MEMS器件、MEMS投影系统以及便携式电子装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种MEMS器件、MEMS投影系统以及便携式电子装置。MEMS器件包含：固定结构(10)；活动结构(12)，其包括反射元件(90)；第一可变形结构(22)和第二可变形结构(24)，它们被布置在固定结构和活动结构之间。第一可变形结构和第二可变形结构中的每个包括相应数量的主压电元件(40)。第一可变形结构和第二可变形结构的主压电元件(40’，40”)能够被电控制以引起活动结构分别关于第一轴线(A1)和第二轴线(A2)的振荡。第一可变形结构还包括相应数量的次压电元件(42’)，它们能够被电控制从而改变活动结构关于第一轴线的第一谐振频率。

【技术实现步骤摘要】
MEMS器件、MEMS投影系统以及便携式电子装置
本技术涉及MEMS(微机电系统)器件。具体地，本技术涉及包含压电致动器的谐振双轴线MEMS反射器。此外，本技术涉及包含谐振双轴线MEMS反射器的MEMS投影系统以及一种便携式电子装置。
技术介绍
如已知的，目前许多MEMS器件都是可用的。特别是已知其中包含了由反射镜形成的活动元件的所谓的MEMS反射器。通常，MEMS反射器被设计成接收光束并且被设计成经由其自身的反射镜改变其传播方向。典型地，光束的传播方向以周期性或准周期性的方式被改变，以使用所反射的光束执行对一部分空间的扫描。更具体地，更熟悉的是谐振类型的MEMS反射器。通常，谐振类型的MEMS反射器包括引起各个反射镜以实质上周期性的方式关于静止位置振荡的致动系统，振荡的周期与反射镜的谐振频率尽可能得接近，从而在每次振荡期间最大化由反射镜所覆盖的角距离，并且由此最大化所扫描的空间的大小。在谐振MEMS反射器中，更熟悉的是所谓的双轴线MEMS反射器，其中的反射镜关于彼此垂直的两个不同的轴线、以近似等于反射镜相应的谐振频率的频率相对于前述的轴线振荡。在使用谐振双轴线MEMS反射器产生图像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件，其特征在于，包括：‑固定结构(10)；‑活动结构(12)，包括反射元件(90)；‑第一可变形结构(22)，被布置在所述固定结构和所述活动结构之间；以及‑第二可变形结构(24)，被布置在所述固定结构和所述活动结构之间；并且其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个包括相应数量主压电元件；并且其中所述第一可变形结构的主压电元件(40’)能够被电控制以引起所述第一可变形结构的实质上周期性的第一变形和所述活动结构关于第一轴线(A1)的随之发生的振荡；并且其中所述第二可变形结构的主压电元件(40”)能够被电控制以引起所述第二可变形结构的实质上周期性的第一变形和所述活动结构关于第...

【技术特征摘要】
2015.11.30 IT 1020150000783981.一种MEMS器件，其特征在于，包括：-固定结构(10)；-活动结构(12)，包括反射元件(90)；-第一可变形结构(22)，被布置在所述固定结构和所述活动结构之间；以及-第二可变形结构(24)，被布置在所述固定结构和所述活动结构之间；并且其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个包括相应数量主压电元件；并且其中所述第一可变形结构的主压电元件(40’)能够被电控制以引起所述第一可变形结构的实质上周期性的第一变形和所述活动结构关于第一轴线(A1)的随之发生的振荡；并且其中所述第二可变形结构的主压电元件(40”)能够被电控制以引起所述第二可变形结构的实质上周期性的第一变形和所述活动结构关于第二轴线(A2)的随之发生的振荡；并且其中所述第一可变形结构还包括相应数量的次压电元件(42’)，所述次压电元件能够被电控制以引起所述第一可变形结构的第二变形、并且改变所述活动结构关于所述第一轴线的第一谐振频率。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一可变形结构(22)包括相应的支撑结构(32)，被固定至所述固定结构(10)并且被固定至所述活动结构(12)；并且其中所述第一可变形结构的主压电元件(40’)和次压电元件(42’)被机械地耦合至相应的所述支撑结构。3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一可变形结构(22)的所述支撑结构(32)具有相应的主体(36)，所述主体具有沿着相应的伸长方向的伸长的形状。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一可变形结构(22)的主压电元件(40’)被布置在相应的所述主体(36)的伸长的方向上。5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述第一可变形结构(22)的主压电元件(40’)和次压电元件(42’)在相应的所述主体(36)的所述伸长的方向上被彼此散置。6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一可变形结构(22)的次压电元件(42’)在横向于所述主体(36)的所述伸长的方向的方向上具有伸长的形状。7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述支撑结构(32)形成多个第一横向元件(38)和多个第二横向元件(39)，所述多个第一横向元件从所述主体(36)的第一侧延伸，所述多个第二横向元件从所述主体的第二侧延伸，所述第一侧和所述第二侧彼此相对；并且其中每个次压电元件(42’)被机械地耦合至由所述第一横向元件中的一个横向元件和所述第二横向元件中的一个横向元件形成的对应的对，使得在所述第一可变形结构(22)的所述第二变形期间、所述对的所述横向元件弯曲。8.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述支撑结构(32)具有L形状；并且其中所述L形状的长臂由所述主体(36)形成。9.根据权利要求1至8中任一项所述的器件，其特征在于，所述固定结构(10)至少一部分由半导体材料制成；并且其中所述第一可变形结构和第二可变形结构(22，24)中的每个包括相应的底部电极区域(78)；并且其中所述第一可变形结构的主压电元件(40’)和次压电元件(42’)在所述第一可变形结构的所述底部电极区域的顶部上延伸；并且其中所述第二可变形结构的主压电元件(40”)在所述第二可变形结构的所述底部电极区域的顶部上延伸。10.根据权利要求9所述的器件，其特征在于，所述第一可变形结构和第二可变形结构(22，24)中的每个包括相应的半导体区域(70)。11.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·朱斯蒂，R·卡尔米纳蒂，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利,IT