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温度增益均衡器制造技术
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文档序号:16177554
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本发明公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的温度增益均衡器。该均衡器包括了一个电压变换模块和一个衰减模块。所述温度增益均衡器使用NMOS晶体管替代原衰减网络的电阻,利用电压变换模块产生不同的栅极电压控制晶体管。单个均衡器在‑55℃~1...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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