The invention discloses a single-phase grid connected inverter, a single-phase grid connected inverter circuit and a control method thereof. The single-phase grid connected inverter comprises a capacitor connected with the DC power supply, a control module, a first full bridge inverting module and a second full bridge inverting module. According to the invention, a single-phase full bridge inverter structure in traditional single-phase single-stage full bridge inverter topology, two level full bridge inverter topology using sinusoidal pulse width modulation, the arbitrary switching transistor level full bridge inverter topology in advance or delay the half cycle pulse with pulse switch transistor equal position in another the full bridge inverter topology in the. The high frequency time-varying voltage of the parasitic capacitance of the single-phase inverter system is reduced, the common mode leakage current is reduced, the efficiency of the inverter is improved, and the safety regulation and the authentication standard are met.
【技术实现步骤摘要】
一种单相并网逆变器、单相并网逆变电路及控制方法
本专利技术涉及电路
,具体而言,涉及一种单相并网逆变器、单相并网逆变电路及控制方法。
技术介绍
在相关技术中,并网逆变器是把直流电逆变成交流电并到电网。单相并网逆变器一般是通过全桥逆变电路把直流逆变成交流输送给电网,且单相并网逆变器一般采用单级全桥拓扑结构。图1是相关技术中单级全桥逆变电路的结构示意图,如图1所示,全桥逆变电路包括:电源PV,电容C,晶体管S1、S2、S3、S4,二极管D1、D2、D3、D4,电感L1、L2。为追求较高逆变效率和较小的输出电流谐波,单相并网逆变器大多采用单极性调制工作。但是,单极性调制工作会让逆变器有较大的共模漏电流,导致逆变器效率的降低,同时也是很多国内认证标准和国外认证标准不容许的。图2是相关技术中单级全桥逆变电路漏电流示意图,如图2所示,C2为PV电池板对大地的寄生电容,I为系统漏电流。当晶体管S1、S2、S3、S4和二极管D1、D2、D3、D4按单极性调制工作时,晶体管的高频通断会产生高频时变电压作用在C2上,这样就会带来较大漏电流I。所以,提高单相并网逆变器效率,减小逆 ...
【技术保护点】
一种单相并网逆变器,其特征在于,包括:并接在直流电源两端的电容、控制模块、第一全桥逆变模块、第二全桥逆变模块;其中,所述第一全桥逆变模块与所述第二全桥逆变模块并联连接,且均接在所述直流电源的两端;所述控制模块,与所述第一全桥逆变模块连接,也与所述第二全桥逆变模块连接,用于控制所述第一全桥逆变模块和所述第二全桥逆变模块,使得所述第一全桥逆变模块中的晶体管相对于所述第二全桥逆变模块中同等位置处的晶体管的开关脉冲超前或延时半周期。
【技术特征摘要】
1.一种单相并网逆变器,其特征在于,包括:并接在直流电源两端的电容、控制模块、第一全桥逆变模块、第二全桥逆变模块;其中,所述第一全桥逆变模块与所述第二全桥逆变模块并联连接,且均接在所述直流电源的两端;所述控制模块,与所述第一全桥逆变模块连接,也与所述第二全桥逆变模块连接,用于控制所述第一全桥逆变模块和所述第二全桥逆变模块,使得所述第一全桥逆变模块中的晶体管相对于所述第二全桥逆变模块中同等位置处的晶体管的开关脉冲超前或延时半周期。2.根据权利要求1所述的单相并网逆变器,其特征在于,所述第一全桥逆变模块包括:晶体管S1、S2、S3、S4,二极管D1、D2、D3、D4,电感L1、L2;其中,所述晶体管S1、S2、S3、S4分别与所述二极管D1、D2、D3、D4并联;所述晶体管S1、S2的输入端接所述直流电源的正极,所述晶体管S1的输出端同时接所述晶体管S3的输入端和所述电感L1的第一端,所述晶体管S2的输出端同时接所述晶体管S4的输入端和所述电感L2的第一端;所述晶体管S3和S4的输出端接所述直流电源的负极;所述电感L1的第二端和所述电感L2的第二端均与所述电网连接。3.根据权利要求1所述的单相并网逆变器,其特征在于,所述第二全桥逆变模块包括:晶体管S5、S6、S7、S8,二极管D5、D6、D7、D8,电感L3、L4;其中,所述晶体管S5、S6、S7、S8分别与所述二极管D5、D6、D7、D8并联;所述晶体管S5、S6的输入端接所述直流电源的正极,所述晶体管S5的输出端同时接所述晶体管S7的输入端和所述电感L3的第一端,所述晶体管S6的输出端同时接所述晶体管S8的输入端和所述电感L4的第一端;所述晶体管S7和S8的输出端接所述直流电源的负极;所述电感L3的第二端和所述电感L4的第二端均与所述电网连接。4.根据权利要求1所述的单相并网逆变器,其特征在于,所述第一全桥逆变模块和所述第二全桥逆变模块共用直流母线。5.根据权利要求1所述的单相并网逆变器,其特征在于,所述第一全桥逆变模块和所述第二全桥逆变模块均按照正弦脉宽调制工作。6.根据权利要求1所述的单相并网逆变器,其特征在于,所述控制模块是中央处理器CPU。7.根据权利要求1所述的单相并网逆变器,其特征在于,所述控制模块为一个或两个。8.根据权利要求7所述的单相并网逆变器,其特征在于,当所述控制模块为两个时,两个所述控制模块分别控制所述第一全桥逆变模块和所述第二全桥逆变模块。9.一种单相并网逆变电路,其特征在于,包括:控制模块、第一全桥逆变模块、第二全桥逆变模块;其中,所述第一全桥逆变模块与所述第二全桥逆变模块并联连接,且均接在直流电源的两端;所述控制模块,与所述第一全桥逆变模块连接,也与所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘龙,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。