背接触异质结太阳电池及其发射极、太阳电池制备方法技术
Back contact heterojunction solar cell and its emitter, method for preparing solar cell
The present invention relates to the technical field of solar cell, a back contact heterojunction solar cell emitter is disclosed, comprising at least one layer of CrOx thin films. The invention also discloses a back contact heterojunction solar cell adopting the emitter and a preparation method thereof. The invention can greatly improve the efficiency of the solar cell.
【技术实现步骤摘要】
背接触异质结太阳电池及其发射极、太阳电池制备方法
本专利技术涉及太阳电池
，特别是涉及一种背接触异质结太阳电池及其发射极、太阳电池制备方法。
技术介绍
背接触异质结(Heterojunctionbackcontact，简称HBC)太阳电池作为高效太阳电池的一种，其结合了叉指状背接触(Interdigitatedbackcontat，简称IBC)太阳电池与异质结(HeterojunctionwithIntrinsicThinlayer，简称HIT)太阳电池的优点，可以大大提高太阳电池效率。一般的HBC太阳电池的结构从上到下依次包括钝化层、晶体硅层、非晶硅钝化层、发射极以及发射极电极和基区电极。其中，基于IBC太阳电池的优势，HBC太阳电池的前表面也无金属电极，而是通过掩膜或者光刻工艺在硅片的背表面形成叉指状结构的发射极与背场区域，并在发射极和背场区域设置相应的发射极电极和基区电极，，从而避免因硅片的前表面设置金属电极而造成的遮光损失，提高电池效率。而基于HIT太阳电池的优势，HBC太阳电池又是由晶体硅(c-Si)和重掺杂的非晶硅(a-Si:H)形成的高效电池结...
【技术保护点】
一种背接触异质结太阳电池的发射极，其特征在于，由上至下包括至少一层CrOx薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结太阳电池的发射极，其特征在于，由上至下包括至少一层CrOx薄膜。2.如权利要求1所述的背接触异质结太阳电池的发射极，其特征在于，当所述CrOx薄膜为两层以上时，相邻两层所述CrOx薄膜之间还设有金属薄膜。3.如权利要求2所述的背接触异质结太阳电池的发射极，其特征在于，当所述背接触异质结太阳电池发射极为一层CrOx薄膜时，所述CrOx薄膜的厚度为5-20nm；或者当所述背接触异质结太阳电池的发射极包括两层CrOx薄膜时，两层所述CrOx薄膜的厚度与设于两层所述CrOx薄膜之间的金属薄膜的厚度总和为5-20nm；或者当所述背接触异质结太阳电池的发射极包括两层CrOx薄膜时，两层所述CrOx薄膜的厚度均为5nm，设于两层所述CrOx薄膜之间的金属薄膜的厚度为4nm。4.如权利要求2或3所述的背接触异质结太阳电池的发射极，其特征在于，所述金属薄膜为Au薄膜、Ag薄膜、Pd薄膜、Cu薄膜、Ni薄膜、Mo薄膜、W薄膜以及Al薄膜中的一种。5.一种背接触异质结太阳电池，其特征在于，包括：硅基体、设于所述硅基体的前表面的第一钝化层、设于所述硅基体的背表面的第二钝化层、设于所述第二钝化层的背表面的如1-4任一项所述的发射极、设于所述发射极上的发射极电极以及设于所述第二钝化层上的基区电极。6.如权利要求5所述的背接触异质结太阳电池，其特征在于，所述背接触异质结太阳电池还包括设于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈辉，吴伟梁，梁宗存，林文杰，包杰，刘宗涛，赵影文，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东,44
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