一种高频的宽带大功率负载芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高频的宽带大功率负载芯片,包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线（2）、第二金属带线（4）和长方形的薄膜电阻层（3）；薄膜电阻层（3）设置于第一金属带线（2）和第二金属带线（4）之间，且分别与第一金属带线（2）和第二金属带线（4）电连接；所述介质基片（1）的下表面设置有金属层。本实用新型专利技术提供了一种高频的宽带大功率负载芯片，能够在宽带大功率负载芯片匹配阻抗固定的前提下，保证其良好的耐受功率，且第二金属带线连接薄膜电阻层，且在介质基板下表面设置金属层，使用时介质基板下表面设置金属层接地，使得第二金属带线与地之间形成等效电容，适用于高频环境。

【技术实现步骤摘要】
一种高频的宽带大功率负载芯片
本技术涉及一种高频的宽带大功率负载芯片。
技术介绍
随着科学技术的发展和社会科技水平的不断进步，微波毫米波电路已经越来越广泛地应用于人们的工作和社会的科学实践中；就目前而言，微波毫米波电路绝大多数选择50Ω作为系统的参考阻抗，因此在多模块的系统级联、测试测量过程中，均要求各模块的端口阻抗、连接器、测试电缆的特性阻抗均为50Ω，多端口器件中，不用的端口也需要接50Ω匹配负载来吸收信号，避免信号反射回电路中，影响器件性能。因此在大功率微波产品中，若50Ω负载所能承受的功率不足，就可能会引起负载或产品损坏，对微波毫米波电路的正常工作产生不利影响；但现有的大功率负载芯片中，若想要扩大其承受功率，往往会改变负载芯片内部的匹配阻抗，进而不利于与微波毫米波电路中的其它模块相匹配。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构简单，适用于高频的宽带大功率负载芯片。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种高频的宽带大功率负载芯片，包括介质基片,所述的介质基片的上表面设置有第一金属带线、第二金属带线和长方形的薄膜电阻层；薄膜电阻层设置于第一金属带线和第二金属带线之间，且分别与第一金属带线和第二金属带线电连接；所述介质基片的下表面设置有金属层。所述的一种高频的宽带大功率负载芯片，还包括接入端口，所述接入端口与第一金属带线连接。所述第一金属带线与薄膜电阻层之间存在第一交叠区域，且第一金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接。所述第二金属带线与薄膜电阻层之间存在第二交叠区域，且第二金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接。所述第二金属带线为呈长方形。所述第二金属带线的长宽尺寸大于薄膜电阻层的长宽尺寸。本技术的有益效果是：（1）薄膜电阻的阻值只跟其长宽比有关，跟其绝对尺寸大小无关，同时薄膜电阻的面积越大，能承受的电流就越大，耐受功率也随之增大；故通过本申请的结构，能够在宽带大功率负载芯片匹配阻抗固定的前提下，保证其良好的耐受功率。（2）基于薄膜电阻层的结构上，薄膜电阻层还需要接地，才能够实现整个负载芯片的功能，而采用导线、金属化过孔等方式实现薄膜电阻的接地，在使用时会产生等效电感，从而对高频接地产生很大的影响，故本申请设置第二金属带线连接薄膜电阻层，且在介质基板下表面设置金属层，使用时介质基板下表面设置金属层接地，使得第二金属带线与地之间形成等效电容，从而高频信号能够接地。（3）第一金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接；第二金属带线与薄膜电阻层通过第一交叠区域实现电连接；由于通过交叠的方式实现金属带线和薄膜电阻层之间的电连接，故能够避免局部脱落对负载芯片工作产生个影响，提高整个宽带大功率负载芯片的可靠性。附图说明图1为本技术的立体结构示意图；图2为本技术的俯视图；图3为薄膜电阻层与第一金属带线和第二金属带线的连接示意图。图中，1-介质基片，2-第一金属带线，3-薄膜电阻层，4-第二金属带线，5-第一交叠区域，6-第二交叠区域。具体实施方式下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1~2所示，一种高频的宽带大功率负载芯片，包括介质基片1,所述的介质基片1的上表面设置有第一金属带线2、第二金属带线4和长方形的薄膜电阻层3；薄膜电阻层3设置于第一金属带线2和第二金属带线4之间，且分别与第一金属带线2和第二金属带线4电连接；所述介质基片1的下表面设置有金属层（导电金属层，如铜等,且金属层覆盖介质基片1的整个下表面）。