一种低电压检测电路制造技术

本发明专利技术提供了一种低电压检测电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一PMOS晶体管的源极接电源，栅极和漏极都接到第一齐纳二极管的负端；第一齐纳二极管的正端接第一电阻的一端、第二齐纳二极管的负端和第一NMOS晶体管的栅极；第一电阻的另一端接地；第一NMOS晶体管的源极接地，漏极接反相器的输入端和第三电阻的一端；第三电阻的另一端接第二电阻的一端和第二PMOS晶体管的栅极；第二电阻的另一端接电源；第二PMOS晶体管的源极接电源，漏极接第二齐纳二极管的正端；反相器的输出作为电路的输出端。本发明专利技术提供的低电压检测电路无需比较器，从而减小了低电压检测电路的面积，对应的功效也较小。

Low voltage detecting circuit

The invention provides a low voltage detection circuit, belonging to the technical field of semiconductor integrated circuits. The circuit includes a first PMOS transistor is connected to the power source, gate and drain negative terminal receives a first Zener diode; gate first Zener diode is connected with one end of the resistor is the first, the second Zener diode and the negative terminal of the first NMOS transistor; the other end of the first resistor is grounded; a source of the first NMOS transistor the very ground, end leakage input and third resistor is connected inverter gate third; the other end of the resistor is connected with a second resistance and second PMOS transistors; the other end is connected with the power supply of the second resistor; second PMOS transistors connected to the power source, is connected with second terminal leakage zener diode; inverter output as the output circuit. The low voltage detection circuit provided by the invention does not need a comparator, thereby reducing the area of the low voltage detection circuit and reducing the corresponding efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种低电压检测电路
本专利技术属于半导体集成电路
，具体涉及一种低电压检测电路。
技术介绍
在很多大型的电路系统，特别是处理器工作的系统中，需要对电路的电源电压进行检测。当电路的电源电压过低时，处理器的工作状态会有异常情况出现，这时候就需要低电压检测电路对电源电压进行检测。当电源电压过低时，关闭处理器，使得系统的输出不会出现异动。传统的低电压检测电路如图1所示，包括第一电阻R1、第二电阻R2比较器CMP1。第一电阻R1、第二电阻R2串联后连入电源电压VDD和地之间，从第一电阻R1的一端还连接比较器CMP1的负输入端，比较器CMP1的正输入端连接基准电压VREF，比较器CMP1的输出作为低电压检测电路的输出端OUT。上述低电压检测电路把电源电压通过两个电阻分压作为比较器的负输入端，比较器的正输入端接一个不随电源电压变化的基准电压，通过这两点电压的比较，即可得出电源电压是否已经进入了低电压区域。这种传统的低电压检测电路，由于低功耗的要求，需要一个面积很大的电阻串和一个精度较高比较器，这使得这个低电压检测电路的面积和功耗都比较大。
技术实现思路
为解决现有低电压检测电路面积和功耗比较大的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电压检测电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第一齐纳二极管D1、第二齐纳二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和反相器INV1；第一PMOS晶体管P1的源极接电源VDD，栅极和漏极都接到第一齐纳二极管D1的负端；第一齐纳二极管D1的正端接第一电阻R1的一端、第二齐纳二极管D2的负端和第一NMOS晶体管N1的栅极；第一电阻R1的另一端接地；第一NMOS晶体管N1的源极接地，漏极接反相器INV1的输入端和第三电阻R3的一端；第三电阻R3的另一端接第二电阻R2的一端和第二PMOS晶体管P2的栅极；第二电阻R2的另一端接电...

【技术特征摘要】
1.一种低电压检测电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第一齐纳二极管D1、第二齐纳二极管D2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和反相器INV1；第一PMOS晶体管P1的源极接电源VDD，栅极和漏极都接到第一齐纳二极管D1的负端；第一齐纳二极管D1的正端接第一电阻R1的一端、第二齐纳二极管D2...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长沙方星腾电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43