化银工艺中爬银的抑制方法技术

本发明专利技术属于抑制爬银技术领域，为解决现有的化银工艺中爬银严重，影响电路板使用性能的技术问题。本发明专利技术提供一种化银工艺中爬银的抑制方法，一种化银工艺中爬银的抑制方法，包括步骤A；A.有机醇胺处理：在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润，得到抑制处理后的电路板。本发明专利技术的化银工艺中爬银的抑制方法，采用有机醇胺对待化银电路板进行处理，实现了在化银工艺中有效抑制爬银的目的；本发明专利技术使用方便，操作简单，且效率高，成本低。

Restraining method of silver climbing in silver smelting process

The invention belongs to the technical field of suppressing climbing silver, in order to solve the technical problems of the serious silver climbing in the existing silver smelting process and the influence of the performance of the circuit board. The invention provides a method for inhibiting climbing a silver silver craft, a method of inhibiting climbing silver silver craft, which comprises the following steps: A A.; organic amine treatment with organic amine infiltration in the surface of the circuit board of silver before the treat of silver, was suppressed after the treatment of circuit board. Methods of inhibiting silver silver climbing process of the invention, using organic amine to silver circuit board processing, realize the effective suppression of silver in silver to climb in the process; the invention has the advantages of convenient use, simple operation, high efficiency and low cost.

