【技术实现步骤摘要】
用于力检测器的自适应性机械变化补偿
本公开的实施例一般涉及电容性感测,以及更具体地,涉及感测在使用电容性感测的输入表面上的力。
技术介绍
包括接近传感器装置(通常也称为触摸垫或者触摸传感器装置)的输入装置被广泛应用于多种电子系统中。接近传感器装置典型地包括感测区,其通常由表面区分,在其中接近传感器装置确定一个或多个输入对象的存在、位置和/或运动。接近传感器装置可用于为电子系统提供接口。例如,接近传感器装置经常作为输入装置用于较大计算系统(诸如集成在或外设于笔记本或桌上型电脑的不透明触摸垫)中。接近传感器装置也经常用于较小的计算系统(诸如集成在蜂窝电话中的触摸屏)中。
技术实现思路
本公开的实施例提供了一种操作具有多个传感器电极和至少一个力电极的电容性感测装置的方法。多个传感器电极的至少部分配置成向至少一个力电极偏转。该方法包括在没有力施加于电容性感测装置的输入表面时,储存力电极的基准电容;以及确定由输入对象接触输入表面引起的并基于力电极的当前电容和所储存的基准电容的力电极的电容变化。该方法进一步包括基于预定校准力、响应于施加于输入表面的预定校准力的力电极的电容变化、和校准基准电容,确定关联于电容性感测装置的机械变化补偿因子。该方法包括至少基于机械性变化补偿因子、基准电容、和电容变化,确定输入对象接触输入表面的力信息。本公开的另一个实施例提供了一种用于电容性感测装置的处理系统,以及具有处理系统的电容性感测装置,两者都具有包括配置成执行所述方法的传感器电路的传感器模块。电容性感测装置包括输入表面,至少一个力电极和多个传感器电极。多个传感器电极的至少部分配置成向该至 ...
【技术保护点】
一种操作具有多个传感器电极和至少一个力电极的电容性感测装置的方法,所述方法包括:在没有力施加于所述电容性感测装置的输入表面时,储存所述力电极的基准电容,其中所述多个传感器电极的至少部分配置成相对于至少一个力电极偏转;确定由输入对象接触所述输入表面引起的并基于所述力电极的当前电容和所述储存的基准电容的所述力电极的电容变化;基于预定校准力、响应于施加于所述输入表面的所述预定校准力的所述力电极的电容变化、和校准基准电容,确定关联于所述电容性感测装置的机械变化补偿因子;以及基于至少所述机械变化补偿因子、所述基准电容、和所述电容变化,确定所述输入对象接触所述输入表面的力信息。
【技术特征摘要】
2016.02.29 US 15/0570051.一种操作具有多个传感器电极和至少一个力电极的电容性感测装置的方法,所述方法包括:在没有力施加于所述电容性感测装置的输入表面时,储存所述力电极的基准电容,其中所述多个传感器电极的至少部分配置成相对于至少一个力电极偏转;确定由输入对象接触所述输入表面引起的并基于所述力电极的当前电容和所述储存的基准电容的所述力电极的电容变化;基于预定校准力、响应于施加于所述输入表面的所述预定校准力的所述力电极的电容变化、和校准基准电容,确定关联于所述电容性感测装置的机械变化补偿因子;以及基于至少所述机械变化补偿因子、所述基准电容、和所述电容变化,确定所述输入对象接触所述输入表面的力信息。2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:修改所述多个传感器电极的所述当前电容,以移除一个或多个组件电容,其中所述组件电容与所述电容性感测装置的组件关联。3.如权利要求2所述的方法,其中所述电容性感测装置包括显示器,并且所述组件电容包括显示器电容。4.如权利要求2所述的方法,其中所述组件电容包括内部集成电路电容。5.如权利要求1所述的方法,其中确定所述输入对象接触所述输入表面的所述力信息进一步基于比例函数,其根据力的所述施加的定位修改所述力信息。6.如权利要求1所述的方法,进一步包括:获取所述多个传感器电极的第二电容变化,以及基于所述第二电容变化更新所述机械变化补偿因子的参数集合。7.如权利要求1所述的方法,其中所述校准基准电容已经,依照将已知力施加到所述电容性感测装置的所述输入表面上的校准过程,被确定。8.一种用于具有输入表面的电容性感测装置的处理系统,其中所述电容性感测装置包括至少一个力电极和多个传感器电极,所述多个传感器电极的至少部分配置成向所述至少一个力电极偏转,所述处理系统包括:传感器模块,其包括配置成耦合于所述多个传感器电极和所述至少一个力电极的传感器电路,其中所述传感器模块配置成:在没有力施加于所述电容性感测装置的所述输入表面时,储存所述力电极的基准电容;确定由输入对象接触所述输入表面引起的并基于所述力电极的当前电容和所述储存的基准电容的所述力电极的电容变化;基于预定校准力、响应于施加于所述输入表面的所述预定校准力的所述力电极的电容变化、和校准基准电容,确定关联于所述电容性感测装置的机械变化补偿因子;以及基于至少所述机械变化补偿因子、所述基准电容、和所述电容变化,确定所述输入对象接触所述输入表面的力信息。9.如权利要求8所述的处理系统,其中所述传感器模块进一步配置成修改所述多个传感器电极的所述当前电容...
【专利技术属性】
技术研发人员:王营,AL施瓦茨,S拉马克里什南,
申请(专利权)人:辛纳普蒂克斯公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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