The invention relates to a manufacturing method of a capacitor, is formed on the surface of a conductor dielectric layer as a method of manufacturing a capacitor electrode, another electrode of a semiconductor layer as that produced electrically small defects in the dielectric layer, the conduction method of forming the semiconductor layer on the dielectric layer. The capacitor obtained by the manufacturing method of the invention has the advantages of good capacitance appearance, low ESR and excellent reliability.
【技术实现步骤摘要】
电容器的制造方法
本专利技术涉及电容出现率好、等效串联电阻(ESR)低且具有可靠性的电容器的制造方法。
技术介绍
例如，在电脑等中使用的CPU(中央处理器)周围的电容器，要求能够降低高纹波(Ripple)电流通过时的发热、抑制电压变动、以及为高电容且低ESR，通常，将多个铝固体电解电容器或钛固体电解电容器并联使用。上述的固体电解电容器，以表面层具有微细的微孔的铝箔或内部具有微小的细孔的钛烧结体作为一个电极，由形成在该电极的表层的电介质层和设置在该电介质层上的另一个电极(通常为半导体层)构成。如果在上述一个电极的全部细孔表面上都覆盖作为另一个电极的半导体，则可以100％满足一个电极所具有的作为电容器的预期电容，但是为了近100％地完全覆盖半导体层，不仅需要非常大量的时间，而且由于用焊锡将所制出的电容器安装到基板上时的焊锡热使元件受到热应力，所以有时电容器的漏电流值(以下简称为LC值)上升。
技术实现思路
为解决上述问题而进行了深入的研究，结果发现了一种半导体层的形成方法，该方法能够在比较短的时间内，将从一个电极的微孔表面积所预期的电容基本维持在将近100％，进而缓和在安...
【技术保护点】
一种电容器的制造方法，是以在表面上形成有电介质层的导体作为一个电极、以半导体层作为另一个电极的电容器的制造方法，其特征在于，在上述电介质层上制作电性微小缺陷部分使得导体单位表面积的漏电流值变为小于等于500μA/M2，然后利用通电方法在电介质层上形成上述半导体层。
【技术特征摘要】
1.一种电容器的制造方法，是以在表面上形成有电介质层的导体作为一个电极、以半导体层作为另一个电极的电容器的制造方法，其特征在于，在上述电介质层上制作电性微小缺陷部分使得导体单位表面积的漏电流值变为小于等于500μA/M2，然后利用通电方法在电介质层上形成上述半导体层。2.根据权利要求1所述的电容器的制造方法，导体选自金属、无机半导体、有机半导体和碳中的至少1种；导体为表层具有选自金属、无机半导体、有机半导体和碳中的至少1种导体的层压体；半导体为选自有机半导体和无机半导体中的至少1种的半导体；电介质为选自金属氧化物和高分子中的至少1种的电介质，金属氧化物是通过化学转化处理具有金属元素的导体而得到的金属氧化物；通过使表面形成有电介质层的导体与该电介质层的腐蚀性气体或者腐蚀性液体接触，来制造形成于电介质层的电性微小缺陷部分，腐蚀性气体为卤素气体、或者含有酸或碱成分的水蒸气、空气、氮气或氩气，腐蚀性液体为使水或有机溶剂中含有卤素成分、酸或碱成分而形成的溶液；通过使微小接触物附着在表面上形成有电介质层的导体上，来制造形成于电介质层上的电性微小缺陷部分，微小接触物为选自金属氧化物、盐、含有过渡元素的无机化合物、含有过渡元素的有机化合物、和高分子化合物中的至少1种；有机半导体为选自下述半...
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