【技术实现步骤摘要】
化银工艺中爬银的抑制方法
本专利技术属于抑制爬银
，具体涉及一种化银工艺中爬银的抑制方法。
技术介绍
一般来说印制电路板多采用化银工艺进行金属化表面处理，但是其存在的缺点是容易产生爬银从而影响电路板的质量和使用寿命。爬银问题会影响线路线宽线隙，从而影响线路信号传递，严重时会导致信号偏移、失真，使其失去原有的功能。目前还没有一种技术专用于解决化银工艺的爬银(SilverOverflow)问题。对于当前在化银工艺中出现的爬银问题也没有特别有效的解决方法，现有的方法只能起到改善作用，生产效率低，成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决以上现有技术中存在的技术问题，提供一种爬银抑制效果好、生产成本低的化银工艺中爬银的抑制方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种化银工艺中爬银的抑制方法，包括步骤A；A.有机醇胺处理：在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润，得到抑制处理后的电路板。进一步的，在步骤A之前，还包括步骤S，S.待化银的电路板的预处理：电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后，得到待化银的电路板。进一步的，在步骤A之后，还包括步骤J，J.化银：将待化银的电路板进行化银处理。进一步的，所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一种或几种。进一步的，所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液；所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15％-25％。进一步的，所述单乙醇胺的浸润温度为40-60℃。进一步的，所述单乙醇胺的浸润时间为10-20min。本专利技术相对于现有技术的有益效果是：本专利技术的化银工艺中爬银的抑制方法，采用有机醇胺作为抑制剂，通过将现有的化银工艺进行改进，即在电路板进行化银操作时先用有机醇胺进行处理，经过本专利技术中的实验测试，优选出了单乙醇胺水溶液作为最佳的抑制剂，并在优化条件下，实现了最优的抑制爬银的技术效果，从而，本专利技术的方法可以抑制印制电路板在化银工艺中出现的爬银品质缺陷，并且使用方便，操作简单，进而采用本专利技术后生产效率更高，相对成本更低。附图说明图1本专利技术测试例1未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。图2本专利技术测试例1低温下(20℃-30℃)采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板。图3本专利技术测试例1高温下(40℃-60℃)采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板。图4本专利技术测试例2未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。图5本专利技术测试例2采用低浓度单乙醇胺水溶液(质量分数为5％-10％)进行爬银抑制处理后的印制电路板。图6本专利技术测试例2采用高浓度单乙醇胺水溶液(质量分数为15％-25％)进行爬银抑制处理后的印制电路板。图7本专利技术测试例3未采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后的印制电路板。图8本专利技术测试例3采用单乙醇胺水溶液短时间内(2min-6min)进行爬银抑制处理后的印制电路板。图9本专利技术测试例3采用单乙醇胺水溶液长时间内(10min-20min)进行爬银抑制处理后的印制电路板。图10现有技术未做爬银抑制处理得到的印制电路板。图11采用本专利技术的爬银抑制处理方法得到的印制电路板。其中，图1中爬银宽度L1为27～36μm，图2中爬银宽度L2为11～16μm；图3中没有爬银；图4中爬银宽度L3为27～29μm；图5中爬银宽度L4为13～15μm；图6中没有爬银；图7中爬银宽度L5为27～36μm；图8中爬银宽度L6为11～12μm；图9中没有爬银；图10中爬银宽度L7＞26μm；图11中没有爬银。具体实施方式以下结合实施例对本专利技术的技术方案进行详细的说明，以使本领域的技术人员在阅读了本专利技术说明书的基础上能够充分完整的实现本专利技术的技术方案，并解决本专利技术所要解决的现有技术中存在的问题。应当说明的是，以下仅是本专利技术的优选实施方式，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些应当都属于本专利技术的保护范围。实施例一种化银工艺中爬银的抑制方法，包括步骤A；A.有机醇胺处理：在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润，得到抑制处理后的电路板。现有的电路板的制作方法主要流程包括除油→水洗→微蚀→水洗→预浸→化银→水洗→清洁→水洗→烘干最后得到电路板，而使用该工艺最多的是印制电路板的制备，本专利技术以印制电路板为例来说明本专利技术的方法的基本原理和效果。本专利技术的印制电路板在化银工艺前使用本技术即有机醇胺进行处理，然后再进行化银工艺制作，专利技术人发现有机醇胺类物质能够有效的控制印制电路板在制作过程所吸附的活性金属，使其在化银工艺中失去活性，从而使银不能沉积在板料上。其作用原理可能是因为其有机醇胺中含有氨基，氨基与板料吸附上的活性金属颗粒，如锡等发生络合反应，从而有效阻止其与银离子发生置换反应，从而达到抑制爬银的目的。处理前后的印制电路板如图10和图11所示。进一步的，在步骤A之前，还包括步骤S，S.待化银的电路板的预处理：电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后，得到待化银的电路板。进一步的，在步骤A之后，还包括步骤J，J.化银：将待化银的电路板进行化银处理。本专利技术的抑制方法操作简单，在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺或有机醇胺稀释后的溶液进行浸润处理，在进行相关的化银操作即可。为了取得较好的爬银抑制效果，本专利技术对现有的技术进行改进，在化银之前，预浸之后增加上述步骤A，对电路板进行抑制处理，然后在A步骤之后按照现有的方式进行化银操作从而更好的抑制化银工艺产生的爬银问题。进一步的，所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一种或几种。进一步的，所述步骤A中所述有机醇胺为单乙醇胺水溶液；所述单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15％-25％。进一步的，所述单乙醇胺的浸润温度为40-60℃。进一步的，所述单乙醇胺的浸润时间为10-20min。经过实验和优选，为了在较短的时间内和较低的温度下实现化银工艺中对爬银较好的抑制效果，本专利技术对步骤A中所使用的有机醇胺的种类，方式以及温度和浸润时间进行了研究。实验证实，在有机醇胺为含有质量分数为15％-25％的单乙醇胺的单乙醇胺水溶液、浸润温度为40-60℃、浸润时间为10-20min时，成本最低，时间最短效果最佳。测试例1温度对本专利技术采用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后得到的印制电路板的质量的影响本测试例是在其它参数如单乙醇胺水溶液浓度、浸润温度和浸润时间等因素不变的情况下，单独改变温度来测试温度变化对抑制爬银的影响，即本测试例的单乙醇胺水溶液中单乙醇胺的质量分数为15％-25％和浸润时间为10-20min。如图1-3所示，图1中，采用现有的化银工艺制成的印制电路板，其存在严重的爬银现象，其宽度在27-36μm；而在温度为20～30℃下采用本专利技术对现有的工艺流程进行改进的方法，用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后再进行化银处理得到的印制电路板，其爬银现象显著改善，如图2所示，其宽度为11～16μm；而在温度为40～60℃下采用本专利技术对现有的工艺流程进行改进的方法，用单乙醇胺水溶液进行爬银抑制处理后再进行化银处理得到的印制电路板，如图3所示，爬银已经完全消除，从而本专利技术的方法，将温度控制在40～60℃下用单乙醇胺水溶液处理后，具有最佳的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，包括步骤A；A.有机醇胺处理：在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润，得到抑制处理后的电路板。

【技术特征摘要】
1.一种化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，包括步骤A；A.有机醇胺处理：在化银前对待化银的电路板表面用有机醇胺浸润，得到抑制处理后的电路板。2.根据权利要求1所述的化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，在步骤A之前，还包括步骤S，S.待化银的电路板的预处理：电路板依次经过除油、水洗、微蚀、水洗、预浸后，得到待化银的电路板。3.根据权利要求2所述的化银工艺中爬银的抑制方法，其特征在于，在步骤A之后，还包括步骤J，J.化银：将待化银的电路板进行化银处理。4.根据权利要求1-3任意一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志春，
申请(专利权)人：陈志春，
类型：发明
国别省市：广东,44