DC－DC转换器制造技术
DC-DC converter
Aims: provides the stable operation of the protection circuit of synchronous rectifier type DC-DC converter. The solution is as follows, namely has detected accumulation can disappear in the inductor power detection circuit, protection circuit or abnormal after counting timer circuit detects a predetermined time, when the protection circuit detects the abnormal state, the output control circuit makes the switching element high voltage side in the off state, the switch low level side element is in a conducting state through the detection circuit, or timer circuit output signal, the electric energy accumulation in the inductor disappears, the output control circuit causes the switch element low level side stop.
【技术实现步骤摘要】
DC－DC转换器
本专利技术关于向电子设备供给电源的DC－DC转换器。
技术介绍
DC－DC转换器搭载有电源监视电路、输出监视电路、过热保护电路、过电流保护电路等的、当检测到异常状态时，停止开关动作的保护电路。特别是，在同步整流DC－DC转换器中，当检测到异常状态时，使高电平侧的开关元件及低电平侧的开关元件均处于截止状态，停止动作，防止DC－DC转换器的破坏。图5中示出现有的DC－DC转换器的概略结构图的一个例子。保护电路31与输出控制电路15连接。若该保护电路31探测到异常，向输出控制电路15通知发生异常，则该输出控制电路15向高电平侧的驱动器21和低电平侧的驱动器22的双方发送截止信号，同时停止PMOS晶体管2和NMOS晶体管4（例如，参照专利文献1）。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开2004－080890号公报。
技术实现思路
【专利技术要解决的课题】现有的DC－DC转换器中，若同时停止PMOS晶体管2和NMOS晶体管4，则蓄积在电感器3的电能成为通过由NMOS晶体管4的漏极（N＋）和Psub基板（P）形成的寄生二极管的电流而放电。若有电流流过...
【技术保护点】
一种DC－DC转换器，其特征在于具备：高电平侧的开关元件即PMOS晶体管；低电平侧的开关元件即NMOS晶体管；在所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管的连接点和输出端子之间连接的电感器；输出所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的控制信号的输出控制电路；将检测到所述DC－DC转换器的异常的信号向所述输出控制电路输出的保护电路；以及检测蓄积在所述电感器的电能的检测电路，所述输出控制电路接受所述保护电路输出的信号而使所述PMOS晶体管截止、使所述NMOS晶体管导通，所述检测电路若检测到蓄积在所述电感器的电能消失的情况，则向所述输出控制电路输出检测信号，所述输出控制电路接受所述检...
【技术特征摘要】
2016.02.12 JP 2016-0248601.一种DC－DC转换器，其特征在于具备：高电平侧的开关元件即PMOS晶体管；低电平侧的开关元件即NMOS晶体管；在所述PMOS晶体管与所述NMOS晶体管的连接点和输出端子之间连接的电感器；输出所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的控制信号的输出控制电路；将检测到所述DC－DC转换器的异常的信号向所述输出控制电路输出的保护电路；以及检测蓄积在所述电感器的电能的检测电路，所述输出控制电路接受所述保护电路输出的信号而使所述PMOS晶体管截止、使所述NMOS晶体管导通，所述检测电路若检测到蓄积在所述电感器的电能消失的情况，则向所述输出控制电路输出检测信号，所述输出控制电路接受所述检测电路输出的检测信号而使所述NMOS晶体管截止。2.如权利要求1所述的DC－DC转换器，其特征在于：所述检测电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：河野明大，后藤克也，
申请(专利权)人：精工半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。