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本发明涉及一种单晶硅的制备方法，其包括如下步骤：在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；然后装入硅料进行直拉单晶操作。上述单晶硅的制备方法，由于事先在石英坩埚的内壁底部覆盖碳酸钡层；碳酸钡最终可在石英坩埚的内壁上形成一层致密微小的釉层。随着硅液面...
该专利属于宁夏协鑫晶体科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏协鑫晶体科技发展有限公司授权不得商用。

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