一种鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器制造技术

本发明专利技术提供了一种鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器，属于电磁功能器件技术领域。本发明专利技术是通过将太赫兹波段鳍线‑波导传输系统与人工电磁谐振结构单元、高电子迁移率晶体管HEMT相结合而实现的。本发明专利技术通过电控HEMT的电磁特性实现对人工电磁谐振单元结构中电磁谐振模式的控制，从而实现对鳍线‑波导中传播的太赫兹波幅度、相位进行调制。本发明专利技术可实现95％以上的调制深度，同时对太赫兹波的插损可小于‑1.5dB以内。本发明专利技术可通过运用微细加工技术实现，制备工艺成熟可靠。本发明专利技术实现了半导体材料与人工微结构阵列、太赫兹传输线相结合的调制器件，在太赫兹无线通信、太赫兹波谱技术、太赫兹安检成像等领域具有重要的实际应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器
本专利技术属于电磁功能器件
，重点针对太赫兹波段的快速动态功能器件，用于太赫兹波调制器、太赫兹波开关、太赫兹移相器等，具体涉及一种鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器。
技术介绍
近年来，太赫兹的独特性能为通信、雷达、电子对抗和医学成像等众多领域提供了诱人的发展可能性。其中在太赫兹通信与成像系统中，太赫兹波动态功能器件—太赫兹外部调制器如今已成为其关键的核心技术。从2004年开始，Nature/Science等国际自然科学顶级刊物陆续刊登了多篇太赫兹波外部调制器的文章，其内容包括基于掺杂硅基、砷化镓基、相变材料基以及石墨烯等与人工电磁媒质相结合，利用外加温度、光照、电场等的激励方式来实现太赫兹波的调制。在上述方法中，调制器多采用空间金属阵列形式，金属单元间耦合寄生效应大，降低了调制器的响应速率，且调制器不便集成。因此设计一种响应速度高、调制深度大、结构紧凑便于集成的器件仍然是太赫兹调制器件亟待解决的核心技术问题。在半导体材料与电磁器件产业中，一方面，电磁器件的发展需求决定了半导体材料的发展，另外一方面，由于半导体新材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器，其特征在于，包括输入波导(1)、波导‑鳍线过渡部分(2)、鳍线调制部分(3)、鳍线‑波导过渡部分(4)、输出波导(5)和外部滤波馈电结构(6)；所述鳍线调制部分(3)包括鳍线中间传输区和调制单元阵列；所述鳍线中间传输区包括接地鳍(7)和绝缘鳍(8)；所述调制单元阵列中的每个调制单元包括人工电磁媒质与HEMT；所述人工电磁媒质包括栅极连接线(10)和金属开口谐振环(9)；所述HEMT包括栅极连接线(10)、源极(11)、漏极(12)和调制掺杂异质结(13)；所述源极(11)和漏极(12)分别与金属开口谐振环(9)的开口处金属条相连接；所述栅极连接...

【技术特征摘要】
1.一种鳍线加载HEMT嵌套结构的太赫兹波快速调制器，其特征在于，包括输入波导(1)、波导-鳍线过渡部分(2)、鳍线调制部分(3)、鳍线-波导过渡部分(4)、输出波导(5)和外部滤波馈电结构(6)；所述鳍线调制部分(3)包括鳍线中间传输区和调制单元阵列；所述鳍线中间传输区包括接地鳍(7)和绝缘鳍(8)；所述调制单元阵列中的每个调制单元包括人工电磁媒质与HEMT；所述人工电磁媒质包括栅极连接线(10)和金属开口谐振环(9)；所述HEMT包括栅极连接线(10)、源极(11)、漏极(12)和调制掺杂异质结(13)；所述源极(11)和漏极(12)分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雅鑫，张亭，孙翰，梁士雄，杨梓强，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51