一种防噪声保护环制造技术
Noise proof protective ring
The utility model discloses an anti noise protection ring, including P substrate, N trap and P trap P substrate contact, the N and P wells are respectively arranged on the P substrate, the N trap and power VDD connected to the P well grounded through the P substrate contact. P substrate and N wells PN junction. Is that the utility model has the advantages and beneficial effects that can not only suppress and eliminate the noise of the substrate is connected to ground; noise can also be directly connected to the parasitic capacitance to eliminate parasitic capacitance, avoid noise passing through the P substrate to sensitive module, has enhanced the suppression and elimination of substrate noise, and without increasing chip area. The cost is reduced; and the interaction between the sensitive module partition, and the noise of parasitic capacitance is connected directly to the elimination, has enhanced the suppression and elimination of substrate noise, avoid sensitive module mutual interference effect.
【技术实现步骤摘要】
一种防噪声保护环
本技术涉及电子领域，特别涉及一种防噪声保护环。
技术介绍
现有的芯片为了抑制衬底耦合噪声以及电容耦合噪声，通常采用物理距离隔离等方法。物理距离隔离其噪声水平随着噪声源与敏感电路的距离增大而下降，但是其付出的代价是芯片面积的增加，成本增加。单保护环隔离，其抑制衬底噪声效果不那么显著。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供一种防噪声保护环。本技术方案将敏感模块设置在防噪声保护环的P衬底上，P衬底接触与基板连接；通过利用P衬底接触收集P衬底产生的衬底噪声，并将衬底噪声连接到地消除；通过将N阱与电源VDD相连，并将P阱通过P衬底接触接地，使P衬底与N阱形成反偏的PN结，使得P衬底产生的噪声电压很难穿过N阱，进而抑制了P衬底产生衬底噪声；同时，电路内部模块之间的会产生寄生电容干扰，因此，将P衬底接触通过金属层接地，将寄生电容的噪声直接连接到地消除，避免了寄生电容噪声穿过P衬底到达敏感模块的情况。本技术中的一种防噪声保护环，包括P衬底、N阱、P阱和P衬底接触，所述N阱和P阱分别设置在所述P衬底上，所述N阱与电源VDD相连，所述P阱通过P衬底接触接地，所述P衬底...
【技术保护点】
一种防噪声保护环，其特征在于，包括P衬底、N阱、P阱和P衬底接触，所述N阱和P阱分别设置在所述P衬底上，所述N阱与电源VDD相连，所述P阱通过P衬底接触接地，所述P衬底与N阱构成反偏PN结。
【技术特征摘要】
1.一种防噪声保护环，其特征在于，包括P衬底、N阱、P阱和P衬底接触，所述N阱和P阱分别设置在所述P衬底上，所述N阱与电源VDD相连，所述P阱通过P衬底接触接地，所述P衬底与N阱构成反偏PN结。2.根据权利要求1所述的一种防噪声保护环，其特征在于，所述P衬底接触背向所述P阱的一侧具有金属层，所述金属层覆盖所述P衬底接触。3.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：李露，袁永斌，宫海龙，廖宝斌，
申请(专利权)人：贵州木弓贵芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州,52
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。