单晶硅的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种单晶硅的制备方法，其包括如下步骤：在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。上述单晶硅的制备方法，由于事先在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；碳酸钡最终可在石英坩埚的内壁上形成一层致密微小的釉层。随着硅液面的上升，最终在石英坩埚内壁与硅液接触的地方均形成这种釉层。由于形成致密微小的釉层的保护层，有效抑制了析晶，因此可以大幅度的改善石英坩埚的使用寿命及长晶良率。这种致密微小的釉层的保护层很难使硅液渗入而剥落。另外，保护层可增加石英坩埚的强度，从而减少高温软化现象。还有，钡在硅中的平衡偏析系数非常小，故而不会影响到硅晶棒的品质。

【技术实现步骤摘要】
单晶硅的制备方法
本专利技术涉及单晶硅
，特别是涉及一种单晶硅的制备方法。
技术介绍
直拉法是单晶硅的主要生产方法，而石英坩埚是直拉法所必不可少的辅助器具。石英坩埚在拉晶的高温下，具有变成二氧化硅晶体的趋向，此过程称为析晶。析晶通常发生在石英坩埚的表层。严重的析晶会对拉晶造成影响。例如，析晶将减薄石英坩埚原有的厚度，降低了石英坩埚的强度，从而容易引起石英坩埚变形。特别是，近年来随着投料量的增大，拉晶时间也相应延长；随着拉晶时间的延长，还有可能导致漏料的发生。另外，石英坩埚内壁发生析晶时有可能破坏坩埚内壁原有的涂层，这将导致涂层下面的气泡层和熔硅发生反应，造成部分颗粒状氧化硅进入熔硅内，使得正在生长中的晶体结构发生变异而无法正常长晶。并且石英坩埚表面如果附带极其微小的杂质，析晶也将导致单晶在生长过程中断棱，影响成品率。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种有效抑制石英坩埚析晶的单晶硅的制备方法。一种单晶硅的制备方法，包括如下步骤：在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。上述单晶硅的制备方法，由于在装硅料直拉单晶之前，在石英坩埚的内壁底部事先覆盖碳酸钡层；当融硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。2.根据权利要求1所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述碳酸钡层通过将碳酸钡粉撒在石英坩埚的内壁底部形成。3.根据权利要求2所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述碳酸钡粉的质量为4.2g～7g。4.根据权利要求1所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，在装入硅料之前，还包括在所述石英坩埚的上沿形成氢氧化钡层。5.根据权利要求4所述的单晶硅的制备方法，其特征在于，所述氢氧化钡层通过喷涂形成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思锋，潘永娥，
申请(专利权)人：宁夏协鑫晶体科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏,64