易于集成的温度检测电路制造技术

技术编号:16214729 阅读:61 留言:0更新日期:2017-09-15 20:46
一种易于集成的温度检测电路,包括温度采集模块和温度计算模块;所述温度采集模块的输出端连接所述温度计算模块的输入端;所述温度计算模块的输出端即为所述温度检测电路的输出端;所述温度采集模块包括带隙基准源、恒流电流源、恒流电流阱、单刀双掷开关、三极管、电容和比较器。本发明专利技术提供了一种体积小、功耗低、使用方便的易于集成的温度检测电路。

Temperature detecting circuit easy to integrate

An easy temperature detection circuit integration, including temperature acquisition module and temperature calculation module; the output end of the temperature acquisition module is connected with the input end of the temperature calculation module; the output module calculates the temperature of the end is the output terminal of the temperature detection circuit; the temperature acquisition module includes a bandgap reference the source, constant current source, constant current sink, SPDT Switch, transistor, capacitor and comparator. The invention provides a temperature detecting circuit which is easy to integrate with small volume, low power consumption and convenient use.

【技术实现步骤摘要】
易于集成的温度检测电路
本专利技术涉及温度检测电路,特别是涉及一种易于集成的温度检测电路。
技术介绍
温度检测电路常用于各类集成电路系统中,用于检测系统工作温度。在某些应用中可以代替分立温敏元件,用于检测环境温度,从而大大降低成本,减小系统体积。
技术实现思路
为了克服已有温度检测电路的体积较大、功能较大、使用不便的不足,本专利技术提供了一种体积小、功耗低、使用方便的易于集成的温度检测电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种易于集成的温度检测电路,包括温度采集模块和温度计算模块;所述温度采集模块的输出端连接所述温度计算模块的输入端;所述温度计算模块的输出端即为所述温度检测电路的输出端;所述温度采集模块包括带隙基准源、恒流电流源、恒流电流阱、单刀双掷开关、三极管、电容和比较器;所述带隙基准源产生恒定参考电压和所述恒流电流源,恒定参考电压和所述恒流电流源通过所述单刀双掷开关与所述电容正极连接,所述电容负极接地;所述带隙基准源产生的恒流电流阱与所述三极管发射极连接,所述三极管的基极和集电极接地;所述电容的正极与所述三极管发射极还分别连接所述比较器的正负两端;所述比较器的输出端连接本文档来自技高网...
易于集成的温度检测电路

【技术保护点】
一种易于集成的温度检测电路,其特征在于:所述温度检测电路包括温度采集模块和温度计算模块;所述温度采集模块的输出端连接所述温度计算模块的输入端;所述温度计算模块的输出端即为所述温度检测电路的输出端;所述温度采集模块包括带隙基准源、恒流电流源、恒流电流阱、单刀双掷开关、三极管、电容和比较器;所述带隙基准源产生恒定参考电压和所述恒流电流源,恒定参考电压和所述恒流电流源通过所述单刀双掷开关与所述电容正极连接,所述电容负极接地;所述带隙基准源产生的恒流电流阱与所述三极管发射极连接,所述三极管的基极和集电极接地;所述电容的正极与所述三极管发射极还分别连接所述比较器的正负两端;所述比较器的输出端连接所述单刀...

【技术特征摘要】
1.一种易于集成的温度检测电路,其特征在于:所述温度检测电路包括温度采集模块和温度计算模块;所述温度采集模块的输出端连接所述温度计算模块的输入端;所述温度计算模块的输出端即为所述温度检测电路的输出端;所述温度采集模块包括带隙基准源、恒流电流源、恒流电流阱、单刀双掷开关、三极管、电容和比较器;所述带隙基准源产生恒定参考电压和所述恒流电流源,恒定参考电压和所述恒流电流源通过所述单刀双掷开关与所述电容正极连接,所述电容负极接地;所述带隙基准源产生的恒流电流阱与所述三极管发射极连接,所述三极管的基极和集电极接地;所述电容的正极与所述三极管发射极还分...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴丽丽余佩琼施朝霞
申请(专利权)人:浙江工业大学
类型:发明
国别省市:浙江,33

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