一种雾化片自动调频驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种雾化片自动调频驱动电路，包括驱动主电路、PWM电路、使能电路和反馈电路；（1）驱动主电路中，直流电源正极（5V）接可变电感（L3）的第一端，可变电感的第三端经依次串联的电容C21和雾化片接地；（2）PWM电路包括三极管Q10和NMOS管Q3；Q10为NPN三极管；（3）使能电路包括NMOS管Q8；（4）反馈电路中，反馈信号MI_PWM_FB接NMOS管Q3的S极。PWM信号M1_PWM和使能信号MI_EN来自MCU；反馈信号MI_PWM_FB接MCU的输入端。该雾化片自动调频驱动电路能实现精确调频，保障雾化片稳定工作在预设频率处，频率误差小。

【技术实现步骤摘要】
一种雾化片自动调频驱动电路
本技术特别涉及一种雾化片自动调频驱动电路。
技术介绍
美容仪中具有雾化片用于为皮肤补水，锁定频率对雾化片的精度误差要求高，现在的雾化片误差频率在正负2KHZ，所喷出的雾量大小差异太大，一致性差，因而需要设计一种调频驱动电路。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种雾化片自动调频驱动电路，该雾化片自动调频驱动电路能实现精确调频，保障雾化片稳定工作在预设频率处，频率误差小。技术的技术解决方案如下：一种雾化片自动调频驱动电路，包括驱动主电路、PWM电路、使能电路和反馈电路；（1）驱动主电路中，直流电源正极（5V）接可变电感（L3）的第一端，可变电感的第三端经依次串联的电容C21和雾化片接地；（2）PWM电路包括三极管Q10和NMOS管Q3；Q10为NPN三极管；PWM信号M1_PWM经电阻R34接三极管Q10的B极；三极管Q10的C极经电阻R68接直流电源正极；三极管Q10的C极还接NMOS管Q3的G极；三极管Q10的E极接地；Q10的C极和E极之间跨接有电阻R30；NMOS管Q3的D极接可变电感的第二端；NMOS管Q3的S极经并联的电阻R35和R71接地；（3）使能电路包括NMOS管Q8；Q8的D极接Q3的S极；Q8的S极经电阻R59接地；Q8的G极经电阻R56接地；Q8的G极还经电阻R58接使能信号MI_EN；（4）反馈电路中，反馈信号MI_PWM_FB接NMOS管Q3的S极；PWM信号M1_PWM和使能信号MI_EN来自MCU；反馈信号MI_PWM_FB接MCU的输入端。反馈信号MI_PWM_FB还经并联的C50和C46接地；反馈信号MI_PWM_FB还依次经串联的电阻R33和电容C24接地；电容C49与电容C24并联。有益效果本技术的雾化片自动调频驱动电路，通过反馈模块把电压送给CPU（即MCU，如单片机等，不涉及任何软件和方法）,CPU来根据反馈过来的电压确定输出PWM脉冲的频率和占空比，完成自成扫描，实现频率稳定。采用这种驱动电路，雾化片的工作频率可以精确控制到0.1KHZ内，能保障雾化片稳定工作。附图说明图1为雾化片自动调频驱动电路的原理图。具体实施方式为了便于理解本技术，下文将结合说明书附图和较佳的实施例对本文技术做更全面、细致地描述，但本技术的保护范围并不限于一下具体实施例。除非另有定义，下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本技术的保护范围。实施例1：图1，一种雾化片自动调频驱动电路，包括驱动主电路、PWM电路、使能电路和反馈电路；（1）驱动主电路中，直流电源正极（5V）接可变电感（L3）的第一端，可变电感的第三端经依次串联的电容C21和雾化片接地；（2）PWM电路包括三极管Q10和NMOS管Q3；Q10为NPN三极管；PWM信号M1_PWM经电阻R34接三极管Q10的B极；三极管Q10的C极经电阻R68接直流电源正极；三极管Q10的C极还接NMOS管Q3的G极；三极管Q10的E极接地；Q10的C极和E极之间跨接有电阻R30；NMOS管Q3的D极接可变电感的第二端；NMOS管Q3的S极经并联的电阻R35和R71接地；（3）使能电路包括NMOS管Q8；Q8的D极接Q3的S极；Q8的S极经电阻R59接地；Q8的G极经电阻R56接地；Q8的G极还经电阻R58接使能信号MI_EN；（4）反馈电路中，反馈信号MI_PWM_FB接NMOS管Q3的S极；PWM信号M1_PWM和使能信号MI_EN来自MCU；反馈信号MI_PWM_FB接MCU的输入端。反馈信号MI_PWM_FB还经并联的C50和C46接地；反馈信号MI_PWM_FB还依次经串联的电阻R33和电容C24接地；电容C49与电容C24并联。频点由M1_PWMl信号输送。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种雾化片自动调频驱动电路，其特征在于，包括驱动主电路、PWM电路、使能电路和反馈电路；(1)驱动主电路中，直流电源正极(5V)接可变电感(L3)的第一端，可变电感的第三端经依次串联的第一电容(C21)和雾化片接地；(2)PWM电路包括三极管(Q10)和第一NMOS管(Q3)；三极管(Q10)为NPN三极管；PWM信号M1_PWM经第一电阻(R34)接三极管(Q10)的B极；三极管(Q10)的C极经第二电阻(R68)接直流电源正极；三极管(Q10)的C极还接第一NMOS管(Q3)的G极；三极管(Q10)的E极接地；三极管(Q10)的C极和E极之间跨接有第三电阻(R30)；第一NMOS管(Q3)的D极接可变电感的第二端；第一NMOS管(Q3)的S极经并联的第七电阻(R35)和第八电阻(R71)接地；(3)使能电路包括第二NMOS管(Q8)；第二NMOS管(Q8)的D极接(Q3)的S极；第二NMOS管(Q8)的S极经第四电阻(R59)接地；第二NMOS管(Q8)的G极经第五电阻(R56)接地；第二NMOS管(Q8)的G极还经第六电阻(R58)接使能信号MI_EN；(4)反馈电路中，反馈信号MI_PWM_FB接第一NMOS管(Q3)的S极；PWM信号M1_PWM和使能信号MI_EN来自MCU；反馈信号MI_PWM_FB接MCU的输入端。...

【技术特征摘要】
1.一种雾化片自动调频驱动电路，其特征在于，包括驱动主电路、PWM电路、使能电路和反馈电路；(1)驱动主电路中，直流电源正极(5V)接可变电感(L3)的第一端，可变电感的第三端经依次串联的第一电容(C21)和雾化片接地；(2)PWM电路包括三极管(Q10)和第一NMOS管(Q3)；三极管(Q10)为NPN三极管；PWM信号M1_PWM经第一电阻(R34)接三极管(Q10)的B极；三极管(Q10)的C极经第二电阻(R68)接直流电源正极；三极管(Q10)的C极还接第一NMOS管(Q3)的G极；三极管(Q10)的E极接地；三极管(Q10)的C极和E极之间跨接有第三电阻(R30)；第一NMOS管(Q3)的D极接可变电感的第二端；第一NMOS管(Q3)的S极经并联的第七电阻(R35)和第八电阻(R71)接地；...

【专利技术属性】
技术研发人员：任泳潮，
申请(专利权)人：深圳市蓝晨科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44