所述的一种高频的宽带大功率负载芯片还包括接入端口，所述接入端口与第一金属带线2连接。如图3所示，所述第一金属带线2与薄膜电阻层3之间存在第一交叠区域5，且第一金属带线2与薄膜电阻层3通过第一交叠区域5实现电连接。所述第二金属带线4与薄膜电阻层3之间存在第二交叠区域6，且第二金属带线2与薄膜电阻层3通过第一交叠区域6实现电连接。所述第二金属带线4为呈长方形。所述第二金属带线4的长宽尺寸大于薄膜电阻层3的长宽尺寸。在本申请的实施例中，介质基片1由AlN（氮化铝）介质制成，第一金属带线2和第二金属带线4可以采用高温蒸发的方式附着在介质基片1的上表面，也可以采用高温溅射的方式附着在介质基片1的上表面；薄膜电阻层可以使用NiCr等合金浆料涂覆在介质基片1的上表面，并与第一金属带线2和第二金属带线4存在交叠区域；（在一些实施例中，薄膜电阻层也可以采用蒸镀的方式附着在介质基片1的上表面，并与第一金属带线2和第二金属带线4存在交叠区域）；由于交叠区域的存在，能够避免局部脱落对负载芯片工作产生个影响，提高整个宽带大功率负载芯片的可靠性。在正常工作时，介质基片1下表面的金属层接地，第一金属带线2通过接入端口连接到所需的目标位置；薄膜电阻层还需要接地，才能够实现整个负载芯片的功能，而采用导线、金属化过孔等方式实现薄膜电阻的接地，在使用时会产生等效电感，从而对高频接地产生很大的影响；故本申请设置第二金属带线4连接薄膜电阻层3，且在介质基板1下表面设置金属层，使用时介质基板1下表面设置金属层接地，使得第二金属带线与地之间形成等效电容；电流依次通过第一金属带线2、薄膜电阻层3、第二金属带线4，以及第二金属带线4与地之间的等效电容流入接地金属层；由于本申请第二金属带线4与地之间的等效电容阻断低频，通过高频的作用，故本申请的负载芯片只适合于应用在高频环境。同时，本申请第二金属带线4的长宽尺寸大于薄膜电阻层3的长宽尺寸，将第二金属带线的尺寸设置得较大，能够提升第二金属带线4与地之间等效电容的容量，从而不易被击穿，使得负载芯片在高频环境下的使用更加稳定。我们知道，电阻R消耗的功率P跟其通过电流有效值I的平方成正比，即P=I2R。例如50Ω电阻通过有效值为0.5A电流，其消耗的功率为50*0.52=12.5W，如果通过有效值为0.4A电流，其消耗的功率为50*0.42=8W；而薄膜电阻的阻值R=Rs*（L/W），Rs为方阻，对于同一薄膜电阻层而言，其为固定值，故薄膜电阻阻值只跟其长宽比(L/W)有关，跟其绝对尺寸大小无关，而薄膜电阻的面积越大，能承受的电流就越大，耐受功率也随之增大；所以，基于本申请的结构，我们只需要在保证薄膜电阻层3长宽比固定，即可保证薄膜电阻的阻值固定，进而使得宽带大功率负载芯片的匹配阻抗固定；同时根据不同的情况为薄膜电阻设计不同的尺寸，即可使得大功率负载芯片的耐受功率满足要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频的宽带大功率负载芯片，其特征在于：包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线（2）、第二金属带线（4）和长方形的薄膜电阻层（3）；薄膜电阻层（3）设置于第一金属带线（2）和第二金属带线（4）之间，且分别与第一金属带线（2）和第二金属带线（4）电连接；所述介质基片（1）的下表面设置有金属层。

【技术特征摘要】
1.一种高频的宽带大功率负载芯片，其特征在于：包括介质基片(1),所述的介质基片(1)的上表面设置有第一金属带线（2）、第二金属带线（4）和长方形的薄膜电阻层（3）；薄膜电阻层（3）设置于第一金属带线（2）和第二金属带线（4）之间，且分别与第一金属带线（2）和第二金属带线（4）电连接；所述介质基片（1）的下表面设置有金属层。2.根据权利要求1所述的一种高频的宽带大功率负载芯片，其特征在于：还包括接入端口，所述接入端口与第一金属带线（2）连接。3.根据权利要求1所述的一种高频的宽带大功率负载芯片，其特征在于：所述第一金属带线（2）与薄膜电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭春明，许欢，
申请(专利权)人：成都泰格微电子研究所有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川,51