相同的参考号表示，并且省略重复的描述。电子照相感光体根据示例性实施例的电子照相感光体(以下简称为“感光体”)包括：导电基底，其具有使用硅氮烷处理的外周表面；以及感光层，其配置于导电基底的外周表面上。感光层包括电荷产生材料和电荷传输材料。感光层可以是由电荷产生层和电荷传输层构成的具有分离功能的感光层(以下，这种感光层称为“功能分离型感光层”)或者仅具有一层的感光层(以下，这种感光层称为“单层型感光层”)。当感光层是功能分离型感光层时，电荷产生层包括电荷产生材料，且电荷传输层包括电荷传输材料。具有上述结构的电子照相感光体被认为可以降低电荷在感光体中局部泄漏的可能性以及由电荷泄漏导致的点状图像缺陷的发生率，其机理如下。羟基有可能会留在包括在电子照相感光体中的导电基底的表面。例如，甚至具有勃姆石处理过的表面的铝基底也包含少量的来源于表面上的氢氧化铝的羟基。当使用包括上面存在羟基的导电基底的电子照相感光体时，水分子可能会吸附到导电基底的羟基上，特别是在高温高湿环境(例如，温度：30℃，湿度：85％)中。如果使用包括含有吸附到外周表面上的水分子的导电基底的电子照相感光体形成图像，电荷可能会通过水分子在感光体中局部泄漏。另外，电荷的泄漏可能会导致点状图像缺陷(即色斑)的形成。为解决这一问题，根据本示例性实施例的电子照相感光体包括具有使用硅氮烷处理的外周表面的导电基底。以下，具有使用硅氮烷处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光体，其特征在于，包括：导电基底，其具有使用硅氮烷处理的外周表面；以及感光层，其配置于所述导电基底的所述外周表面上，并包括电荷产生材料和电荷传输材料。

【技术特征摘要】
2016.03.10 JP 2016-0472721.一种电子照相感光体，其特征在于，包括：导电基底，其具有使用硅氮烷处理的外周表面；以及感光层，其配置于所述导电基底的所述外周表面上，并包括电荷产生材料和电荷传输材料。2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述导电基底的表面包括由通式(A)表示的结构，其中，RS1至RS3各自独立地表示氢原子或单价有机基团；并且*表示所述结构连接到所述导电基底的所述外周表面上的位置。3.根据权利要求2所述的电子照相感光体，其中，通式(A)中的RS1至RS3是选自未取代或取代的烷基、未取代或取代的环烷基、未取代或取代的芳基以及未取代或取代的甲硅烷基中的至少一种。4.根据权利要求2所述的电子照相感光体，其中，由通式(A)表示的所述结构是选自由以下结构A-1至A-6组成的组中的至少一种，5.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述导电基底包括铝或铝合金。6.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述感光层是包括粘合剂树脂、所述电荷产生材料以及所述电荷传输材料的单层型感光层，所述电荷传输材料包括空穴传输材料以及电子传输材料。7.根据权利要求6所述的电子照相感光体，其中，所述电子传输材料包括选自由通式(1)表示的电子传输材料以及由通式(2)表示的电子传输材料中的至少一种，其中，R11、R12、R13、R14、R15、R...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎真宏，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP