提供一种充电构件，其抑制在低温低湿下异常放电的发生。充电构件具有支承体和在所述支承体上的表面层，其中所述表面层具有由式(a)或(c)表示的化合物，并且其具有特定结构的配体与聚金属氧烷的金属原子(所述金属原子为选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In和Ge组成的组中的一种以上)配位，或者与具有金属原子的金属醇盐或金属氢氧化物的金属原子配位。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供一种充电构件，其抑制在低温低湿下异常放电的发生。充电构件具有支承体和在所述支承体上的表面层，其中所述表面层具有由式(a)或(c)表示的化合物，并且其具有特定结构的配体与聚金属氧烷的金属原子(所述金属原子为选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In和Ge组成的组中的一种以上)配位，或者与具有金属原子的金属醇盐或金属氢氧化物的金属原子配位。【专利说明】充电构件、处理盒和电子照相图像形成设备
本专利技术涉及充电构件，和各自使用该充电构件的处理盒和电子照相图像形成设备 (以下，称为"电子照相设备"）。
技术介绍
作为使电子照相感光构件（以下，称为"感光构件"）的表面带电的一种系统，已知 接触充电系统。接触充电系统为涉及将电压施加至与感光构件接触配置的充电构件以引起 充电构件与感光构件之间的接触部附近微少放电，从而使感光构件的表面带电的系统。 从充分确保充电构件与感光构件之间的接触辊隙的观点，用于接触充电系统的充 电构件一般包括导电性弹性层。然而，导电性弹性层包含低分子量组分，因此，低分子量组 分渗出至充电构件的表面，结果在一些情况下可能导致图像缺陷。因此，为了抑制低分子量 组分渗出至充电构件的表面的目的，在一些情况下在导电性弹性层上设置表面层。 专利文献1提出了用通过溶胶凝胶法形成的无机氧化物膜覆盖导电性辊基材的表 面。 引文列表 专利文献 专利文献1:日本专利申请特开No.2001-173641
技术实现思路
专利技术要解决的问题 近几年，伴随着电子照相图像形成法的高速化，使感光构件充电的时间相对缩短， 这对于使感光构件稳定并可靠的带电是不利的。 本专利技术的专利技术人进行研究发现，当根据专利文献1的导电性辊用作充电构件时，伴 随着处理速度提高，特别是在低温低湿下可能发生局部强放电（异常放电）。另外，研究发 现，可能产生由异常放电引起的约数十微米至数毫米的不均匀图像。 本专利技术的目的是提供具有优异的充电能力的充电构件，即使在低温低湿下所述充 电构件也能够抑制局部强放电（异常放电）的发生。另外，本专利技术的目的是提供各自即使在 低温低湿下也可以抑制局部强放电（异常放电）的发生，并且可以形成高品质电子照相图像 的处理盒和电子照相设备。 用于解决问题的方案 根据本专利技术的一方面，提供一种充电构件，其包括:支承体;和支承体上的表面层， 其中表面层包含由下式(a)表示的化合物。 在式（a)中，LI表示具有由M10n/2表示的结构单元的聚金属氧烷 (polymetal Ioxane)。当金属原子Ml的价数为p时，η表示1以上且p以下的整数。Ml表示选自 由11、2广^\￥、他、了3^1、63、111和66组成的组的至少一种金属原子。 Xl表示由下式(1)-(4)表示的结构的任意之一。 在式(1)-(4)中，*表示与Al的结合部位和**表示与Ll中的Ml的结合部位。 Yl表示具有与Ll中的Ml配位的部位的基团。 (i)当Xl表示由式（1)表示的结构时，Al表示与Ml、X1和Yl-起形成四至八元环所 需的原子团，所述原子团包含芳香环，并且芳香环的一个构成碳原子与Xl的氧原子结合，和 (ii)当Xl表示由式(2)-(4)的任意之一表示的结构时，Al表示与MUXl和Yl-起形 成四至八元环所需的键或原子团。 根据本专利技术的另一方面，提供一种充电构件，其包括:支承体;和支承体上的表面 层，其中衷面层包含由下式(b)衷示的化合物。 在式(b)中，L2表不具有金属原子M2的金属醇盐或金属氢氧化物。M2表不选自由 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In和Ge组成的组的至少一种金属原子。 X2表示由下式(5)-(8)表示的结构的任意之一。 在式(5)-(8)中，*表示与A2的结合部位和**表示与L2中的M2的结合部位。 Y2表示具有与L2中的M2配位的部位的基团。 (i)当X2表示由式(5)表示的结构时，A2表示与M2、X2和Y2-起形成四至八元环所 需的原子团，所述原子团包含芳香环，并且芳香环的一个构成碳原子与X2的氧原子结合，和 (ii)当X2表示由式(6)-(8)的任意之一表示的结构时，A2表示与M2、X2和Y2-起形 成四至八元环所需的键或原子团。 