Cu芯球的制造方法技术

本发明专利技术涉及Cu芯球的制造方法。本发明专利技术的Cu芯球的制造方法具备：提供作为核的Cu球的阶段，该Cu球是纯度为99.9％以上且99.995％以下、U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量、Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上、球形度为0.95以上、α射线量为0.0200cph/cm

Method for manufacturing Cu core ball

The invention relates to a method for manufacturing a Cu core ball. A manufacturing method of the invention of the Cu core ball: as Cu ball nuclear phase, the Cu ball is purity over 99.9% and below 99.995% U, below 5ppb and the content of Th is the total content of 5ppb, the following Pb and / or Bi is more than 1ppm, more than 0.95 degrees, spherical alpha was 0.0200cph/cm

【技术实现步骤摘要】
Cu芯球的制造方法本申请是申请日为2015年01月28日、申请号为201510044092.8、专利技术名称为Cu芯球、焊膏和焊料接头的申请的分案申请。
本专利技术涉及改善了表面粗糙度且α射线量少的Cu芯球、焊膏和焊料接头。
技术介绍
近年来，由于小型信息设备的发展，所搭载的电子部件正在进行急速的小型化。对电子部件而言，为了应对小型化的要求所带来的连接端子的狭窄化、安装面积的缩小化，采用了将电极设置于背面的球栅阵列封装(以下称为“BGA”)。对于在半导体封装体中应用BGA而得到的电子部件，具备电极的半导体芯片被树脂密封，而且在半导体芯片的电极上形成有焊料凸块。焊料凸块是将焊料球接合于半导体芯片的电极而成的，通过与印刷电路基板的导电性焊盘接合的方式安装于印刷电路基板。近年来，为了应对进一步的高密度安装的要求，研究了半导体封装体在高度方向上堆叠的三维的高密度安装。在三维高密度安装而成的半导体封装体中应用BGA时，由于半导体封装体的自重，焊料球有时会被压碎。如果发生这样的情况，还可以想到会发生焊料从电极露出、电极间的短路(short)。为了消除这样的问题，研究了采用硬度高于焊料球的球。作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Cu芯球的制造方法，其特征在于，其具备如下的阶段：提供作为核的Cu球的阶段，该Cu球是纯度为99.9％以上且99.995％以下、U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量、Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上、球形度为0.95以上、α射线量为0.0200cph/cm

【技术特征摘要】
2014.01.28 JP 2014-0135281.一种Cu芯球的制造方法，其特征在于，其具备如下的阶段：提供作为核的Cu球的阶段，该Cu球是纯度为99.9％以上且99.995％以下、U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量、Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上、球形度为0.95以上、α射线量为0.0200cph/cm2以下的Cu球；提供覆盖所述Cu球的表面的焊料镀覆膜的阶段，所述焊料镀覆膜为Sn焊料镀覆膜或由以Sn作为主要成分的无铅焊料合金形成的焊料镀覆膜，对Cu芯球进行平滑化处理的阶段，该阶段中，通过在将Cu芯球浸渍于镀液的状态下照射超声波来对Cu芯球进行平滑化处理，使所述Cu芯球的算术平均表面粗糙度为0.3μm以下。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：川崎浩由，六本木贵弘，相马大辅，佐藤勇，
申请(专利权)人：千住金属工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP