温度增益均衡器制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的温度增益均衡器。该均衡器包括了一个电压变换模块和一个衰减模块。所述温度增益均衡器使用NMOS晶体管替代原衰减网络的电阻，利用电压变换模块产生不同的栅极电压控制晶体管。单个均衡器在‑55℃～125℃工作温度下可均衡增益3dB。均衡器驻波良好，面积极小，可在不影响原系统布局的前提下，对系统进行增益均衡。该方案适用于毫米波单片集成电路领域，对军事作战及航空航天的电路系统有极大的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
温度增益均衡器
本专利技术涉及毫米波
，具体涉及一个基于SiGeBiCMOS工艺，能在不同温度下具有增益调节功能的温度增益均衡器。
技术介绍
毫米波具有宽频带、高精度、高分辨率和大信息容量。随着毫米波技术的发展，系统的复杂度和成本增加，系统逐渐往单片集成发展。SiGeBiCMOS工艺不仅可以为射频和模拟提供高性能的SiGeHBT工艺、并且可以为数字电路设计提供高密度集成的CMOS工艺。因此基于SiGeBiCMOS工艺的毫米波收发前端单片集成电路为毫米波相控阵技术的发展必须。基于SiGeBiCMOS工艺的半导体器件相较于GaAs/InP/GaN等工艺而言，其器件的工作结温上升更快，加之硅基衬底热传导性不佳，制约着SiGeBiCMOS工艺器件的应用发展。在SiGeBiCMOS工艺中，晶体管的最大截至频率随温度升高而降低，用该特性的晶体管设计的有源电路(低噪声放大器或者功率放大器)必然在高温的时候增益降低，在低温的时候增益增大。如此，采用该工艺进行设计的系统在温度变化很大的应用场景，其工作特性将会变得很不稳定。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是SiGeBiCMOS工艺的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
温度增益均衡器，所述均衡器包括衰减模块(101)和电压转换模块(201)。在电路工作时，通过电压转换模块的栅极控制电压随温度变换，改变衰减模块的衰减量。该均衡器在‑55℃～125℃温度变化范围内可均衡增益3dB，降低了器件的温度不良特性对系统增益的影响。

【技术特征摘要】
1.温度增益均衡器，所述均衡器包括衰减模块(101)和电压转换模块(201)。在电路工作时，通过电压转换模块的栅极控制电压随温度变换，改变衰减模块的衰减量。该均衡器在-55℃～125℃温度变化范围内可均衡增益3dB，降低了器件的温度不良特性对系统增益的影响。2.如权利要求1所述温度增益均衡器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨漫菲，王磊，马凯文，陈庆，方堃，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51