根据本专利技术的又一方面，提供一种充电构件，其包括:支承体;和支承体上的表面 层，其中表面层包含由下式(C)和(d)表示的化合物的至少之一。在式（c)中， L3表示具有由M30m/2表示的结构单元的聚金属氧烷。M3表示选自由Ti、Zr、Hf、V、 Nb、Ta、W、Al、Ga、In和Ge组成的组的至少一种金属原子。当金属原子M3的价数为q时，m表示1 以上且q以下的整数。R1-R5各自独立地表示氢原子、具有1-4个碳原子的烷基或三甲基甲硅 烷基。环戊二烯基与L3中的金属原子M3配位。 在式（d)中，L4表示具有金属原子M4的金属醇盐或金属氢氧化物。M4表示选自由 11、2广批、￥、恥、了3、1^1、63、111和66组成的组的至少一种金属原子。1?6-1?10各自独立地表 示氢原子、具有1-4个碳原子的烷基或三甲基甲硅烷基。环戊二烯基与L4中的金属原子M4配 位。 根据本专利技术的又一方面，提供一种充电构件，其包括:支承体;和支承体上的表面 层，其中：表面层包含具有由M50k/2表示的结构单元的聚金属氧烷，其中M5表示选自由Ti、 2广批、￥、他、了 &^1、6&、111和66组成的组的至少一种金属原子，和当金属原子15的价数为 t时，k表示1以上且t以下的整数;和聚金属氧烷具有由下式(e)表示的结构。(0) 在式(e)中： X5表不由下式（12)-( 15)表不的结构的任意之一；[00411 Y5表示具有与M5配位的部位的基团；和 (i)当X5表示由式（12)表示的结构时，A5表示与M5、X5和Y5-起形成四至八元环所 需的原子团，所述原子团包含芳香环，并且芳香环的一个构成碳原子与X5的氧原子结合，和 (ii)当X5表示由式（13)-(15)的任意之一表示的结构时，A5表示与M5、X5和Y5-起 形成四至八元环所需的键或原子团。 在式（12)-( 15)中，*表示与A5的结合部位和**表示与M5的结合部位。根据本专利技术的又一方面，提供一种充电构件，其包括:支承体;和支承体上的表面 层，其中：表面层包含具有由M60i/2表示的结构单元的聚金属氧烷，其中M6表示选自由Ti、 2广批、￥、他、了 &^1、6&、111和66组成的组的至少一种金属原子，和当金属原子16的价数为 u时，1表示1以上且u以下的整数;和聚金属氧烷具有由下式(f)表示的结构。(f) 在式(f)中，R61-R65各自独立地表示氢原子、具有1-4个碳原子的烷基或三甲基甲 硅烷基，并且环戊二烯基与M6配位。 根据本专利技术的又一方面，提供一种处理盒，其包括:感光构件;和配置为能够使感 光构件的表面带电的充电构件，处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体，其中充电构 件包括上述充电构件。 根据本专利技术的又一方面，提供一种电子照相设备，其包括:感光构件;和配置为能 够使感光构件的表面带电的充电构件，其中充电构件包括上述充电构件。 专利技术的效果 根据本专利技术，可提供具有本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种充电构件，其包括：支承体；和所述支承体上的表面层，其特征在于，所述表面层包含由下式(a)表示的化合物：在所述式(a)中：L1表示具有由M1On/2表示的结构单元的聚金属氧烷；当金属原子M1的价数为p时，n表示1以上且p以下的整数；M1表示选自由Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In和Ge组成的组的至少一种金属原子；X1表示由下式(1)‑(4)表示的结构的任意之一；Y1表示具有与L1中的M1配位的部位的基团；和(i)当X1表示由式(1)表示的结构时，A1表示与M1、X1和Y1一起形成四至八元环所需的原子团，所述原子团包含芳香环，并且所述芳香环的一个构成碳原子与X1的氧原子结合，和(ii)当X1表示由式(2)‑(4)任意之一表示的结构时，A1表示与M1、X1和Y1一起形成四至八元环所需的键或原子团：*‑O‑** (1)*‑S‑** (3)*‑CO‑O‑** (4)在所述式(1)‑(4)中，*表示与A1的结合部位和**表示与L1中的M1的结合部位。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：土井孝之，竹野甲子夫，铃村典子，黛博志，儿玉真隆，山内健一，益启贵，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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