I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法技术

本发明专利技术提供Ｉ型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，其为含有７０质量％以上的Ｉ型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，该制造方法通过溶剂的选择来容易地制造含有高纯度的Ｉ型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物，所述制造方法的特征在于，将数均聚合度为３～２０的偏二氟乙烯均聚物溶解于仅含有偶极矩为２．８以上的有机溶剂中、或溶解于含有偶极矩为２．８以上的有机溶剂作为一部分的溶剂中，然后将该溶剂蒸发。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高纯度地含有以及含有该高纯度地含有I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的薄膜的形成方法。
技术介绍
相对于陶瓷等无机类铁电材料(铁电材料強誘電材料，ferroelectricmaterial)，聚合物型的铁电材料具有柔韧性好、重量轻、加工性优异、价格低等优点。作为代表性的聚合物型铁电材料，已知有聚偏二氟乙烯(PVdF)、偏二氟乙烯/三氟乙烯(VdF/TrFE)共聚物等偏二氟乙烯类聚合物。 但是，PVdF大体上分为三种结晶结构I型(也称为β型)、II型(α型)和III型(γ型)，其中，仅I型结晶能够表现出充分大的铁电性。 以往，由自由基聚合法制造的高分子量体PVdF形成的结晶结构是II型，这种状态下不显示铁电性。为了将II型结晶结构的PVdF转换为I型结晶，需要复杂的后续工序，例如膜的拉伸-热处理工序、进行铸塑时的高压急剧冷却等。 松重等人对使用具有II型结晶结构的偏二氟乙烯低聚物CF3(CH2CF2)nI(数均聚合度n＝17)来形成I型结晶结构的偏二氟乙烯低聚物的薄膜进行了研究(M&BE最前线M&BE Vol.11，No.2，145(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏二氟乙烯均聚物的制造方法，其为含有７０质量％以上的Ｉ型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，所述制造方法的特征在于：将数均聚合度为３～２０的偏二氟乙烯均聚物溶解于仅含有偶极矩为２．８以上的有机溶剂中、或溶解于含有偶极矩为２．８以上的有机溶剂作为一部分的溶剂中，然后将该溶剂蒸发。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-8-6 231251/20041.一种偏二氟乙烯均聚物的制造方法，其为含有70质量％以上的I型结晶结构的偏二氟乙烯均聚物的制造方法，所述制造方法的特征在于将数均聚合度为3～20的偏二氟乙烯均聚物溶解于仅含有偶极矩为2.8以上的有机溶剂中、或溶解于含有偶极矩为2.8以上的有机溶剂作为一部分的溶剂中，然后将该溶剂蒸发。2.如权利要求1所述的制造方法，其中，所述偏二氟乙烯均聚物在一个末端或两个末端具有通式(1)所示的部位，并且偏二氟乙烯均聚物单元的数均聚合度为3～20；-(R1)n-Y (1)通式(1)中，R1为2价有机基团，但是不包括偏二氟乙烯均聚物的结构单元；n为0或1；Y为氢原子、卤原子、或为含有或不含有卤原子的烷基；其中当n为0时，Y不是碘原子。3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述通式(1)的部位是碳原子数为1～10的直链状或支链状的含有或不含有卤原子的烷基。4.如权利要求1～3任意一项所述的制造方法，其中，所述溶剂含有5质量％～100质量％的偶极矩为2.8以上的有机溶剂。5.一种偏二氟乙烯均聚物薄膜的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：小谷哲浩，今堀裕司，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]