一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，包括第一电源V1、第二电源V2、开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块、求差模块、放大模块、增大模块；第一电源V1或第二电源依次V2与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；忆阻器模块包括忆阻器Mz1、Mz2、Mj1和Mj2，Mj1和Mj2完全相同，Mz1与Mj1串联，Mz2与Mj2串联，Mz1和Mj1组成的串联支路与Mz2和Mj2形成的串联支路相并联；求差模块与忆阻器模块相连，放大模块与求差模块相连，增大模块与放大模块相连。本发明专利技术的曝光量测量范围大，灵敏度高，适用于大曝光量及长时间曝光的测量，而且电路简单，避免了测量过程中忆阻器阻值变化对传感器的回路电流和曝光量测量的影响，测量误差小，使用方便。

【技术实现步骤摘要】
一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器
本专利技术属于光学测量领域，涉及一种曝光量传感器，特别涉及一种可避免忆阻器阻值变化影响回路电流的基于反向串联忆阻器的曝光量传感器。
技术介绍
曝光量传感器是一种计量物体被辐照时光照度在某一时间段内的积分值，从而衡量出曝光量大小的传感器。目前曝光量的测量方法主要有：半导体感光器件与时间积分电路相结合的曝光量传感器，CCD、CMOS等感光材料以电子堆栈的多少记录曝光量大小的测量方法，和基于光刻胶刻蚀厚度的曝光量测量等。曝光量传感器在光学成像、遥感探测、医疗卫生和半导体制造等众多领域得到了广泛的应用，具有极大地研究价值。然而，这些曝光量测量方法也存在着一些问题，一定程度上阻碍了其性能的提高和应用范围的扩大。目前存在的主要问题有：第一，半导体感光器件与时间积分电路相结合的传感器具有的测量范围较小，大电容或大电压的方式都不能有效提高其测量范围；第二，基于电子堆栈的曝光量测量方法，不适用于大曝光量及长时间曝光的测量要求；第三，基于光刻胶刻蚀厚度的曝光量测量方法，其测量系统庞大、测量过程复杂、不能在线测量、重复性差，而且容易引入测量误差。专利
技术实现思路
针对上述现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，其特征在于，包括第一电源V1、第二电源V2、开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块、求差模块、放大模块、增大模块；当曝光量传感器处于工作状态时，第一电源V1依次与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；当曝光量传感器处于恢复状态时，第二电源V2依次与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；所述忆阻器模块包括忆阻器Mz1、Mz2、Mj1和Mj2，其中Mz1和Mz2完全相同，Mj1和Mj2完全相同，Mz1与Mj1串联，Mz2与Mj2串联，Mz1和Mj1组成的串联支路与Mz2和Mj2形成的串联支路相并联，Mz1与Mj1之间引出一个节点VX1，Mz...

【技术特征摘要】
1.一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，其特征在于，包括第一电源V1、第二电源V2、开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块、求差模块、放大模块、增大模块；当曝光量传感器处于工作状态时，第一电源V1依次与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；当曝光量传感器处于恢复状态时，第二电源V2依次与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路；所述忆阻器模块包括忆阻器Mz1、Mz2、Mj1和Mj2，其中Mz1和Mz2完全相同，Mj1和Mj2完全相同，Mz1与Mj1串联，Mz2与Mj2串联，Mz1和Mj1组成的串联支路与Mz2和Mj2形成的串联支路相并联，Mz1与Mj1之间引出一个节点VX1，Mz2与Mj2之间引出一个节点VX2；所述求差模块与忆阻器模块相连接，放大模块与求差模块相连接，增大模块与放大模块相连接。2.如权利要求1所述的基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，其特征在于，所述求差模块包括运算放大器U1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，所述运算放大器U1包括输出端OUT1、负输入端I1-、正输入端I1﹢，负输入端I1-通过电阻R2与节点VX1相连接，负输入端I1-与电阻R2之间引出一节点A，节点A通过电阻R3与输出端OUT1相连接，正输入端I1﹢处引出两条支路，一条支路通过电阻R4与节点VX2相连接，另一条支路通过电阻R5与地相连；所述运算放大器U1还包括正供电电源VCC1和负供电电源VEE1。3.如权利要求2所述的基于反向串联忆阻器的曝光量传感器，其特征在于，所述放大模块包括运算放大器U2、电阻R6、电阻R7、电阻R8，所述运算放大器U2包括输出端OUT2、负输入端I2-、正输入端I2﹢，负输入端I2-通过电阻R7与地相连，负输入端I2-与电阻R7之间引...

【专利技术属性】
技术研发人员：文常保，姚世朋，洪吉童，朱玮，李演明，茹锋，巨永锋，
申请(专利权)人：长安大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61