1‑40GHz在片S参数测量方法技术

本发明专利技术公开了一种1‑40GHz在片S参数测量方法，涉及微波/毫米波在片S参数计量技术领域，包括步骤：1）、设计在片S参数验证件的实现形式；2）、设计在片S参数验证件的结构；3）、仿真优化在片S参数验证件；4）、在片S参数验证件定标；5）、定标结果不确定度评定；本发明专利技术通过设计1‑40GHz在片S参数测量方法，通过设计在片S参数验证件的实现形式、设计在片S参数验证件的结构、仿真优化在片S参数验证件、在片S参数验证件定标、定标结果不确定度评定等步骤实现在片S参数的测量，同时此种方法使用温度为‑55℃‑125℃，增大了测试温度范围。

The measurement method of S parameter in 1 40GHz

The invention discloses a method for measuring 40GHz in 1 S parameters involving microwave / millimeter wave technology in the field, S parameter measurement comprises the following steps: 1), in the design S parameter validation realization form of parts; 2), S in the design parameter to verify the structure; 3), simulation and optimization the S parameter validation; 4), in the film the S parameter to verify the calibration piece; 5), the result of calibration uncertainty; the invention through the design of 1 40GHz in S parameter measurement method, through the design in the S parameter validation of realization, the design in the S structure, parameter validation the imitation, in the film really optimized S parameter validation component calibration, calibration results of uncertainty and other steps to achieve the measurement in the S parameter in the S parameters, and the method used for temperature 55 degrees 125 degrees, increasing the testing temperature range.

【技术实现步骤摘要】
1-40GHz在片S参数测量方法
本专利技术涉及微波/毫米波在片S参数计量
，特别是涉及一种1-40GHz在片S参数测量方法。
技术介绍
测量在片S参数(也就是散射参数，是微波传输中的一个重要参数)的仪器称之为在片S参数测量系统，其主要组成包括：矢量网络分析仪和微波探针台，其中矢量网络分析仪是测量仪器，通过微波电缆将矢网的同轴或波导输入/输出端口，连接到微波探针台的探针头，从而实现测量信号与半导体芯片的连接。由于是芯片级的S参数测量，业内将其称作在片S参数测量。在微波探针台专利技术之前，芯片的S参数测试都在封装后的测试夹具(一般为同轴或波导接口，从而与矢量网络分析仪直接连接)上进行，显然其测量结果包含了测试夹具的影响，使测量结果存在较大不确定度，给芯片模型建立和质量评价带来了困扰。微波探针台的专利技术，实现了对裸芯片的直接测量，从而降低了芯片测量成本，特别是芯片表征和质量控制成本。经过几十年的发展，在片S参数测量系统已经成为考核半导体芯片质量和水平最重要测量工具。目前，国内计量技术机构已经建立了矢量网络分析仪的计量能力，即解决了同轴(67GHz)和波导(110GHz)测量模式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种1‑40GHz在片S参数测量方法，包括步骤：1）、设计在片S参数验证件的实现形式；2）、设计在片S参数验证件的结构；3）、仿真优化在片S参数验证件；4）、在片S参数验证件定标；5）、定标结果不确定度评定；其特征在于：所述步骤2）中设计在片S参数验证件的结构包括衬底、金属带线和镍铬电阻；所述步骤3）中利用ADS中的LineCalc计算软件计算得到等效介电常数，利用等效介电常数计算出微波信号相对相位变化。

【技术特征摘要】
1.一种1-40GHz在片S参数测量方法，包括步骤：1）、设计在片S参数验证件的实现形式；2）、设计在片S参数验证件的结构；3）、仿真优化在片S参数验证件；4）、在片S参数验证件定标；5）、定标结果不确定度评定；其特征在于：所述步骤2）中设计在片S参数验证件的结构包括衬底、金属带线和镍铬电阻；所述步骤3）中利用ADS中的LineCalc计算软件计算得到等效介电常数，利用等效介电常数计算出微波信号相对相位变化。2.根据权利要求１所述的1-40GHz在片S参数测量方法，其特征在于：所述步骤2）中在片S参数验证件结构中衬底厚度450μm-550μm，金属带线厚度为200nm-300nm，镍铬电阻阻值为50Ω/□。3.根据权利要求１所述的1-40GHz在片S参数测量方法，其特征在于：所述衬底材料为GaAs。4.根据权利要求１所述的1-40GHz在片S参数测量方法，其特征在于：所述金属带线采用金属蒸发...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晨，吴爱华，孙静，梁法国，王一帮，栾鹏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13