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本实用新型公开了一种防噪声保护环，包括P衬底、N阱、P阱合P衬底接触，所述N阱和P阱分别设置在所述P衬底上，所述N阱与电源VDD相连，所述P阱通过P衬底接触接地，所述P衬底与N阱构成PN结。本实用新型的优点和有益效果在于：不仅能够同时抑制和...
该专利属于贵州木弓贵芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州木弓贵芯微电子有限公司授权不得商用。

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