静电吸盘制造技术

本发明专利技术提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面；基座板，设置在远离陶瓷电介体基板的位置，支撑陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间，其特征为，加热器板具有：第1支撑板，包含金属；第2支撑板，包含金属；加热器元件，设置在第1支撑板与第2支撑板之间，通过流电而发热；第1树脂层，设置在第1支撑板与加热器元件之间；及第2树脂层，设置在第2支撑板与加热器元件之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电吸盘技术区域本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘。
技术介绍
在进行蚀刻、CVD(ChemicalVaporDeposition)、溅镀、离子注入、灰化等的等离子处理燃烧室内，作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘如下，对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板。在具有这样的静电吸盘的基板处理装置中，为了提高成品率及品质，要求控制晶片温度。要求晶片的温度控制具有2种性能。1个性能是使晶片的面内温度分布均匀的温度均匀性。另一个性能是有意图地使晶片的面内温度存在差异的温度控制性。在晶片的温度控制中，内置于静电吸盘的加热器的性能是重要的要素之一。一般来讲，温度均匀性与温度控制性之间存在折衷选择的关系。基板处理装置中，进一步要求高生产率化。为了实现基板处理装置的高生产率化，优选内置于静电吸盘的加热器的热容量较小。在晶片加工的流程中，外加RF(RadioFrequency)电压(高频电压)。当外加RF电压时，一般来讲加热器受高频电压影响而发热。这样，温度控制性降低。另外，当外加RF电压时，漏电流流向设备侧。因此，在设备侧需要滤波器等机构。当将加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，设置在远离所述陶瓷电介体基板的位置，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间，其特征为，所述加热器板具有：第1支撑板，包含金属；第2支撑板，包含金属；加热器元件，设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间，通过流电而发热；第1树脂层，设置在所述第1支撑板与所述加热器元件之间；及第2树脂层，设置在所述第2支撑板与所述加热器元件之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.16 JP 2015-007208;2015.09.28 JP 2015-190101.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，设置在远离所述陶瓷电介体基板的位置，支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间，其特征为，所述加热器板具有：第1支撑板，包含金属；第2支撑板，包含金属；加热器元件，设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间，通过流电而发热；第1树脂层，设置在所述第1支撑板与所述加热器元件之间；及第2树脂层，设置在所述第2支撑板与所述加热器元件之间。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，将所述第1支撑板电接合于所述第2支撑板。3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，对所述第1支撑板与所述第2支撑板进行接合的区域的面积，比所述第1支撑板的上面面积更小，比所述第2支撑板的下面面积更小。4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，对所述第1支撑板与所述第2支撑板进行接合的区域的面积，比从所述第1支撑板的上面面积减去所述加热器元件面积的面积差分更小，比从所述第2支撑板的下面面积减去所述加热器元件面积的面积差分更小。5.根据权利要求1～4中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述第1支撑板的上面具有第1凹凸部，所述第2支撑板的下面具有第2凹凸部。6.根据权利要求5所述的静电吸盘，其特征为，第1凹凸部仿形于所述加热器元件的形状，第2凹凸部仿形于所述加热器元件的形状。7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其特征为，所述第1凹凸部的凹部与所述第2凹凸部的凹部之间的距离，比所述第1凹凸部的凸部与所述第2凹凸部的凸部之间的距离更短。8.根据权利要求5～7中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述第1凹凸部的高度不同于所述第2凹凸部的高度。9.根据权利要求8所述的静电吸盘，其特征为，所述第1凹凸部的高度比所述第2凹凸部的高度更低。10.根据权利要求8所述的静电吸盘，其特征为，所述第1凹凸部的高度比所述第2凹凸部的高度更高。11.根据权利要求1～10中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：前畑健吾，近藤俊平，佐佐木均，山口康介，吉井雄一，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP