一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法。所述X7R电容器陶瓷材料组成为0.3BiAlO3‑0.7BaTiO3+xmol％MnO2+ywt％BAS，x取值为0.2～1.0，y取值为2～6，MnO2的加入量为0.3BiAlO3‑0.7BaTiO3的0.2～1.0mol％，BAS无碱玻璃的加入量为MnO2和BiAlO3‑BaTiO3总质量的2～8％。本发明专利技术制备的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料具有击穿强度高、常温介电常数较高、温度稳定性好的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
由于电子科技的不断发展，电子设备的大量运用，高压陶瓷电容器一直是广泛应用的电子设备之一，小到显示器中的倍压整流电路，大到激光、雷达以及电子显微镜的高压电源中，都能随处见到高压陶瓷电容器的身影，为了满足脉冲功率系统的小型化和高储能密度的需求，各国材料工作者正积极探索研究具有高介电常数εr、低介电损耗tanδ和高击穿强度的介质材料，目前常温下介电常数ε25℃＞1000且宽温稳定性满足X7R(|ΔC/C|≤15％的温度范围为-55℃～125℃)的陶瓷材料其击穿强度普遍在8kV/mm左右，而这样的击穿强度已经难以符合现今的生产要求。BiAlO3-BaTiO3作为一种铁电陶瓷材料，相对介电常数较高，随温度变化相对较为缓慢，且烧结温度低，比较适合做电介质材料，但是由于BiAlO3-BaTiO3基质材料存在自发极化的特性，导致其耐压强度较低，因此需要通过掺杂、工艺优化等方面的改进在保证其在具有一定的介电强度及温度稳定性的同时又提高其耐压强度。因此，亟需研究提供一种击穿强度高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料，其特征在于：所述X7R电容器陶瓷材料组成为0.3BiAlO3‑0.7BaTiO3+xmol％MnO2+ywt％BAS，x取值为0.2～1.0，y取值为2～6，MnO2的加入量为0.3BiAlO3‑0.7BaTiO3的0.2～1.0mol％，BAS无碱玻璃的加入量为MnO2和BiAlO3‑BaTiO3总质量的2～8％。

【技术特征摘要】
1.一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料，其特征在于：所述X7R电容器陶瓷材料组成为0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol％MnO2+ywt％BAS，x取值为0.2～1.0，y取值为2～6，MnO2的加入量为0.3BiAlO3-0.7BaTiO3的0.2～1.0mol％，BAS无碱玻璃的加入量为MnO2和BiAlO3-BaTiO3总质量的2～8％。2.根据权利要求1所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料，其特征在于：其是将固相法制得0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol％MnO2粉末，然后掺杂BAS无碱玻璃烧结得到。3.根据权利要求2所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料，其特征在于：掺杂BAS无碱玻璃的烧结温度为1000～1100℃。4.根据权利要求1所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料，其特征在于：所述BAS无碱玻璃的加入量为MnO2和BiAlO3-BaTiO3总质量的2％～6％。5.权利要求1所述的高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、将Bi2O3、Al2O3、BaCO3、TiO2和MnO2按理论计量比，并在Bi过量的情况下固相法制备出0.3BiAlO3-0.7BaTiO3+xmol％MnO2粉末，x取值为0.2～1.0；步骤二、取占陶瓷粉末质量百分比为2～6％的BAS玻璃细粉和混合球磨，烘干、造粒、压片、...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝华，程旷男，赖昕，刘韩星，曹明贺，尧中华，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42