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背接触异质结太阳电池及其发射极、太阳电池制备方法技术
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文档序号:16218304
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本发明涉及太阳电池技术领域,公开了一种背接触异质结太阳电池的发射极,由上至下包括至少一层CrOx薄膜。本发明还公开了一种采用上述发射极的背接触异质结太阳电池及其制备方法。本发明可以大大提高太阳电池的效率。...
该专利属于中山大学所有,仅供学习研究参考,未经过中山大学授权不得商用。
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